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公开(公告)号：CN105161860A
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：CN201510549051.4
申请日：2015-08-31
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于机电耦合与傅里叶变换的变形面阵天线电性能补偿方法，包括：1)确定面阵天线即M个线阵天线的参数；2)有限元分析得到振动环境下面阵天线的结构变形量；3)采用线阵天线机电耦合模型计算第i个线阵天线变形后的电性能；4)将该电性能分解为理想线阵电性能和线阵电性能变化项；5)分别对4)进行快速傅里叶变换得到补偿天线空间相位误差的激励电流幅度和相位的调整量；6)判断是否已计算了所有激励电流幅度和相位的调整量；7)将激励电流幅度和相位的调整量入机电耦合模型，计算变形面阵天线电性能；8)判断补偿后的变形面阵天线电性能是否满足指标要求。本发明可对服役的面阵天线保证具有良好电性能。
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公开(公告)号：CN105161860B
公开(公告)日：2017-10-17
申请号：CN201510549051.4
申请日：2015-08-31
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于机电耦合与傅里叶变换的变形面阵天线电性能补偿方法，包括：1)确定面阵天线即M个线阵天线的参数；2)有限元分析得到振动环境下面阵天线的结构变形量；3)采用线阵天线机电耦合模型计算第i个线阵天线变形后的电性能；4)将该电性能分解为理想线阵电性能和线阵电性能变化项；5)分别对4)进行快速傅里叶变换得到补偿天线空间相位误差的激励电流幅度和相位的调整量；6)判断是否已计算了所有激励电流幅度和相位的调整量；7)将激励电流幅度和相位的调整量入机电耦合模型，计算变形面阵天线电性能；8)判断补偿后的变形面阵天线电性能是否满足指标要求。本发明可对服役的面阵天线保证具有良好电性能。
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公开(公告)号：CN105489978A
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201610041328.7
申请日：2016-01-21
Applicant: 西安电子科技大学
CPC classification number: H01P1/182 , B81B7/02 , H01P11/00 , H01P11/006
Abstract: 本发明公开了一种基于相移量机电耦合的分布式MEMS移相器工作电压的调整方法，包括确定分布式MEMS移相器的结构参数、材料属性和电磁工作参数；确定工作电压标准值V0和相移量标准值Δφ0；施加2V0的工作电压，测量M个MEMS桥中相移量Δφi；比较相移量测量值Δφi与标准值Δφ0；当相移量测量值Δφi>标准值Δφ0，得MEMS桥有向上的高度误差，计算等效电路参数和工作电压调整量；当相移量测量值Δφi≤标准值Δφ0，得MEMS桥向下高度误差或无误差，计算等效电路参数和高度误差值，计算工作电压的调整量；判断是否已对全部计算工作电压调整量；重新施加到相应的MEMS桥上，测量分布式MEMS移相器的整体相移量；判断调整工作电压后的分布式MEMS移相器电性能是否满足指标要求。本方法为实际工作的可靠性提供了理论指导。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105489978B
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：CN201610041328.7
申请日：2016-01-21
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于相移量机电耦合的分布式MEMS移相器工作电压的调整方法，包括确定分布式MEMS移相器的结构参数、材料属性和电磁工作参数；确定工作电压标准值V0和相移量标准值Δφ0；施加2V0的工作电压，测量M个MEMS桥中相移量Δφi；比较相移量测量值Δφi与标准值Δφ0；当相移量测量值Δφi>标准值Δφ0，得MEMS桥有向上的高度误差，计算等效电路参数和工作电压调整量；当相移量测量值Δφi≤标准值Δφ0，得MEMS桥向下高度误差或无误差，计算等效电路参数和高度误差值，计算工作电压的调整量；判断是否已对全部计算工作电压调整量；重新施加到相应的MEMS桥上，测量分布式MEMS移相器的整体相移量；判断调整工作电压后的分布式MEMS移相器电性能是否满足指标要求。本方法为实际工作的可靠性提供了理论指导。
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公开(公告)号：CN105449327A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201510980100.X
申请日：2015-12-23
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于机电耦合的分布式MEMS移相器电容桥高度公差的确定方法，包括：1)确定分布式MEMS移相器的结构参数、材料属性和电磁工作参数；2)确定移相器等效电路参数；3)确定移相器的位数k；4)确定移相器的标准电容桥高度；5)给出初始电容桥的偏移量；6)利用单个电容桥的机电耦合模型，计算单个电容桥产生的相移量；7)计算移相器的相移量；8)计算移相器的偏差量；9)判断该电容桥高度情况下的移相器偏差量是否满足公差要求。本发明利用移相器电容桥结构参数和相移量之间的机电耦合模型，直接得到电容桥结构参数对移相器相移量的影响，快速给出合理的电容桥结构公差精度，降低加工成本和难度，缩短研制周期。
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公开(公告)号：CN105550456B
公开(公告)日：2018-08-28
申请号：CN201510980454.4
申请日：2015-12-23
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明公开了一种变形分布式MEMS移相器性能的机电耦合预测方法，包括：1)确定分布式MEMS移相器的结构参数、材料属性和电磁工作参数；2)确定分布式MEMS移相器等效电路参数；3)确定工作环境条件；4)对结构进行力学分析，提取结构变形后最大偏移量；5)计算结构变形后的每个MEMS桥与传输线构成的可变电容值；6)建立每个MEMS桥机电耦合模型并计算相移量；7)计算相移量；8)判断移相器的相移量是否满足要求。本发明建立的分布式MEMS移相器结构参数和相移量之间的机电耦合模型，可直接分析结构参数对移相器相移量的影响，可用于定量评价载荷环境下结构变形对分布式MEMS移相器相移量的影响，从而指导分布式MEMS移相器的设计与优化。
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公开(公告)号：CN105449327B
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：CN201510980100.X
申请日：2015-12-23
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于机电耦合的分布式MEMS移相器电容桥高度公差的确定方法，包括：1)确定分布式MEMS移相器的结构参数、材料属性和电磁工作参数；2)确定移相器等效电路参数；3)确定移相器的位数k；4)确定移相器的标准电容桥高度；5)给出初始电容桥的偏移量；6)利用单个电容桥的机电耦合模型，计算单个电容桥产生的相移量；7)计算移相器的相移量；8)计算移相器的偏差量；9)判断该电容桥高度情况下的移相器偏差量是否满足公差要求。本发明利用移相器电容桥结构参数和相移量之间的机电耦合模型，直接得到电容桥结构参数对移相器相移量的影响，快速给出合理的电容桥结构公差精度，降低加工成本和难度，缩短研制周期。
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公开(公告)号：CN105550456A
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201510980454.4
申请日：2015-12-23
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G06F17/50
CPC classification number: G06F17/5018
Abstract: 本发明公开了一种变形分布式MEMS移相器性能的机电耦合预测方法，包括：1)确定分布式MEMS移相器的结构参数、材料属性和电磁工作参数；2)确定分布式MEMS移相器等效电路参数；3)确定工作环境条件；4)对结构进行力学分析，提取结构变形后最大偏移量；5)计算结构变形后的每个MEMS桥与传输线构成的可变电容值；6)建立每个MEMS桥机电耦合模型并计算相移量；7)计算相移量；8)判断移相器的相移量是否满足要求。本发明建立的分布式MEMS移相器结构参数和相移量之间的机电耦合模型，可直接分析结构参数对移相器相移量的影响，可用于定量评价载荷环境下结构变形对分布式MEMS移相器相移量的影响，从而指导分布式MEMS移相器的设计与优化。
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