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公开(公告)号：CN110660915B
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN201810684417.2
申请日：2018-06-28
Applicant: 许昌学院
Abstract: 本发明涉及室温原位控制合成碘铋铜薄膜的方法及由其组装的光电转换器件，室温原位控制合成碘铋铜的方法，将具有纳米金属铜单质和铋单质薄膜的基底材料或具有纳米金属铋铜合金薄膜的基底材料置于盛有单质碘的密闭容器内，在氮气氛围、密封条件下原位、20℃～35℃反应制得碘铋铜半导体薄膜。室温原位控制合成的碘铋铜组装的光电转换器件，包括基底层、CuBiI4：Spiro‑OMeTAD共混层和位于共混层上的金属电极层。本发明简单、快捷、温和、绿色，进而与p型有机半导体Spiro‑OMeTAD复合，最终组装成太阳能电池器件。电池结构简单，只有两层电极和一层CuBiI4：Spiro‑OMeTAD共混层，成本低。
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公开(公告)号：CN110660915A
公开(公告)日：2020-01-07
申请号：CN201810684417.2
申请日：2018-06-28
Applicant: 许昌学院
Abstract: 本发明涉及室温原位控制合成碘铋铜薄膜的方法及由其组装的光电转换器件，室温原位控制合成碘铋铜的方法，将具有纳米金属铜单质和铋单质薄膜的基底材料或具有纳米金属铋铜合金薄膜的基底材料置于盛有单质碘的密闭容器内，在氮气氛围、密封条件下原位、20℃～35℃反应制得碘铋铜半导体薄膜。室温原位控制合成的碘铋铜组装的光电转换器件，包括基底层、CuBiI4：Spiro-OMeTAD共混层和位于共混层上的金属电极层。本发明简单、快捷、温和、绿色，进而与p型有机半导体Spiro-OMeTAD复合，最终组装成太阳能电池器件。电池结构简单，只有两层电极和一层CuBiI4：Spiro-OMeTAD共混层，成本低。
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公开(公告)号：CN106848062B
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201611249908.1
申请日：2016-12-29
Applicant: 许昌学院
Abstract: 本发明涉及铜掺杂钙钛矿薄膜、原位制备方法及无空穴传输层太阳能电池器件。本发明提供铜掺杂钙钛矿薄膜，铜原位掺杂在钙钛矿晶格中，且铜铅含量比由铜掺杂钙钛矿薄膜表面到底部逐渐降低。其原位制备方法包括以下步骤：(1)沉积铜薄膜：先在基底材料上沉积一层铜薄膜；(2)制备碘化亚铜：将沉积好的铜薄膜在密闭容器中与碘反应，得到碘化亚铜薄膜；(3)制备钙钛矿：在得到的碘化亚铜薄膜上原位旋涂制备钙钛矿并通过退火处理原位制得。本发明提供的太阳能电池无需空穴传输层，成本低，光电转换效率高。
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公开(公告)号：CN106848061A
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201611247029.5
申请日：2016-12-29
Applicant: 许昌学院
Abstract: 本发明涉及一种碘化银量子点：钙钛矿共混层、原位制备方法及无空穴传输层太阳能电池器件。碘化银量子点：钙钛矿共混层，其特征在于：AgI以量子点形式分布在碘化银量子点：钙钛矿共混层中。其原位制备方法包括以下步骤：沉积银薄膜；制备碘化银：将碘与沉积好的银薄膜反应，原位制备碘化银薄膜；制备钙钛矿：在得到的碘化银薄膜上原位旋涂制备钙钛矿薄膜并通过退火处理得到碘化银量子点：钙钛矿共混层。本发明提供的钙钛矿材料即碘化银量子点：钙钛矿共混层中AgI起到了空穴传输和电子阻挡的作用，由此组装的太阳能电池器件不用单独设置空穴传输层，能有效降低成本和能耗，由其组装的太阳能电池器件的光电转换效率最高可达11.37％。
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公开(公告)号：CN110660914B
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN201810684416.8
申请日：2018-06-28
Applicant: 许昌学院
Abstract: 本发明涉及一种低温原位控制合成碘铋铜三元化合物半导体光电薄膜材料的化学方法。该方法为：将具有金属单质铜和金属单质铋薄膜的基底材料，或者具有铋铜合金薄膜的基底材料，置于盛有单质碘的反应釜内，在惰性气氛、密封条件下，80～150℃原位反应制得碘铋铜三元化合物薄膜材料。该方法通过简单的气固反应原位、低温即可制备碘铋铜三元化合物半导体薄膜材料，反应条件温和，工艺简单。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109065738B
