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公开(公告)号:CN117779100A
公开(公告)日:2024-03-29
申请号:CN202410002500.2
申请日:2024-01-02
Applicant: 辽宁大学
IPC: C25B11/091 , C25B1/04 , C25B11/053
Abstract: 本发明属于光电化学技术领域,具体涉及一种高性能复合催化剂异质结材料CuS/CuO/Cu2O光电阴极薄膜及其制备方法和应用。制备方法包括如下步骤:将铜箔浸于NaOH和过硫酸钾的混合溶液中,通过湿化学氧化法将前驱体CuOH2纳米线生长在铜箔上,取出铜箔,退火得到CuO/Cu2O纳米薄膜,然后制备Na2S乙醇溶液,用浸渍法在CuO/Cu2O纳米薄膜上负载CuS,最后制得CuS/CuO/Cu2O光电阴极薄膜。利用本发明的方法制备的CuS/CuO/Cu2O复合催化剂异质结薄膜,能够使得电子空穴对有效分离,降低电子空穴的复合率,进而可以有效的提高光电化学性能,达到高效分解水制氢的目的,在光电化学分解水方面具有很大的开发与应用前景。
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公开(公告)号:CN118880389A
公开(公告)日:2024-11-01
申请号:CN202410898785.2
申请日:2024-07-05
Applicant: 辽宁大学
IPC: C25B11/093 , C25B1/04 , C25B1/55
Abstract: 本发明涉及一种复合Ag助催化剂的高性能Ag/CuO光电极薄膜及其制备方法和应用,属于光电化学技术领域。制备方法包括如下步骤:将氢氧化钠和过硫酸钾分别溶于去离子水中,混合后将铜箔置入其中通过湿化学氧化法得到前驱体CuOH2纳米线,将CuOH2纳米线在空气中退火,得到CuO纳米薄膜。将CuO纳米薄膜置于磁控溅射机中使用银靶进行溅射处理,最终得到Ag/CuO光电极薄膜。利用本发明的方法制备的复合Ag助催化剂的高性能Ag/CuO光电极薄膜,能够使得电子空穴对有效分离,降低电子空穴的复合率,进而可以有效的提高光电化学性能,达到高效地分解水的目的。在光电化学分解水方面具有很大的开发与应用前景。
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公开(公告)号:CN118186439A
公开(公告)日:2024-06-14
申请号:CN202410427593.3
申请日:2024-04-10
Applicant: 辽宁大学
Abstract: 本发明涉及一种CuO/ZnO光阴极及其制备方法和应用,属于光电化学技术领域。制备方法包括如下步骤:将铜箔浸于NaOH和过硫酸钾的混合溶液中,通过湿化学氧化法将前驱体CuOH2纳米线生长在铜箔上。取出铜箔,退火得到CuO纳米薄膜。然后制备乙酸锌甲醇溶液,用浸渍法在CuO纳米薄膜上负载ZnO前驱体,热处理后最终制得CuO/ZnO异质结薄膜。利用本发明的方法制备的CuO/ZnO复合催化剂异质结薄膜,能够使得电子空穴对有效分离,降低电子空穴的复合率,进而可以有效的提高光电化学性能,达到高效地分解水的目的。在光电化学分解水方面具有很大的开发与应用前景。
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公开(公告)号:CN118957660A
公开(公告)日:2024-11-15
申请号:CN202411020026.2
申请日:2024-07-29
Applicant: 辽宁大学
IPC: C25B11/091 , C25B1/04 , C25B1/55 , C25B11/054
Abstract: 本发明涉及一种硫脲辅助负载铜电催化剂的高性能CuO光电阴极薄膜及其制备方法和应用,属于光电化学技术领域。制备方法包括如下步骤:将铜箔浸于NaOH和过硫酸钾的混合溶液中,通过湿化学氧化法将前驱体CuOH2纳米线生长在铜箔上,然后制备混有CuCl2和硫脲的乙二醇单甲醚溶液,用浸渍法在CuOH2纳米线薄膜上负载金属铜电催化剂前驱体,退火处理后最终制得硫脲辅助负载铜电催化剂的高性能CuO光电阴极薄膜(CuO/Cu光电阴极薄膜)。本发明制备的CuO/Cu光电阴极薄膜,能够使得电子空穴对有效分离,降低电子空穴的复合率,进而可以有效的提高光电化学性能,达到高效地分解水的目的。在光电化学分解水方面具有很大的开发与应用前景。
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公开(公告)号:CN117512668A
公开(公告)日:2024-02-06
申请号:CN202311531460.2
申请日:2023-11-16
Applicant: 辽宁大学
IPC: C25B11/091 , C25B11/067 , C25B1/04 , C25B1/55
Abstract: 本发明属于光电催化分解水技术领域,具体涉及一种CuO/g‑C3N4异质结构薄膜及其制备方法与应用。制备方法如下:将铜盐和钾盐分别溶于去离子水中,混合超声获得电沉积液;将FTO导电玻璃放入上述电沉积液中,通过三电极体系施加偏压,在导电玻璃FTO上生长铜薄膜;将铜光电极薄膜放入烘箱烘干并在空气下进行煅烧,得到CuO光电极薄膜;将富氮前驱体铺于方舟底,将CuO光电极薄膜放入封闭方舟中进行煅烧获得目标产物CuO/g‑C3N4异质结构光电极薄膜;利用本发明的方法制备的CuO/g‑C3N4光电极薄膜,能够有效的提高CuO的光电化学性能及作为光电阴极分解水制氢能力。
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