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公开(公告)号:CN105977334B
公开(公告)日:2017-06-06
申请号:CN201610527980.X
申请日:2016-07-07
Applicant: 许昌学院
IPC: H01L31/072 , H01L31/032 , H01L31/18 , C23C14/35 , C23C14/18 , C23C14/58
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 本发明公开了一种二硫化锡/三硫化二锡/硫化亚锡异质结薄膜的制备方法,先用磁控溅射仪在FTO导电玻璃上溅射不同厚度的Sn,称取不同量的硫粉,在管式炉中硫化得到SnS2,用无水乙醇、蒸馏水各洗涤3次,真空干燥。再用磁控溅射仪上在SnS2导电玻璃上溅射Sn,放在管式炉中真空烧结,得到目标产物。本法用磁控溅射的方法得到致密的Sn,在真空下烧结通过固相反应得到目标产物。本方法操作简单,对环境无污染,反应周期短,形成致密的薄膜。
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公开(公告)号:CN105977334A
公开(公告)日:2016-09-28
申请号:CN201610527980.X
申请日:2016-07-07
Applicant: 许昌学院
IPC: H01L31/072 , H01L31/032 , H01L31/18 , C23C14/35 , C23C14/18 , C23C14/58
CPC classification number: Y02E10/50 , H01L31/072 , C23C14/18 , C23C14/35 , C23C14/5866 , H01L31/0324 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种二硫化锡/三硫化二锡/硫化亚锡异质结薄膜的制备方法,先用磁控溅射仪在FTO导电玻璃上溅射不同厚度的Sn,称取不同量的硫粉,在管式炉中硫化得到SnS2,用无水乙醇、蒸馏水各洗涤3次,真空干燥。再用磁控溅射仪上在SnS2导电玻璃上溅射Sn,放在管式炉中真空烧结,得到目标产物。本法用磁控溅射的方法得到致密的Sn,在真空下烧结通过固相反应得到目标产物。本方法操作简单,对环境无污染,反应周期短,形成致密的薄膜。
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