公开(公告)号：CN118472023A

公开(公告)日：2024-08-09

申请号：CN202410540237.2

申请日：2024-04-30

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 赵胜雷 ,  孙雪晶 ,  于龙洋 ,  桂娟 ,  张嘎 ,  宋秀峰 ,  张进成 ,  郝跃

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335 ,  H01L29/417 ,  H01L29/06 ,  H01L29/47

Abstract: 本发明公开了一种凹槽型肖特基源p‑GaN晶体管及其制备方法，涉及半导体技术领域，该p‑GaN晶体管包括：栅极、源极、漏极、外延结构、钝化层和凹槽肖特基源结构；外延结构包括势垒层以及位于势垒层表面的p‑GaN层，源极与漏极相对设置于p‑GaN层的两侧，栅极位于p‑GaN层上，钝化层覆盖于源极、栅极、漏极和势垒层的表面，凹槽肖特基源结构包括：与势垒层形成肖特基接触的肖特基源金属以及位于势垒层靠近p‑GaN层一侧表面的凹槽。本发明既保证了器件原本的导通特性，又可以选择性地控制刻蚀深度，进而调节沟道内部2DEG浓度来达到提升短路能力的效果，防止器件在电路应用中短路故障时损坏。

公开(公告)号：CN118472024A

公开(公告)日：2024-08-09

申请号：CN202410540244.2

申请日：2024-04-30

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 赵胜雷 ,  桂娟 ,  宋秀峰 ,  孙雪晶 ,  张嘎 ,  于龙洋 ,  张进成 ,  郝跃

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335 ,  H01L29/417 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明公开了一种具有P‑GaN源极扩展的GaN晶体管，涉及半导体技术领域，包括：外延结构、源极、栅极和漏极，外延结构包括沟道层、位于沟道层一侧的势垒层以及位于势垒层远离沟道层一侧表面的P‑GaN扩展层和P型层；其中，源极与漏极相对设置于势垒层远离沟道层一侧表面的两端，在第一方向上，P‑GaN扩展层位于源极靠近漏极的一侧，P型层位于P‑GaN扩展层与漏极之间，栅极位于P型层远离势垒层一侧的表面，P‑GaN扩展层、势垒层和沟道层形成pin二极管结构；第一方向为源极指向漏极的方向。本发明引入的P‑GaN扩展层可以耗尽其下方的部分二维电子气，进而降低短路饱和电流，增强P‑GaN晶体管的短路可靠性。