公开(公告)号：CN118867689A

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202410894430.6

申请日：2024-07-04

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 郑彬 ,  李娜 ,  余川东 ,  曲世豪 ,  高崇申 ,  焦泽硕

IPC: H01Q15/00 ,  G06N3/126 ,  G06F17/16

Abstract: 本发明涉及人工电磁超材料领域，具体涉及应用于宽带雷达散射截面缩减的石墨烯编码超表面及生成方法。包括按照最优编码序列排列的两种编码单元，所述编码单元包括上下层叠设置介质基板层以及金属接地板，所述介质基板上设有石墨烯层；所述两种编码单元的石墨烯层的方阻不同。本发明使用两种不同方阻Rs值的石墨烯来构建1‑bit单元，用于产生宽带的180°相位差，并采用遗传算法优化编码序列，相比现有技术结构发明具有更宽的RCS缩减带宽。

公开(公告)号：CN119921091A

公开(公告)日：2025-05-02

申请号：CN202510056266.6

申请日：2025-01-14

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 李娜 ,  焦泽硕 ,  刘凯 ,  郑彬 ,  李向阳 ,  高崇申 ,  曲世豪 ,  王光远 ,  张逸群 ,  胡乃岗 ,  孙梓涵

IPC: H01Q1/38 ,  H10N39/00

Abstract: 本发明属于通讯设备技术领域，涉及一种磁电天线的层合结构及其制备方法；包括Si衬底；所述Si衬底上依次设置有Mo电极层、AlN压电层、FeGa磁致伸缩层和Al2O3负载层；所述Al2O3负载层、FeGa磁致伸缩层、AlN压电层、和Mo电极层和Si衬底中心处均设置有通孔；所述Mo电极层和Si衬底的通孔半径大于Al2O3负载层、FeGa磁致伸缩层和AlN压电层的通孔半径；本发明具有低漏电、高带宽合机电耦合能力强的优点。