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN201810916176.X
申请日：2018-08-13
Applicant: 许昌学院
Abstract: 本发明属于材料化学技术领域，涉及一种原位合成高结晶度铜掺杂钙钛矿薄膜的方法。该方法为：在干净的基底表面形成一层铜铅合金的薄膜，在薄膜表面原位旋涂碘化钾胺溶液一步反应即可获得高结晶度的铜掺杂钙钛矿薄膜材料。该方法采用一步旋涂，室温条件下即可制备高结晶度的铜掺杂钙钛矿CH3NH3PbI3薄膜，操作简单、反应迅速，能耗少，制备的钙钛矿薄膜结晶性好，晶体颗粒缺陷少，成膜质量高。
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公开(公告)号：CN106848061B
公开(公告)日：2020-06-05
申请号：CN201611247029.5
申请日：2016-12-29
Applicant: 许昌学院
Abstract: 本发明涉及一种碘化银量子点：钙钛矿共混层、原位制备方法及无空穴传输层太阳能电池器件。碘化银量子点：钙钛矿共混层，其特征在于：AgI以量子点形式分布在碘化银量子点：钙钛矿共混层中。其原位制备方法包括以下步骤：沉积银薄膜；制备碘化银：将碘与沉积好的银薄膜反应，原位制备碘化银薄膜；制备钙钛矿：在得到的碘化银薄膜上原位旋涂制备钙钛矿薄膜并通过退火处理得到碘化银量子点：钙钛矿共混层。本发明提供的钙钛矿材料即碘化银量子点：钙钛矿共混层中AgI起到了空穴传输和电子阻挡的作用，由此组装的太阳能电池器件不用单独设置空穴传输层，能有效降低成本和能耗，由其组装的太阳能电池器件的光电转换效率最高可达11.37％。
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公开(公告)号：CN115285946B
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202111074461.X
申请日：2021-09-14
Applicant: 许昌学院
IPC: C01B19/04 , H10N10/852
Abstract: 本发明涉及具有(201)优势晶面取向的超高性能柔性硒化银薄膜及发电器件。其为柔性薄膜，柔性基底上生长有(201)晶面为优势生长晶面、柱状晶体贯穿的Ag2Se。本发明首次通过室温硒化反应，快速可控制备了具有(201)优势晶面取向、结晶性优良的均匀硒化银薄膜，其薄膜功率因子、热电优值可分别达到2590μW m‑1K‑2和1.2的超高值，并首次以此薄膜直接作为热电臂组装了系列柔性薄膜热电发电器件，室温工作条件下器件功率密度达到27.6±1.95W·m‑2(30K温差)和124±8.78W·m‑2(60K温差)的超高性能，具有广阔的商业化应用前景。
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公开(公告)号：CN110660914A
公开(公告)日：2020-01-07
申请号：CN201810684416.8
申请日：2018-06-28
Applicant: 许昌学院
Abstract: 本发明涉及一种低温原位控制合成碘铋铜三元化合物半导体光电薄膜材料的化学方法。该方法为：将具有金属单质铜和金属单质铋薄膜的基底材料，或者具有铋铜合金薄膜的基底材料，置于盛有单质碘的反应釜内，在惰性气氛、密封条件下，80～150℃原位反应制得碘铋铜三元化合物薄膜材料。该方法通过简单的气固反应原位、低温即可制备碘铋铜三元化合物半导体薄膜材料，反应条件温和，工艺简单。
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公开(公告)号：CN109065738A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201810916176.X
申请日：2018-08-13
Applicant: 许昌学院
CPC classification number: H01L51/0003 , H01L51/0077
Abstract: 本发明属于材料化学技术领域，涉及一种基于铜铅合金合成高结晶度的铜掺杂钙钛矿CH3NH3PbI3薄膜的化学方法。该方法为：在干净的基底表面形成一层铜铅合金的薄膜，在薄膜表面原位旋涂碘化钾胺溶液一步反应即可获得高结晶度的铜掺杂钙钛矿薄膜材料。该方法采用一步旋涂，室温条件下即可制备高结晶度的铜掺杂钙钛矿CH3NH3PbI3薄膜，操作简单、反应迅速，能耗少，制备的钙钛矿薄膜结晶性好，晶体颗粒缺陷少，成膜质量高。
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