公开(公告)号：CN116752182A

公开(公告)日：2023-09-15

申请号：CN202310723211.7

申请日：2023-06-19

Applicant: 辽宁大学

Inventor： 马天翼 ,  代欣宇 ,  孙颖 ,  邱介山 ,  王宇 ,  刘畅 ,  赵钦

IPC: C25B11/091 ,  C25B1/27

Abstract: 本发明公开一种富含Sn空位的MXene/MAX异质结电催化材料的制备方法及其应用。制备方法如下，将Ti2SnC粉末在适量的HF溶液中进行化学刻蚀，并持续搅拌一定时间，使用蒸馏水洗涤，最后放入真空干燥箱中进行干燥得到一种富含Sn空位的MXene/MAX异质结材料Ti2CTX/Ti2SnC‑V。本发明通过控制刻蚀条件，首次制备出了一种导电性好，比表面积大的Ti2CTX/Ti2SnC‑V二维层状电催化剂材料。将该催化剂滴涂在碳布上作为工作电极，用于电催化产氨，获得优异的氨产量和法拉第效率。该材料制备方法简单，成本较低，重复性好，在电催化氮还原产氨等领域有广阔的应用前景。

公开(公告)号：CN116217231A

公开(公告)日：2023-06-06

申请号：CN202310073050.1

申请日：2023-01-30

Applicant: 辽宁大学

Inventor： 马天翼 ,  代欣宇 ,  孙颖 ,  张薇 ,  孙晓东 ,  赵钦 ,  黄子航 ,  于佳艺

IPC: C04B35/56 ,  C04B35/626 ,  C04B35/64

Abstract: 本发明公开一种高纯度Ti2SnC粉末状陶瓷材料的制备方法。将Ti粉、Sn粉和C粉，通过球磨得到混合均匀的粉末；混合均匀的粉末放入安瓿瓶中；将安瓿瓶放入马弗炉中，在1000℃～1100℃下反应；将反应后的材料冷却至室温后，用稀盐酸洗涤多次，然后放入真空干燥箱中进行干燥。本发明制备的Ti2SnC陶瓷材料纯度高，无TiC以及Ti2C杂质存在，制备过程和使用反应装置简单，能耗低，适合实验室使用，满足实验纯度要求。