公开(公告)号：CN111446328B

公开(公告)日：2023-08-18

申请号：CN202010162557.0

申请日：2020-03-10

Applicant: 辽宁工程技术大学

Inventor： 宋瑛 ,  王学雷 ,  杨建林 ,  孙霞

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0336 ,  H01L31/075

Abstract: 本发明公开了一种以氧化铜作为光吸收层的pin结构太阳能电池的制备方法，基于电化学沉积法，采用硝酸锌配成水溶液，pH值调整为4，控制溶液温度为60℃，沉积电压为‑0.6～‑1.3V，沉积时间为1～3min，经处理后的ITO上制备ZnO薄膜作为n层；CuSO4水溶液加入乳酸，用KOH溶液调整溶液的pH值为12.5，控制溶液温度为40℃，沉积电流为‑1～‑3mA/cm2，沉积时间为5～10min，ZnO薄膜上制备Cu2O薄膜作为i层；Cu(NO3)2和NH4NO3配成溶液，用NH4OH将溶液的pH值调整至为8～10，室温条件下在Cu2O薄膜上沉积CuO薄膜作为p层；采用蒸发法在p‑CuO薄膜和ITO上蒸镀方形结构In电极。本发明提高太阳能电池的光吸收率并有望提高光电转换效率。

公开(公告)号：CN111446328A

公开(公告)日：2020-07-24

申请号：CN202010162557.0

申请日：2020-03-10

Applicant: 辽宁工程技术大学

Inventor： 宋瑛 ,  王学雷 ,  杨建林 ,  孙霞

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0336 ,  H01L31/075

Abstract: 本发明公开了一种以氧化铜作为光吸收层的pin结构太阳能电池的制备方法，基于电化学沉积法，采用硝酸锌配成水溶液，pH值调整为4，控制溶液温度为60℃，沉积电压为-0.6～-1.3V，沉积时间为1～3min，经处理后的ITO上制备面积为1cm*1cm的ZnO薄膜作为n层；CuSO4水溶液加入乳酸，用KOH溶液调整溶液的pH值为12.5，控制溶液温度为40℃，沉积电流为-1～-3mA/cm2，沉积时间为5～10min，ZnO薄膜上制备面积为1cm*1cm的Cu2O薄膜作为i层；Cu(NO3)2和NH4NO3配成溶液，用NH4OH将溶液的pH值调整至为8～10，室温条件下在Cu2O薄膜上沉积面积为0.6cm*0.6cm的CuO薄膜作为p层；采用蒸发法在p-CuO薄膜和ITO上蒸镀1mm*1mm的方形结构In电极。本发明制备的pin异质结太阳能电池，提高太阳能电池的光吸收率并有望提高光电转换效率。