高活性多孔g-C3N4光催化剂及其制备方法与应用

    公开(公告)号:CN109317185A

    公开(公告)日:2019-02-12

    申请号:CN201811402344.X

    申请日:2018-11-23

    Applicant: 辽宁大学

    Abstract: 本发明提出了高活性多孔的g-C3N4光催化剂及其制备方法和应用。在磁力搅拌下,在三聚氰胺水溶液中,逐滴加入乙醛酸,将所得混合液放入烘箱中,在80-150℃条件下烘干,得前驱体;将前驱体研磨,在氮气的环境下进行煅烧,得中间产物;将中间产物在空气环境下进行煅烧,得目标产物高活性多孔的g-C3N4光催化剂。利用本发明的方法制备的高产率多孔的g-C3N4纳米材料,可以在可见光下有效的降低电子空穴对复合率,从而提高光催化活性,并且大大提高了g-C3N4的产率。

    硫掺杂石墨相氮化碳纳米片光催化剂及其制备方法与应用

    公开(公告)号:CN109364977A

    公开(公告)日:2019-02-22

    申请号:CN201811485049.5

    申请日:2018-12-06

    Applicant: 辽宁大学

    Abstract: 本发明公开了硫掺杂石墨相氮化碳纳米片光催化剂及其制备方法与应用,制备方法如下:1)将富氮有机物放入坩埚内在300-500℃进行高温煅烧处理并保持1-10h,冷却,得前驱体A;2)将含硫富氮有机物研磨溶于水中,加入草酸,充分搅拌后放入烘箱中60-120℃加热烘干,得前驱体B;3)将前驱体A和B混合后进行高温煅烧,得到产物为硫掺杂石墨相氮化碳纳米片光催化剂。本发明所述的硫掺杂石墨相氮化碳的纳米材料,能够提供更多的催化反应位点,同时构建出的硫掺杂结构可以捕获光生电子,有效使光生电子-空穴分离,降低复合率,提高光催化活性。本发明所述的光催化剂,在可见光照射下可以有效地降解有机污染物。

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