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公开(公告)号：CN107978684A
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：CN201711005583.7
申请日：2017-10-24
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司 , 三星SDI株式会社
Inventor： 朱莉恩·弗雷 , 多玛果伊·帕维奇科 , 卡斯滕·罗特 , 沃洛季米尔·森科维斯基 , 弗朗索瓦·卡尔迪纳利 , 金亨宣 , 金炳求
CPC classification number: H01L51/0067 , C07D221/18 , C07D251/24 , C07D401/10 , C07D495/04 , H01L51/0052 , H01L51/0054 , H01L51/0071 , H01L51/0072 , H01L51/0077 , H01L51/5012 , H01L51/5016 , H01L51/5076 , H01L51/508 , H01L51/56 , H01L51/0062
Abstract: 本发明涉及用于有机发光二极管的电子传输层叠层。具体地，本发明涉及一种有机发光二极管(OLED)，其制造方法和包含所述OLED的装置，所述有机发光二极管(OLED)包括至少两个电子传输层的ETL叠层，其中第一电子传输层包含电荷传输化合物且第二电子传输层包含吖啶化合物和碱金属盐和/或碱金属有机络合物。
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公开(公告)号：CN107978683A
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：CN201711002821.9
申请日：2017-10-24
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司 , 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01L51/0067 , C07D221/18 , C07D239/70 , C07D251/24 , C07D495/04 , H01L51/0071 , H01L51/0072 , H01L51/5076 , H01L51/508 , H01L51/5092 , H01L2251/554 , H01L51/0032 , H01L51/506
Abstract: 本发明涉及包含n型电掺杂剂和电子传输基质的有机半导体材料以及包含该半导体材料的电子器件。具体地，本发明涉及有机半导体材料以及包含所述半导体材料的电子器件，特别涉及电致发光器件，特别是有机发光二极管(OLED)，其中所述半导体材料包含第一电子传输基质化合物和n型电掺杂剂；本发明还涉及包含所述电器件和/或电致发光器件的器件，特别涉及显示器件，特别涉及包含所述OLED的显示器件。
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公开(公告)号：CN111630050B
公开(公告)日：2023-12-19
申请号：CN201880086915.5
申请日：2018-12-18
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司 , 三星SDI株式会社
IPC: C07D405/04 , C07D409/04
Abstract: 本发明涉及适合用作电子器件的层材料的式1的三嗪化合物，并且涉及包含至少一种式1的化合物的有机半导体层，以及涉及包含至少一个有机半导体层的有机电子器件，及其制造方法。
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公开(公告)号：CN107978683B
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN201711002821.9
申请日：2017-10-24
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司 , 三星SDI株式会社
Abstract: 本发明涉及包含n型电掺杂剂和电子传输基质的有机半导体材料以及包含该半导体材料的电子器件。具体地，本发明涉及有机半导体材料以及包含所述半导体材料的电子器件，特别涉及电致发光器件，特别是有机发光二极管(OLED)，其中所述半导体材料包含第一电子传输基质化合物和n型电掺杂剂；本发明还涉及包含所述电器件和/或电致发光器件的器件，特别涉及显示器件，特别涉及包含所述OLED的显示器件。
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公开(公告)号：CN107978685A
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：CN201711038165.8
申请日：2017-10-24
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司 , 三星SDI株式会社
IPC: H01L51/50
CPC classification number: H01L51/5076 , C07D221/18 , C07D239/70 , C07D251/24 , C07D495/04 , H01L51/0054 , H01L51/0061 , H01L51/0067 , H01L51/0071 , H01L51/0072 , H01L51/0073 , H01L51/5012 , H01L51/508 , H01L2251/301 , H01L2251/533 , H01L2251/554
Abstract: 本发明涉及包括氧化还原掺杂的电子传输层和辅助电子传输层的有机电致发光器件。具体地，本发明涉及有机电致发光器件，特别地涉及包括至少两个电子传输层的ETL堆叠体的有机发光二极管(OLED)，其中第一电子传输层包含第一电子传输基质化合物并且第二电子传输层包含第二电子传输基质化合物和氧化还原n型掺杂剂；以及涉及包括所述OLED的装置。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110167925B
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN201780065278.9
申请日：2017-10-18
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司 , 三星SDI株式会社
IPC: C07D401/14 , C07D219/02 , H01L51/00
Abstract: 本发明涉及一种吖啶衍生物的化合物，以及包含所述吖啶衍生物的有机半导体材料、有机半导体层、电子器件，包含含有所述吖啶衍生物的有机发光二极管的装置、其显示装置及其制造方法。(I)其中L选自苯亚基、萘亚基和联苯亚基；R1、R2、R3、R4和R5独立地选自未取代或取代的C6至C18芳基和未取代或取代的吡啶基；并且所述取代基选自氘、C1至C12烷基和C1至C12烷氧基；a、b、c、d和e独立地选自0或1，并且2≤a+b+c+d+e≤5。
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公开(公告)号：CN111630050A
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN201880086915.5
申请日：2018-12-18
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司 , 三星SDI株式会社
IPC: C07D405/04 , C07D409/04
Abstract: 本发明涉及适合用作电子器件的层材料的式1的三嗪化合物，并且涉及包含至少一种式1的化合物的有机半导体层，以及涉及包含至少一个有机半导体层的有机电子器件，及其制造方法。
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公开(公告)号：CN113508113B
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202080011511.7
申请日：2020-01-30
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司 , 三星SDI株式会社
Inventor： 伊莱纳·加兰 , 本杰明·舒尔策 , 弗朗索瓦·卡尔迪纳利 , 金亨宣 , 李承宰
IPC: C07D405/14 , C07D403/14 , C07D409/14 , C07D493/04 , H10K85/60 , H10K50/16
Abstract: 本发明涉及一种组合物，特别涉及一种包含组合物的有机半导体层，其适合用作用于电子器件的有机半导体层，以及其制造方法，其中所述组合物包含：a)式1的化合物；和b)至少一种有机金属络合物，其中所述有机金属络合物的金属选自以下：碱金属、碱土金属或稀土金属。#imgabs0#
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公开(公告)号：CN107978684B
公开(公告)日：2022-08-23
申请号：CN201711005583.7
申请日：2017-10-24
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司 , 三星SDI株式会社
Inventor： 朱莉恩·弗雷 , 多玛果伊·帕维奇科 , 卡斯滕·罗特 , 沃洛季米尔·森科维斯基 , 弗朗索瓦·卡尔迪纳利 , 金亨宣 , 金炳求
Abstract: 本发明涉及用于有机发光二极管的电子传输层叠层。具体地，本发明涉及一种有机发光二极管(OLED)，其制造方法和包含所述OLED的装置，所述有机发光二极管(OLED)包括至少两个电子传输层的ETL叠层，其中第一电子传输层包含电荷传输化合物且第二电子传输层包含吖啶化合物和碱金属盐和/或碱金属有机络合物。
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公开(公告)号：CN107978685B
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN201711038165.8
申请日：2017-10-24
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司 , 三星SDI株式会社
IPC: H01L51/50
Abstract: 本发明涉及包括氧化还原掺杂的电子传输层和辅助电子传输层的有机电致发光器件。具体地，本发明涉及有机电致发光器件，特别地涉及包括至少两个电子传输层的ETL堆叠体的有机发光二极管(OLED)，其中第一电子传输层包含第一电子传输基质化合物并且第二电子传输层包含第二电子传输基质化合物和氧化还原n型掺杂剂；以及涉及包括所述OLED的装置。
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