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公开(公告)号：CN106783942A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611077362.6
申请日：2016-11-30
Applicant: 辽宁大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/861
Abstract: 一种用于ESD保护的双向SCR结构，在P型衬底中间上部设有DNW阱；所述的DNW阱里形成PWell阱和NWell阱，PWell阱上设有第一P+注入区和第一N+注入区；所述的P型衬底的一侧上部设有第二P+注入区和第二N+注入区，另一侧上部设有第三P+注入区和第三N+注入区。本发明解决了现有技术中存在的实现双向ESD保护器件时，需要在一般的SCR器件的基础上，设置寄生二极管或者并联一个二极管来完成，并联一个二极管会增大版图面积的问题。双向SCR结构提供了一种工作状态稳定，使用性能好，且能够节省版图面积的ESD保护结构。
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公开(公告)号：CN104332976B
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201410663954.0
申请日：2014-11-20
Applicant: 辽宁大学
Abstract: 本发明公开了集成电路高压兼容静电放电的电源钳制电路，采用PMOS晶体管、NMOS晶体管、电阻与二极管相结合的设计电路，在能够有效的释放静电放电（ESD）电流的同时，避免了使用比较大的电阻和电容而带来的浪费芯片面积的问题。本发明通过使用薄栅低压NMOS晶体管作为电容器，代替了传统的电容器，大大减小了设计版面，节约了芯片面积，在电路中应用二极管，使电路适应2.5V的电源电压，保证薄栅低压NMOS晶体管作为电容器使用时充、放电通路顺畅，确保能够有效的泄放静电放电（ESD）电流。
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公开(公告)号：CN115201689A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202210859238.4
申请日：2022-07-21
Applicant: 辽宁大学
IPC: G01R31/367 , G01R31/387 , G06F17/12 , G06F17/16 , G06F30/367
Abstract: 一种基于初值补偿无迹卡尔曼滤波算法的锂离子电池自适应荷电估计方法，包括如下步骤：步骤1，选择等效电路模型；步骤2，采用增广向量法处理状态初始值、未知阶次以及未知参数，通过迭代法处理噪声，更新自适应分数阶无迹卡尔曼滤波算法；步骤3，根据所提带有初值补偿的无迹卡尔曼滤波算法对噪声的协方差矩阵进行自适应估计，进而估计锂离子电池的SOC值。本发明提供一种基于初值补偿的自适应分数阶无迹卡尔曼滤波器设计方法，该方法相比于未初值补偿、噪声协方差矩阵已知时的自适应分数阶无迹卡尔曼滤波算法，有效地提升了锂离子电池的SOC估计精度，提高了锂离子电池在不同工况下的SOC估计的自适应能力。
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公开(公告)号：CN106783943A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611077364.5
申请日：2016-11-30
Applicant: 辽宁大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/861
CPC classification number: H01L29/8611 , H01L29/0684
Abstract: 一种用于ESD保护的低压触发双向SCR器件，包括有P型衬底，其结构为：在P型衬底上设有NWell阱和PWell阱，PWell阱设置在中间,NWell阱设在PWell阱两侧；中间的PWell阱里形成有第三P+注入区；一侧的NWell阱里形成有第一N+注入区和第一P+注入区，另一侧的NWell阱里形成有第二N+注入区和第二P+注入区。通过以上结构，本发明能够在不使用额外器件的情况下，实现双向SCR的功能，解决了现有技术中存在的大版图面积的问题，且能够在不使用额外器件的情况下，实现双向SCR的功能，工作稳定,性能高，使用方便，且节约了版图面积。
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公开(公告)号：CN104332976A
公开(公告)日：2015-02-04
申请号：CN201410663954.0
申请日：2014-11-20
Applicant: 辽宁大学
Abstract: 本发明公开了集成电路高压兼容静电放电的电源钳制电路，采用PMOS晶体管、NMOS晶体管、电阻与二极管相结合的设计电路，在能够有效的释放静电放电（ESD）电流的同时，避免了使用比较大的电阻和电容而带来的浪费芯片面积的问题。本发明通过使用薄栅低压NMOS晶体管作为电容器，代替了传统的电容器，大大减小了设计版面，节约了芯片面积，在电路中应用二极管，使电路适应2.5V的电源电压，保证薄栅低压NMOS晶体管作为电容器使用时充、放电通路顺畅，确保能够有效的泄放静电放电（ESD）电流。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103178105A
