公开(公告)号：CN120049161A

公开(公告)日：2025-05-27

申请号：CN202510212099.X

申请日：2025-02-25

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 刘晓贤 ,  刘诺 ,  朱樟明 ,  张蕾 ,  范晨辉 ,  任之浩

IPC: H01P1/207 ,  H01P1/20

Abstract: 本发明公开了一种基于屏蔽基片集成波导的高滚降超宽阻带三维微波滤波器，包括：自下至上依次设置的第一金属层、衬底层和第二金属层；第二金属层的形状由至少一个半圆形构成，衬底层中还设置有介质通孔，介质通孔中填充有金属导体柱，金属导体柱连接第一金属层和第二金属层形成封闭谐振腔；第二金属层的上表面的两侧分别设置有第一凹槽和第二凹槽，输入金属片和输出金属片沿第一方向分别插在第一凹槽和第二凹槽中。本发明能够减小滤波器面积提高滤波能力。

公开(公告)号：CN120051202A

公开(公告)日：2025-05-27

申请号：CN202510150874.3

申请日：2025-02-11

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 刘晓贤 ,  刘诺 ,  朱樟明 ,  张蕾 ,  范晨辉 ,  任之浩

IPC: H10N97/00

Abstract: 本发明涉及一种交错型硅基三维螺旋电感及带通、低通滤波器，交错型硅基三维螺旋电感包括：从上至下依次设置的电感第一金属层、第一二氧化硅介质层、电感硅介质层、第二二氧化硅介质层和电感第二金属层，其中，电感第一金属层上交错排列有若干个电感金属片，电感第二金属层上交错排列有若干个电感金属片，电感第一金属层与电感第二金属层上的电感金属片的数量相同，且电感第一金属层与电感第二金属层上的若干个电感金属片分别通过若干根第一金属导体柱一一对应连接。本发明通过使电感金属片交错型排布，减小了三维螺旋电感的面积，在单层硅基板上实现了更高的电感密度，同时也使得制备工艺更为简单。