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公开(公告)号：CN115655538A
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202211094358.6
申请日：2022-09-08
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院
Abstract: 本发明公开了一种具有多孔石墨烯插入层结构的氮化镓基MEMS压力传感器的制备方法，涉及微电子技术领域，主要解决器件的剥离和提升现有阶段GaN外延层的生长质量，从下至上包括不锈钢衬底层、Al2O3层、AlN层、多孔石墨烯层、GaN层、SiO2保护层、欧姆电极层；其中AlN层和Al2O3层形成AlN/Al2O3复合层，欧姆电极位于GaN层上方的两侧；本发明通过加入了多孔石墨烯插层，可以从衬底上整体剥离MEMS压力传感器；通过增设磁控溅射Al2O3层和AlN层，提升了GaN外延层的生长质量，提高了衬底的电阻率。
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公开(公告)号：CN120034149A
公开(公告)日：2025-05-23
申请号：CN202510110710.8
申请日：2025-01-23
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院 , 西安电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种衬底背部多孔结构薄膜腔体声波谐振器及其制备方法，声波谐振器包括：衬底、背部多孔结构、底电极层、压电层、顶电极、钝化层、第一引脚层和第二引脚层，衬底具有由上表面延伸至内部的牺牲凹槽；背部多孔结构由衬底的下表面延伸至牺牲凹槽中；底电极层位于衬底的部分上表面；牺牲凹槽的顶部被底电极层覆盖，形成空腔；压电层位于底电极层的上表面和衬底的上表面；压电层位于底电极层上的一端上设置有引脚槽；顶电极由压电层位于衬底上的一端延伸至引脚槽靠近牺牲凹槽的一侧。该声波谐振器的背部多孔结构制作在衬底的背部，能够通过背部多孔结构对牺牲凹槽中的牺牲层进行腐蚀形成空腔，避免了完全刻蚀衬底，维持了器件的结构强度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117038724A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202311010013.2
申请日：2023-08-11
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院
IPC: H01L29/778 , H01L23/31 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开一种基于渐变超晶格空位缓冲层GaN基HEMT外延结构，属于半导体技术领域，包括从下至上依次设置的衬底、成核层、缓冲层、GaN沟道层、AlGaN层一、AlGaN层二、栅极边缘介质钝化层、源极和漏极，源极与漏极之间还设置有栅极、第二钝化层，在本发明中，在栅极边缘沉积介质钝化，可以改善栅极电流的泄漏，提高击穿特性；通过降低AlGaN势垒层顶部的Al组份来提高介电常数，降低了AlGaN材料顶部的极化电荷，使栅极靠近漏端的电场减小，栅极和漏极之间的电场分布更加均匀；上方的第二钝化层的张应力补偿下方的栅极边缘介质的压应力，并对沟道层施加微弱的张应力可以改善GaN沟道层的二维电子气浓度，同时可以改善器件的导通电阻、方块电阻等特性。
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公开(公告)号：CN118064832A
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202410221326.0
申请日：2024-02-28
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院 , 西安电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种氧化镓薄膜及其制备方法，制备方法，包括以下步骤：S1：获取衬底；S2：对所述衬底的表面进行溅射清洗，得到预溅射后的衬底；S3：对所述预溅射后的衬底施加偏置电压，同时在所述预溅射后的衬底表面生长氧化镓薄膜；S4：对所述氧化镓薄膜进行真空原位退火。本发明通过在预溅射后的衬底施加偏置电压，并生长氧化镓薄膜，提高氧化镓薄膜的稳定性、质量和结晶度，使得氧化镓薄膜晶粒择优取向生长，降低了氧化镓薄膜的制备成本。
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公开(公告)号：CN120074427A
公开(公告)日：2025-05-30
申请号：CN202510094553.6
申请日：2025-01-21
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院 , 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种薄膜腔体声波谐振器及其制备方法，其中器件包括：衬底；位于所述衬底之上的多层结构；所述多层结构自下而上包括：支撑层和功能层；所述功能层自下而上包括底电极层、压电层和顶电极层；其中，所述支撑层与所述衬底部分接触，未接触的部分形成所述支撑层和所述衬底之间的腔体；所述腔体是在制备所述薄膜腔体声波谐振器的过程中，通过在所述衬底上设置牺牲层、并在制备出所述多层结构之后去除所述牺牲层得到的；所述牺牲层为采用溶胶‑凝胶法制备的纳米多孔薄膜。本发明有效缩短了器件浸泡在腐蚀液中的时间，减轻了腐蚀液对器件产生的副作用。
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公开(公告)号：CN118156131A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202410395269.8
申请日：2024-04-02
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院 , 西安电子科技大学
IPC: H01L21/335 , H01L29/423 , H01L29/778 , H01L29/06 , H01L29/417
Abstract: 本发明涉及一种具有支撑结构的浮空T型栅HEMT器件及其制备方法，该制备方法包括：在衬底层上制备异质结结构；在源电极欧姆区域和漏电极欧姆区域的势垒层上分别制备源电极和漏电极；在源电极和漏电极之间有源区的势垒层上制备钝化层；去除栅电极区域的钝化层，以形成位于所述栅电极区域两侧的第一钝化子层和第二钝化子层；制备浮空T型栅电极，浮空T型栅电极包括栅脚和栅帽；将电极引出，完成浮空T型栅HEMT器件的制备。本发明既实现了在不引入额外寄生电容的情况下，对浮空T型栅电极的表面进行了钝化，又能对浮空T型栅的栅帽进行支撑，提高了工作频率，改善其射频功率特性，提高器件制备良率，降低了成本。
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公开(公告)号：CN118073411A
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202410216094.X
申请日：2024-02-27
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院 , 西安电子科技大学
IPC: H01L29/778 , H01L21/335 , H01L29/417
Abstract: 本发明公开了一种肖特基/欧姆混合漏极结构的低阻高击穿GaN基HEMT器件及其制备方法，通过引入第一嵌套矩形沟槽和第二嵌套矩形沟槽将接触形式扩展到了三维立体层面，能显著增大欧姆金属与异质结沟道处的接触面积，将进一步减小GaN基HEMT器件的欧姆接触电阻；在不减少接触面积的同时，大量减少小尺寸孔阵的分布，减少金属尖峰毛刺的产生，从而优化电压分布，提高击穿电压；利用肖特基/欧姆混合漏电极在不改变源漏实际间距下，等效缩短源漏间距，进一步缩小器件特征尺寸，从而提高其工作频率，提高其射频功率特性，同时，漏电极肖特基金属的引入能提高漏极击穿电压。
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