-
公开(公告)号：CN102097101A
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN201010585835.X
申请日：2010-12-08
Applicant: 西部数据(弗里蒙特)公司
IPC: G11B5/37
CPC classification number: G01R33/098 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , G11B5/3909 , G11B2005/3996 , Y10T29/49032 , Y10T428/1121
Abstract: 本发明提供用于提供具有改进的读取传感器的磁式变换器的方法和系统。描述一种用于提供磁式变换器中的磁结构的方法和系统。该方法和系统包括提供钉扎层、与钉扎层相邻的合成反铁磁介质(SAF)、非磁性层和传感器层。SAF位于非磁性层与钉扎层之间。非磁性层位于SAF层与传感器层之间。SAF包括被钉扎层、参考层和在被钉扎层与参考层之间的非磁性分隔层。被钉扎层被磁性耦合于参考层并且包括多个子层。第一子层具有第一截止温度分布(TBD)和第一交换能量。第二子层具有第二TBD和第二交换能量。第一子层在钉扎层与第二子层之间。第一TBD大于第二TBD。第一交换能量小于第二交换能量。
-
公开(公告)号：CN103854668B
公开(公告)日：2018-04-27
申请号：CN201310629032.3
申请日：2013-11-29
Applicant: 西部数据(弗里蒙特)公司
CPC classification number: G11B5/3906 , B82Y10/00 , G11B5/3909 , G11B2005/3996 , Y10T29/49032 , Y10T29/49034 , Y10T428/1114 , Y10T428/1121
Abstract: 本发明公开一种包括磁阻传感器的磁性读取换能器及其制造方法。该磁阻传感器包括覆盖自由层的盖帽层。盖帽层被设置成具有第一厚度以从自由层吸收硼。对磁阻传感器进行退火，并且硼从自由层中扩散并被盖帽层吸收，由此提高自由层的磁性能。然后，将盖帽层厚度减小到第二厚度，从而减小磁阻传感器的屏蔽到屏蔽（SS）堆栈间隔并允许增大磁录记录密度。
-
公开(公告)号：CN103296199B
公开(公告)日：2017-11-24
申请号：CN201310054860.9
申请日：2013-02-20
Applicant: 西部数据(弗里蒙特)公司
CPC classification number: H01L43/12 , G01R33/093 , G01R33/098 , G11B5/3163 , G11B5/3909 , H01F10/3259 , H01F10/3272 , H01F41/307
Abstract: 本发明描述了新颖的隧道磁阻（TMR）沉积过程，该过程可增强TMR读取器的信噪比（SNR）。制造隧道磁阻传感器的方法包括：提供衬底；在衬底上形成磁性隧道结（MTJ）的第一部分；在衬底上形成MTJ的第二部分；在第一部分和第二部分之间形成MTJ结构的隧道势垒层；在形成隧道势垒层之前或者在形成隧道势垒层的至少一部分之后，加热MTJ结构的第一部分；以及冷却隧道势垒层。
-
公开(公告)号：CN105489229A
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201510640808.0
申请日：2015-09-30
Applicant: 西部数据(弗里蒙特)公司
CPC classification number: G11B5/3909 , G11B5/3932 , G11B5/3954 , G11B5/398
Abstract: 一种磁传感器包括不被磁性地钉扎的第一铁磁自由层和第二铁磁自由层以及布置在其之间的一个非磁间隔层。该第一铁磁自由层包含第一多个铁磁子层，所述第一多个铁磁子层包括与该非磁间隔层相接触的第一钴铁子层的以及与该非磁间隔层不接触的第一非晶钴硼子层。该第二铁磁自由层包含第二多个铁磁子层，所述第二多个铁磁子层包括与该非磁间隔层相接触的第二钴铁子层以及与该非磁间隔层不接触的第二非晶钴硼子层。该第一钴铁子层和第二钴铁子层中的每一个具有组成Co(100-x)Fe(x)，其中x在10到90原子百分比的范围内。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102097101B
公开(公告)日：2014-08-13
申请号：CN201010585835.X
申请日：2010-12-08
Applicant: 西部数据(弗里蒙特)公司
IPC: G11B5/37