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：CN201310123051.9
申请日：2013-04-10
Applicant: 辽宁大学
Abstract: 本发明创造涉及一种Native NMOS低压触发的用于ESD保护的SCR器件。采用的技术方案是：包括P型衬底，P型衬底上设置N阱，在N阱上设有第一P+注入区和第一N+注入区，第一N+注入区临近N阱和P型衬底的交界处；在P型衬底上设有第二P+注入区和第二N+注入区，第二P+注入区临近N阱和P型衬底的交界处；第一P+注入区接阳极，第二N+注入区接阴极；Native NMOS源接第一N+注入区，NativeNMOS漏接第二P+注入区，Native NMOS衬底接电路的Vss。本发明Native NMOS导通后，Native NMOS的导通电流充当SCR期间的触发电流，触发晶闸管SCR导通，晶闸管导通后，晶闸管电流导通大部分ESD电流，从而实现了ESD保护。
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公开(公告)号：CN115201689B
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202210859238.4
申请日：2022-07-21
Applicant: 辽宁大学
IPC: G01R31/367 , G01R31/387 , G06F17/12 , G06F17/16 , G06F30/367
Abstract: 一种基于初值补偿无迹卡尔曼滤波算法的锂离子电池自适应荷电估计方法，包括如下步骤：步骤1，选择等效电路模型；步骤2，采用增广向量法处理状态初始值、未知阶次以及未知参数，通过迭代法处理噪声，更新自适应分数阶无迹卡尔曼滤波算法；步骤3，根据所提带有初值补偿的无迹卡尔曼滤波算法对噪声的协方差矩阵进行自适应估计，进而估计锂离子电池的SOC值。本发明提供一种基于初值补偿的自适应分数阶无迹卡尔曼滤波器设计方法，该方法相比于未初值补偿、噪声协方差矩阵已知时的自适应分数阶无迹卡尔曼滤波算法，有效地提升了锂离子电池的SOC估计精度，提高了锂离子电池在不同工况下的SOC估计的自适应能力。
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公开(公告)号：CN109214609A
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201811358911.6
申请日：2018-11-15
Applicant: 辽宁大学
Abstract: 本发明提供了一种基于分数阶离散灰色模型的年用电量预测方法，包括以下步骤：采集年用电量的历史数据作为样本数据；对样本数据进行一次累加；建立分数阶离散GM(α,1)模型；利用最小二乘方法给出模型参数的计算方法；利用粒子群优化算法，给出模型的分数阶阶次的最优值。本发明可以更准确的实现对年用电量的预测，使得预测结果更接近实际。除此之外，本发明可根据实际情况进行参数调整和变换，以达到不同的预测目标，有很强的实用性。
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公开(公告)号：CN106783992A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611077368.3
申请日：2016-11-30
Applicant: 辽宁大学
Abstract: 一种NMOS低压触发的双向SCR结构，包括有P型衬底，其结构为：在P型衬底上形成PWell阱、NWell阱，其中PWell阱设在中间位置，PWell阱两侧形成NWell阱；一侧的NWell阱里形成第一N+注入区和第一P+注入区,另一侧的NWell阱里形成第二N+注入区和第二P+注入区；在中间的PWell阱与两侧的NWell阱交界处分别形成第三N+注入区或第四N+注入区。本发明能够在不使用额外器件的情况下，实现双向SCR的功能，解决了现有技术中存在的大版图面积的问题，且能够实现双向SCR的功能，工作稳定，性能高，使用方便，节约了版图面积。
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公开(公告)号：CN103094278B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201210523149.9
申请日：2012-12-09
Applicant: 辽宁大学
Abstract: 本发明涉及一种PMOS嵌入的低压触发用于ESD保护的SCR器件。采用的技术方案是：P型衬底上设N阱，在N阱上设有第一N+注入区和第一P+注入区，第一P+注入区临近N阱和P型衬底的交界处，第一N+注入区和第一P+注入区接阳极。在P型衬底上设第三N+注入区和第二P+注入区，第三N+注入区临近N阱和P型衬底的交界处，第三N+注入区和第二P+注入区接阴极。第二N+注入区跨接在N阱和P型衬底之间；第二N+注入区作为NMOS的漏，第三N+注入区作为NMOS的源。PMOS栅接阳极，漏接NMOS的栅，源接阳极，衬底接电路的Vdd。本发明采用新型技术减小了器件的ESD触发电压。
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