公开(公告)号：CN114875390A

公开(公告)日：2022-08-09

申请号：CN202210486755.1

申请日：2022-05-06

Applicant: 许昌学院

Inventor： 张羽翔 ,  姚川 ,  张艳鸽 ,  于东亮 ,  王松涛 ,  张时星 ,  秦娜 ,  郭鑫 ,  瞿轩轩 ,  王潚君 ,  李雪仃 ,  董颂扬

IPC: C23C16/515 ,  C23C16/30 ,  C23C16/455

Abstract: 本发明提供一种原子层沉积技术生长SnSx薄膜的方法，属于纳米材料制备技术领域。包括以下步骤：将衬底置于反应腔中，在真空条件下，以脉冲形式向反应腔中通入气相Sn源进行沉积，得到沉积有Sn源的衬底，所述Sn源为Sn(acac)2；(2)向体系中充入惰性气体进行吹扫；(3)将硫醇作为硫源以脉冲形式通入反应腔，与沉积在衬底上的Sn源进行反应，得到纳米SnSx薄膜；(4)向体系中充入惰性气体吹扫，完成一个ALD循环，将上述循环过程重复多次，即可得到一定厚度的SnSx薄膜。本发明可以在衬底上沉积形成保型性较好的含SnSx沉积层。