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公开(公告)号：CN102412613B
公开(公告)日：2013-08-07
申请号：CN201110452452.X
申请日：2011-12-29
Applicant: 西安科技大学
Abstract: 本发明公开了一种具有自恢复功能的本质安全型电池，包括非本质安全型电池和接在非本质安全型电池与负载之间的电流限制电路，电流限制电路包括双向开关电路、与双向开关电路相接的电流检测电路、与电流检测电路相接的过流及短路判别电路、与过流及短路判别电路相接的脉冲控制电路和与脉冲控制电路相接的驱动电路，过流及短路判别电路的输入端接有基准电路，脉冲控制电路包括用于在驱动电路关断后使其重新自动恢复开通的单稳态触发电路。本发明结构简单，设计新颖合理，实现方便，具有自恢复功能，可提高本安输出功率，实用性强，使用效果好，便于推广使用。
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公开(公告)号：CN105118781B
公开(公告)日：2017-09-15
申请号：CN201510555992.9
申请日：2015-09-02
Applicant: 西安科技大学
IPC: H01L21/336 , H01L21/762 , H01L21/28 , H01L29/78 , H01L29/08 , H01L29/423
Abstract: 本发明涉及一种具有突变结的UTB‑SOI隧穿场效应晶体管及制备方法，该制备方法包括：选取UTB‑SOI衬底；形成浅沟槽隔离；刻蚀形成P型/N型沟槽；在P型/N型沟槽内淀积硅材料并进行原位掺杂形成P型/N型高掺杂源区；刻蚀形成N型/P型沟槽；在N型/P型沟槽内淀积硅材料并进行原位掺杂形成低掺杂N型/P型漏区；在衬底的顶层硅表面形成栅介质层和前栅极层，刻蚀形成前栅；光刻引线窗口，淀积金属，光刻引线，形成源漏区、前栅金属引线。本发明在源漏区通过刻蚀沟槽并选择性外延淀积填充的工艺制备，能够精确的限定隧穿结面积，同时采用原位掺杂，有助于形成陡峭掺杂浓度梯度的隧穿结和掺杂均匀的源漏区，可有效的提高器件驱动电流及降低亚阈斜率。
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公开(公告)号：CN101783666B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201010112286.4
申请日：2010-02-11
Applicant: 西安科技大学
IPC: H03K17/567
Abstract: 本发明公开了一种能可靠关断的增强-耗尽型器件组合开关电路。它主要由耗尽型氮化镓开关器件Q1、N沟道增强型器件Q2、分压限压电阻R1和R2组成。它采用增强型器件与耗尽型器件串联的形式构成一个组合开关，并通过控制增强器件来实现对耗尽型器件的开、关控制，有效地解决了现有控制驱动电路不能应用于耗尽型开关器件的难题。同时，通过电路的精心设计和元件参数的合理选择，能充分发挥耗尽型氮化镓开关器件的优良性能，使本组合开关在高频、耐高压和低导通电阻的性能上比单一增强型开关器件高出一筹。本发明应用于开关电源或开关变换器时，能实现变换器的高频化、小型化和高效化，并能进一步提高变换器的可靠性。
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公开(公告)号：CN101789680A
公开(公告)日：2010-07-28
申请号：CN201010123544.9
申请日：2010-03-12
Applicant: 西安科技大学
Abstract: 本发明公开了一种可快速关断耗尽型开关器件的驱动电路。它主要由一个P沟道增强型开关器件、一个N沟道增强型开关器件和接在该两个开关器件栅极上的电阻组成，并且P沟道增强型开关器件的漏极与N沟道增强型开关器件的漏极相接。该两个开关器件在脉冲宽度调制信号的控制下交替导通，并将N沟道增强型开关器件的漏、源极间电压反向加在耗尽型开关器件的栅、源极间来控制耗尽型开关器件的开通和关断。本驱动电路的特点是可快速开通和快速关断耗尽型开关器件。不仅解决耗尽型开关器件用于现有开关电源或开关功率变换器的驱动问题，同时还解决了耗尽型开关器件的快速关断问题。
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公开(公告)号：CN101783666A
公开(公告)日：2010-07-21
申请号：CN201010112286.4
申请日：2010-02-11
Applicant: 西安科技大学
IPC: H03K17/567
Abstract: 本发明公开了一种能可靠关断的增强-耗尽型器件组合开关电路。它主要由耗尽型氮化镓开关器件Q1、N沟道增强型器件Q2、分压限压电阻R1和R2组成。它采用增强型器件与耗尽型器件串联的形式构成一个组合开关，并通过控制增强器件来实现对耗尽型器件的开、关控制，有效地解决了现有控制驱动电路不能应用于耗尽型开关器件的难题。同时，通过电路的精心设计和元件参数的合理选择，能充分发挥耗尽型氮化镓开关器件的优良性能，使本组合开关在高频、耐高压和低导通电阻的性能上比单一增强型开关器件高出一筹。本发明应用于开关电源或开关变换器时，能实现变换器的高频化、小型化和高效化，并能进一步提高变换器的可靠性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108321117A
公开(公告)日：2018-07-24
申请号：CN201711351031.1
申请日：2017-12-15
Applicant: 西安科技大学
