公开(公告)号：CN112242311B

公开(公告)日：2024-08-30

申请号：CN201910941374.6

申请日：2019-09-30

Applicant: 财团法人交大思源基金会

Inventor： 陈智 ,  谢凯程 ,  庄敬业

IPC: H01L21/603 ,  H01L23/532

Abstract: 一种具有纳米双晶铜的电连接结构及其形成方法。此方法包含：(i)形成第一纳米双晶铜层，第一纳米双晶铜层包含多个第一纳米双晶铜晶粒；(ii)形成第二纳米双晶铜层，第二纳米双晶铜层包含多个第二纳米双晶铜晶粒；以及(iii)接合第一纳米双晶铜层的表面与第二纳米双晶铜层的表面，使至少部分的第一纳米双晶铜晶粒成长至第二纳米双晶铜层中，或者至少部分的第二纳米双晶铜晶粒成长至第一纳米双晶铜层中。在此亦揭露一种纳米双晶铜的电连接结构。因为一侧的纳米双晶铜晶粒成长至相对侧的纳米双晶铜晶粒，并且发生合并或同化的现象，让所形成的连接结构能够具有更好的机械强度、导电性、稳定性及可靠度。

公开(公告)号：CN112242311A

公开(公告)日：2021-01-19

申请号：CN201910941374.6

申请日：2019-09-30

Applicant: 财团法人交大思源基金会

Inventor： 陈智 ,  谢凯程 ,  庄敬业

IPC: H01L21/603 ,  H01L23/532

Abstract: 一种具有纳米双晶铜的电连接结构及其形成方法。此方法包含：(i)形成第一纳米双晶铜层，第一纳米双晶铜层包含多个第一纳米双晶铜晶粒；(ii)形成第二纳米双晶铜层，第二纳米双晶铜层包含多个第二纳米双晶铜晶粒；以及(iii)接合第一纳米双晶铜层的表面与第二纳米双晶铜层的表面，使至少部分的第一纳米双晶铜晶粒成长至第二纳米双晶铜层中，或者至少部分的第二纳米双晶铜晶粒成长至第一纳米双晶铜层中。在此亦揭露一种纳米双晶铜的电连接结构。因为一侧的纳米双晶铜晶粒成长至相对侧的纳米双晶铜晶粒，并且发生合并或同化的现象，让所形成的连接结构能够具有更好的机械强度、导电性、稳定性及可靠度。