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公开(公告)号：CN104488052A
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：CN201380019788.4
申请日：2013-01-28
Applicant: 诺基亚公司
CPC classification number: H01G9/10 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , H01G11/80 , H01M2/0207 , H01M2/026 , H01M2/0275 , H01M2/0277 , H01M2/028 , H01M2/162 , H01M2/1626 , H01M4/0404 , H01M4/0426 , H01M4/0428 , H01M4/133 , H01M4/1393 , H01M4/587 , H01M4/66 , H01M4/661 , H01M4/663 , H01M4/668 , H01M6/06 , H01M10/0436 , H01M10/0525 , H01M10/0585 , H01M12/005 , H01M2220/30 , H05K1/0283 , H05K2201/10037 , Y02E60/13 , Y10T29/4911
Abstract: 一种装置包括至少一个衬底(722、723)，至少一个衬底(722、723)包括第一电极(702)和第二电极(703)，并且被配置为形成使第一电极和第二电极(702、703)被包含在其中并且彼此面对的密封腔室，密封腔室包括在第一电极和第二电极(702、703)之间的空间中的电解质(701)，其中至少一个衬底(722、723)被配置为经受可逆伸展而仍然形成包含电解质(701)的密封腔室。
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公开(公告)号：CN104591081A
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201410816641.4
申请日：2010-06-29
Applicant: 诺基亚公司
IPC: B82B3/00 , H01M10/0525
CPC classification number: C30B29/06 , C30B29/60 , C30B29/62 , H01M4/134 , H01M4/1395 , H01M10/052
Abstract: 本公开提供了用于创建纳米线的方法和装置。所述方法包括：a)在包括硅的基底上沉积掩蔽材料；b)通过使用第一过程去除掩蔽材料，相比于硅第一过程优先去除掩蔽材料，并且被配置用于部分地去除掩蔽材料；c)通过使用第二过程去除硅，相比于掩蔽材料第二过程优先去除硅；d)重复步骤序列a)、b)和c)，直到对步骤序列a)、b)和c)的重复被停止为止，其中对步骤序列a)、b)和c)的重复创建纳米线，并且其中纳米线是通过进一步蚀刻已经通过步骤c)蚀刻在基底中的凹槽的底部来创建的，并且纳米线的顶部处于在基底的顶部之下的表面。
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公开(公告)号：CN104471754A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201380038087.5
申请日：2013-04-15
Applicant: 诺基亚公司
CPC classification number: H01G11/26 , B44C1/22 , B82Y30/00 , H01G9/035 , H01G9/042 , H01G9/048 , H01G11/28 , H01G11/30 , H01G11/36 , H01G11/46 , H01G11/82 , H01G11/86 , H01M2/00 , H01M4/133 , H01M4/64 , H01M4/661 , H01M4/667 , H01M4/668 , H01M10/02 , H01M10/052 , H01M10/0525 , H01M2220/30 , Y02E60/13 , Y10T156/10
Abstract: 一种电极，该电极(304)包括：导电层(305)，其配置成在使用时充当电荷收集器，以通过导电层为所产生和/或存储的电荷提供电路径；阻挡层(321)，其配置成覆盖所述导电层(305)的表面的一部分，使得当电极(304)与电解质接触时，阻止电解质实质接触并腐蚀被覆盖部分处的导电层(305)；以及配置成用于产生和/或存储电荷的活性电极元件(307)，该活性电极元件(307)与导电层(305)电接触地布置在非覆盖部分中，以便阻止电解质实质接触并腐蚀非覆盖部分中的导电层(305)，并且以便也被暴露于所述电解质以允许产生和/或存储电荷以及向导电层(305)提供所产生/存储的电荷。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102449715B
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201080023274.2
申请日：2010-05-11
Applicant: 诺基亚公司
Abstract: 一种电能存储器件结构包括第一导电片、第二导电片和放置于第一导电片与第二导电片之间的电解质片。在该器件中，第一导电片和第二导电片中的至少一个导电片包括碳纳米粒子层。碳纳米粒子层被布置成与电介质片相邻。碳纳米粒子可以包括高纵横比碳纳米粒子和低纵横比碳纳米粒子。该器件为柔性并且至少部分透明。
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公开(公告)号：CN103907406A
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201280052339.5
申请日：2012-09-06
Applicant: 诺基亚公司
Inventor： P·希拉拉尔
CPC classification number: H01G11/84 , H01G11/08 , H01G11/14 , H01M10/04 , H05K1/145 , H05K1/162 , H05K3/0097 , H05K3/361 , H05K3/368 , H05K3/4697 , H05K2201/09909 , H05K2201/10037 , H05K2203/1147 , Y02E60/13 , Y10T29/49126
Abstract: 在本发明所描述的一个或多个示例中，提供了一种装置，其包括：在其上具有相应电极的第一和第二电路板(230a,230b)，该第一和第二电路板(230a,230b)处于结合配置；被定位为接近电极中的一个或多个电极的一个或多个第一层(310a,310b)；接近相应电极的电解质(345)；以及一个或多个第二层(320a,320b)。第二层(320a,320b)被配置为提供所述结合配置，第一和第二电路板(230a,230b)在固化时以该结合配置被结合在一起，使得相应的一个或多个第一层(310a,310b)被定位在一个或多个第二层(320a,320b)和电极之间。该结合在第二层(320a,320b)和电极之间定义了腔室，其中电极处于腔室中并彼此相对，并且该腔室包括电解质(345)。此外，一个或多个第一层(310a,310b)被配置为在固化期间禁止电解质(345)与一个或多个第二层(320a,320b)的交互。
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公开(公告)号：CN102461202A
公开(公告)日：2012-05-16
申请号：CN201080028963.2
申请日：2010-05-17
Applicant: 诺基亚公司
CPC classification number: H04R1/22 , H04R1/2803 , H04R1/288 , H04R9/06
Abstract: 一种装置和提供装置的方法，该装置包括：扬声器(5)，被配置为将电输入信号转换成声音输出信号；以及碳纳米角材料(13)，其中所述碳纳米角材料(13)被安置为暴露于所述声音输出信号。
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公开(公告)号：CN102449715A
公开(公告)日：2012-05-09
申请号：CN201080023274.2
申请日：2010-05-11
Applicant: 诺基亚公司
Abstract: 一种电能存储器件结构包括第一导电片、第二导电片和放置于第一导电片与第二导电片之间的电解质片。在该器件中，第一导电片和第二导电片中的至少一个导电片包括碳纳米粒子层。碳纳米粒子层被布置成与电介质片相邻。碳纳米粒子可以包括高纵横比碳纳米粒子和低纵横比碳纳米粒子。该器件为柔性并且至少部分透明。
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公开(公告)号：CN101935016A
公开(公告)日：2011-01-05
申请号：CN201010218079.7
申请日：2010-06-29
Applicant: 诺基亚公司
IPC: B82B3/00 , H01M10/0525
CPC classification number: C30B29/06 , C30B29/60 , C30B29/62 , H01M4/134 , H01M4/1395 , H01M10/052
Abstract: 本发明提供用于创建纳米线的方法和装置，包括：a)在包括硅的基底上沉积掩蔽材料；b)通过使用第一过程去除所述掩蔽材料，相比于硅所述第一过程优先去除所述掩蔽材料；c)通过使用第二过程去除硅，相比于掩蔽材料所述第二过程优先去除硅；d)连续重复步骤序列a)、b)和c)，以控制对纳米线的创建；以及e)停止对步骤序列a)、b)和c)的重复。
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