公开(公告)号：CN119089651A

公开(公告)日：2024-12-06

申请号：CN202411080018.7

申请日：2024-08-07

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 李艳辉 ,  黄若晨 ,  杨鹏飞 ,  邹楹

IPC: G06F30/20

Abstract: 本发明涉及太赫兹波段粗糙目标缩比技术领域，特别涉及一种基于电磁经典缩比理论的太赫兹波段粗糙目标缩比模型建模方法；所述方法包括：求缩比模型RCS和目标原型RCS的解缩比关系、获取太赫兹波段粗糙模型RCS的规律曲线、建立四参数经验模型、构建太赫兹波段粗糙目标缩比模型RCS、求解目标原型的RCS；系统、设备及介质：用于实现一种基于电磁经典缩比理论的太赫兹波段粗糙目标缩比模型建模方法；本发明解决了电大尺寸粗糙目标在缩比测量时，微波波段延申到太赫兹波段无法进行缩比测量和计算的难题，提高了模型的适用性。

公开(公告)号：CN118859164A

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202410857738.3

申请日：2024-06-28

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 李艳辉 ,  杨鹏飞 ,  黄若晨 ,  邹楹

IPC: G01S7/48 ,  G16C60/00 ,  G01S17/88

Abstract: 本申请的实施例涉及相干探测建模技术领域，特别涉及一种基于Kirchhoff理论的相干探测建模方法。所述方法包括：根据探测器的平方律特性，得到光电流表达式；将目标材料的粗糙面离散为多个小面元；基于Kirchhoff理论，求解单个小面元Δs的入射光场#imgabs0#和散射光场#imgabs1#将单个小面元Δs的入射光场#imgabs2#和散射光场#imgabs3#离散求和，得到整个目标材料的入射光场#imgabs4#和散射光场#imgabs5#将入射光场#imgabs6#与散射光场#imgabs7#代入光电流表达式，得到目标材料的整个粗糙面的相干探测模型I；改变材料类型、介电常数以及入射和出射场的偏振状态，利用相干探测模型I，分析材料本身对相干探测的影响，得到不同偏振状态下的相干探测结果。本申请首次引入目标材料介电常数对相干探测的影响，提高了探测技术的精确度和适用性。