公开(公告)号：CN101923905B

公开(公告)日：2012-06-27

申请号：CN201010220822.2

申请日：2010-07-06

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 张玉明 ,  石彦强 ,  郭辉 ,  段福莉 ,  贾仁需

IPC: G21H1/00

Abstract: 本发明公开了一种基于碳化硅的环状肖特基接触式核电池及其制作方法，主要解决现有肖特基结核电池效率低的问题。本发明自上而下依次包括键合层(1)、放射性同位素源层(3)、环状半透明肖特基接触层(2)、掺杂浓度为5×1014～5×1015cm-3的n型SiC外延层(5)、掺杂浓度为5×1017～5×1018cm-3的n型SiC衬底(6)和欧姆接触电极(7)，放射性同位素源层周围是SiO2钝化层(4)。该肖特基接触层(2)是采用中心为一个圆，周围是以该中心为圆心的多个圆环结构，该环状结构沿半径方向设有矩形条，矩形条的两端分别与中心圆和外圆环相接；放射性同位素源层(3)覆盖在环状肖特基金属层除矩形条外的区域及肖特基金属层之间的SiC外延层(5)上。本发明具有能量损失小，转换效率高的优点。

公开(公告)号：CN101923905A

公开(公告)日：2010-12-22

申请号：CN201010220822.2

申请日：2010-07-06

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 张玉明 ,  石彦强 ,  郭辉 ,  段福莉 ,  贾仁需

IPC: G21H1/00

Abstract: 本发明公开了一种基于碳化硅的环状肖特基接触式核电池及其制作方法，主要解决现有肖特基结核电池效率低的问题。本发明自上而下依次包括键合层(1)、放射性同位素源层(3)、环状半透明肖特基接触层(2)、掺杂浓度为5×1014～5×1015cm-3的n型SiC外延层(5)、掺杂浓度为5×1017～5×1018cm-3的n型SiC衬底(6)和欧姆接触电极(7)，放射性同位素源层周围是SiO2钝化层(4)。该肖特基接触层(2)是采用中心为一个圆，周围是以该中心为圆心的多个圆环结构，该环状结构沿半径方向设有矩形条，矩形条的两端分别与中心圆和外圆环相接；放射性同位素源层(3)覆盖在环状肖特基金属层除矩形条外的区域及肖特基金属层之间的SiC外延层(5)上。本发明具有能量损失小，转换效率高的优点。