IPC: H01L21/768 , H01L23/538 , H01L27/02
Abstract: 本发明涉及一种基于MOS管的TSV转接板及其制备方法，该方法包括：选取Si衬底；在所述Si衬底上制备栅极区、源区和漏区形成MOS管器件区；利用刻蚀工艺，在所述MOS管器件区两侧依次制备隔离沟槽和TSV；对所述隔离沟槽进行填充形成隔离区；在所述TSV进行填充形成TSV区；在所述Si衬底上表面制备所述TSV区的第一端面与所述MOS管器件区的铜互连线；在所述TSV区的第二端面制备铜凸点以完成所述TSV转接板的制备。本发明提供的TSV转接板通过在TSV转接板上加工MOS管作为ESD防护器件，解决了基于TSV工艺的集成电路系统级封装抗静电能力弱的问题，增强了集成电路系统级封装的抗静电能力。
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公开(公告)号：CN105140127A
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201510555994.8
申请日：2015-09-02
Applicant: 西安科技大学
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/423
CPC classification number: H01L29/66409 , H01L29/0684 , H01L29/42312 , H01L29/78
Abstract: 本发明涉及一种具有突变隧穿结的PNIN/NPIP型UTB-SOI TFET及制备方法，该制备方法包括步骤：选取UTB-SOI衬底；在衬底上形成浅沟槽隔离；在衬底上采用带胶离子注入工艺形成漏区；在衬底上采用干法刻蚀工艺形成源区沟槽；采用倾斜离子注入工艺向源区沟槽的侧壁注入离子形成薄层掺杂区；在源区沟槽内淀积本征硅材料，并同时进行原位掺杂形成源区；在衬底的顶层硅表面形成栅介质层和前栅极层，采用干法刻蚀工艺形成前栅；光刻引线窗口，淀积金属，光刻引线，形成源区、漏区、前栅金属引线，以形成最终的PNIN/NPIP型UTB-SOI TFET。本发明所提供的具有突变隧穿结的PNIN/NPIP型UTB-SOI TFET可有效提高TFET器件的驱动电流以及降低亚阈斜率，同时保持低的泄漏电流。
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公开(公告)号：CN101789680B
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN201010123544.9
申请日：2010-03-12
Applicant: 西安科技大学
Abstract: 本发明公开了一种可快速关断耗尽型开关器件的驱动电路。它主要由一个P沟道增强型开关器件、一个N沟道增强型开关器件和接在该两个开关器件栅极上的电阻组成，并且P沟道增强型开关器件的漏极与N沟道增强型开关器件的漏极相接。该两个开关器件在脉冲宽度调制信号的控制下交替导通，并将N沟道增强型开关器件的漏、源极间电压反向加在耗尽型开关器件的栅、源极间来控制耗尽型开关器件的开通和关断。本驱动电路的特点是可快速开通和快速关断耗尽型开关器件。不仅解决耗尽型开关器件用于现有开关电源或开关功率变换器的驱动问题，同时还解决了耗尽型开关器件的快速关断问题。
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公开(公告)号：CN102420413A
公开(公告)日：2012-04-18
申请号：CN201110451994.5
申请日：2011-12-29
Applicant: 西安科技大学
IPC: H02H3/08
Abstract: 本发明公开了一种低压大功率安全栅的自恢复截止型保护电路，包括接在非本安输入电路和负载之间并用于控制电路开通或关断的功率开关电路、与功率开关电路相接并用于实时检测电路中电流大小的电流检测电路、与电流检测电路相接的过流及短路判定电路、与过流及短路判定电路相接的关断脉冲输出电路和与关断脉冲输出电路相接的驱动电路，过流及短路判定电路的输入端接有基准电路，基准电路与非本安输入电路相接，所述驱动电路包括用于在功率开关电路关断后使功率开关电路重新自动恢复开通的振荡电路。本发明结构简单，功率损耗小，输出功率大，不影响大功率电能的正常传输，满足本安输出的要求，应用范围广，推广应用价值高。
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公开(公告)号：CN108122818A
公开(公告)日：2018-06-05
申请号：CN201711351048.7
申请日：2017-12-15
Applicant: 西安科技大学
IPC: H01L21/762 , H01L21/768 , H01L23/538 , H01L27/02
CPC classification number: H01L2224/18
Abstract: 本发明涉及一种用于系统级封装的防静电装置及其制备方法，该方法包括：选取Si衬底；在所述Si衬底内制备至少三个二极管；刻蚀所述Si衬底分别在所述二极管两侧形成隔离沟槽和TSV；分别填充所述隔离沟槽和所述TSV形成隔离区和TSV区；在所述Si衬底上表面制备所述TSV区的第一端面与所述二极管的互连线；在所述TSV区的第二端面制备金属凸点以完成所述TSV转接板的制备。本发明提供的防静电装置通过在TSV转接板上加工二极管作为ESD防护器件，解决了基于TSV工艺的集成电路系统级封装抗静电能力弱的问题，增强了集成电路系统级封装的抗静电能力力。
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