公开(公告)号：CN113594236A

公开(公告)日：2021-11-02

申请号：CN202110856863.9

申请日：2021-07-28

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 郑雪峰 ,  淡一涛 ,  王小虎 ,  杜鸣 ,  吕玲 ,  曹艳荣 ,  马晓华 ,  郝跃

IPC: H01L29/40 ,  H01L29/20 ,  H01L29/778

Abstract: 本发明公开了一种提高抗单粒子烧毁能力的增强型氮化镓高电子迁移率晶体管，主要解决现有同类器件抗单粒子烧毁能力低的问题，其自下而上包括：衬底(1)、缓冲层(2)、势垒层(3)、钝化层(5)，该钝化层的两端设有源极(6)和漏极(7)，源极的右侧设有与源极之间距离为1～5μm的p‑GaN层(4)，该p‑GaN层上方设有栅极(8)，该栅极上连接有栅场板(9)，该漏极的左侧设有与漏极相连的n型半导体漏极场板(10)，该n型半导体漏极场板与势垒层之间的距离为10～100nm。本发明有效提高了p‑GaN增强型HEMT器件的抗单粒子烧毁能力，可用于工作在空间辐照环境中的航天电子系统。

公开(公告)号：CN113594235A

公开(公告)日：2021-11-02

申请号：CN202110856403.6

申请日：2021-07-28

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 郑雪峰 ,  淡一涛 ,  王小虎 ,  杜鸣 ,  曹艳荣 ,  吕玲 ,  马晓华 ,  郝跃

IPC: H01L29/40 ,  H01L29/20 ,  H01L29/778

Abstract: 本发明公开了一种抗单粒子烧毁的增强型氮化镓高电子迁移率晶体管，主要解决现有同类器件抗单粒子烧毁能力低的问题，其自下而上包括：衬底(1)、缓冲层(2)、势垒层(3)、钝化层(5)，该钝化层的两端设有源极(6)和漏极(7)，源极的右侧设有与源极之间的间距为1～5μm的p‑GaN层(4)，该p‑GaN层上方设有栅极(8)，该栅极上连接有栅场板(9)，该漏极的左侧设有与漏极相连的阶梯型漏极场板(10)，该阶梯型漏极场板(10)由m个阶梯场板组成。本发明由于采用阶梯型的漏极场板结构，有效提高了p‑GaN增强型HEMT器件的抗单粒子烧毁能力，可用于工作在空间辐照环境中的航天电子系统。

公开(公告)号：CN113594236B

公开(公告)日：2024-04-26

申请号：CN202110856863.9

申请日：2021-07-28

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 郑雪峰 ,  淡一涛 ,  王小虎 ,  杜鸣 ,  吕玲 ,  曹艳荣 ,  马晓华 ,  郝跃

IPC: H01L29/40 ,  H01L29/20 ,  H01L29/778

Abstract: 本发明公开了一种提高抗单粒子烧毁能力的增强型氮化镓高电子迁移率晶体管，主要解决现有同类器件抗单粒子烧毁能力低的问题，其自下而上包括：衬底(1)、缓冲层(2)、势垒层(3)、钝化层(5)，该钝化层的两端设有源极(6)和漏极(7)，源极的右侧设有与源极之间距离为1～5μm的p‑GaN层(4)，该p‑GaN层上方设有栅极(8)，该栅极上连接有栅场板(9)，该漏极的左侧设有与漏极相连的n型半导体漏极场板(10)，该n型半导体漏极场板与势垒层之间的距离为10～100nm。本发明有效提高了p‑GaN增强型HEMT器件的抗单粒子烧毁能力，可用于工作在空间辐照环境中的航天电子系统。