CPC classification number: G01R33/098 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , G11B5/3909 , G11B2005/3996 , Y10T29/49032 , Y10T428/1121
Abstract: 本发明提供用于提供具有改进的读取传感器的磁式变换器的方法和系统。描述一种用于提供磁式变换器中的磁结构的方法和系统。该方法和系统包括提供钉扎层、与钉扎层相邻的合成反铁磁介质(SAF)、非磁性层和传感器层。SAF位于非磁性层与钉扎层之间。非磁性层位于SAF层与传感器层之间。SAF包括被钉扎层、参考层和在被钉扎层与参考层之间的非磁性分隔层。被钉扎层被磁性耦合于参考层并且包括多个子层。第一子层具有第一截止温度分布(TBD)和第一交换能量。第二子层具有第二TBD和第二交换能量。第一子层在钉扎层与第二子层之间。第一TBD大于第二TBD。第一交换能量小于第二交换能量。
-
公开(公告)号：CN104751857B
公开(公告)日：2019-02-22
申请号：CN201410566845.7
申请日：2014-10-22
Applicant: 西部数据(弗里蒙特)公司
IPC: G11B5/187
CPC classification number: G11B5/3909 , G11B5/3163 , G11B5/3912 , G11B5/398 , Y10T428/1114
Abstract: 提供具有突出的AFM层和延长的钉扎层的隧穿磁阻(TMR)读取传感器以及制造该传感器的方法。TMR读取传感器具有AFM层，该AFM层从空气轴承表面凹陷，从而提供减小的屏蔽到屏蔽距离。
-
公开(公告)号：CN104751857A
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201410566845.7
申请日：2014-10-22
Applicant: 西部数据(弗里蒙特)公司
IPC: G11B5/187
CPC classification number: G11B5/3909 , G11B5/3163 , G11B5/3912 , G11B5/398 , Y10T428/1114
Abstract: 提供具有突出的AFM层和延长的钉扎层的隧穿磁阻(TMR)读取传感器以及制造该传感器的方法。TMR读取传感器具有AFM层，该AFM层从空气轴承表面凹陷，从而提供减小的屏蔽到屏蔽距离。
-
公开(公告)号：CN103854668A
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201310629032.3
申请日：2013-11-29
Applicant: 西部数据(弗里蒙特)公司
CPC classification number: G11B5/3906 , B82Y10/00 , G11B5/3909 , G11B2005/3996 , Y10T29/49032 , Y10T29/49034 , Y10T428/1114 , Y10T428/1121
Abstract: 本发明公开一种包括磁阻传感器的磁性读取换能器及其制造方法。该磁阻传感器包括覆盖自由层的盖帽层。盖帽层被设置成具有第一厚度以从自由层吸收硼。对磁阻传感器进行退火，并且硼从自由层中扩散并被盖帽层吸收，由此提高自由层的磁性能。然后，将盖帽层厚度减小到第二厚度，从而减小磁阻传感器的屏蔽到屏蔽（SS）堆栈间隔并允许增大磁录记录密度。
-
公开(公告)号：CN103296199A
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：CN201310054860.9
申请日：2013-02-20
Applicant: 西部数据(弗里蒙特)公司
CPC classification number: H01L43/12 , G01R33/093 , G01R33/098 , G11B5/3163 , G11B5/3909 , H01F10/3259 , H01F10/3272 , H01F41/307
Abstract: 本发明描述了新颖的隧道磁阻（TMR）沉积过程，该过程可增强TMR读取器的信噪比（SNR）。制造隧道磁阻传感器的方法包括：提供衬底；在衬底上形成磁性隧道结（MTJ）的第一部分；在衬底上形成MTJ的第二部分；在第一部分和第二部分之间形成MTJ结构的隧道势垒层；在形成隧道势垒层之前或者在形成隧道势垒层的至少一部分之后，加热MTJ结构的第一部分；以及冷却隧道势垒层。
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
9
records
(took 0.027 seconds)
