公开(公告)号：CN110534537B

公开(公告)日：2021-10-29

申请号：CN201910816107.6

申请日：2019-08-30

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 杨翠 ,  彭国良 ,  陈育良 ,  毛维 ,  张建奇

IPC: H01L27/146

Abstract: 本发明公开了一种CMOS图像传感器像素结构及其制作方法，主要解决现有技术信号采集速度慢、信号电荷回流和电荷转移效率低的问题，其包括:衬底(1)、外延层(2)、浅沟槽隔离层(3)、栅氧化层(4)、多晶硅栅(5)和钝化层(6)，衬底的下面淀积有漏极(11)，外延层的右上角淀积有源极(10)，多晶硅栅的上面淀积有泵栅电极(8)和传输栅电极(9)，且设有电荷存储区(21)、光电响应区域(22)和阈值电压调整区(23)，泵栅电极和传输栅电极的上面淀积有像素互联金属(7)。本发明提升了光电信号电荷的采集速度和电荷转移效率，改善了三维深度成像雷达系统的探测精度，可用于虚拟现实、无人机和自动驾驶雷达系统。

公开(公告)号：CN110534537A

公开(公告)日：2019-12-03

申请号：CN201910816107.6

申请日：2019-08-30

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 杨翠 ,  彭国良 ,  陈育良 ,  毛维 ,  张建奇

IPC: H01L27/146

Abstract: 本发明公开了一种CMOS图像传感器像素结构及其制作方法，主要解决现有技术信号采集速度慢、信号电荷回流和电荷转移效率低的问题，其包括:衬底(1)、外延层(2)、浅沟槽隔离层(3)、栅氧化层(4)、多晶硅栅(5)和钝化层(6)，衬底的下面淀积有漏极(11)，外延层的右上角淀积有源极(10)，多晶硅栅的上面淀积有泵栅电极(8)和传输栅电极(9)，且设有电荷存储区(21)、光电响应区域(22)和阈值电压调整区(23)，泵栅电极和传输栅电极的上面淀积有像素互联金属(7)。本发明提升了光电信号电荷的采集速度和电荷转移效率，改善了三维深度成像雷达系统的探测精度，可用于虚拟现实、无人机和自动驾驶雷达系统。