公开(公告)号：CN115602733A

公开(公告)日：2023-01-13

申请号：CN202211045063.X

申请日：2022-08-29

Applicant: 西安电子科技大学(CN)

Inventor： 赵胜雷 ,  吴风 ,  张进成 ,  宋秀峰 ,  南继澳 ,  张嘎 ,  王浩宇 ,  郝跃

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/15 ,  H01L29/20 ,  H01L29/06 ,  H01L21/329

Abstract: 本发明公开了一种准垂直结构的AlGaN肖特基二极管及其制备方法，该AlGaN肖特基二极管从下至上依次包括衬底、缓冲层、AlGaN过渡层、超晶格层和AlGaN漂移层，且阳极设置于AlGaN漂移层的上表面，阴极设置于刻蚀部分AlGaN漂移层的超晶格层的上表面；其中，超晶格层是由AlN和GaN交替生长形成的周期性结构，或是由AlGaN和GaN交替生长形成的周期性结构，以形成高浓度的2DEG沟道。本发明的准垂直结构的AlGaN肖特基二极管与传统准垂直结构的GaN肖特基二极管相比，具有更高的击穿电压，更低的导通电阻和更高的电流密度。