一种新型抗辐照加固SRAM单元电路
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117912517A

    公开(公告)日:2024-04-19

    申请号:CN202410064385.1

    申请日:2024-01-16

    Abstract: 本发明提供一种新型抗辐照加固SRAM单元电路,解决了现有技术中器件的尺寸和间距显著缩小,且SRAM单元的临界电荷下降的问题,该电路包括:上拉电路、下拉电路、存取管电路、字线和位线;上拉电路用于利用VDD将存储节点维持在稳定的高电平;下拉电路用于利用GND将存储节点维持在稳定的低电平;存取管电路用于控制存储单元数据的读取和写入;字线用于利用不同的电位控制存取管电路的导通状态,确定存取管电路的开闭;位线用于控制对单元进行读取或写入的具体数据;实现了利用电路中未受到影响节点的反馈作用将其恢复至正确逻辑值,完成逻辑状态出错到自恢复的容错过程,有效提高SRAM单元抵抗单粒子效应的能力。

    一种基于DICE结构的抗辐照加固D触发器

    公开(公告)号:CN117879544A

    公开(公告)日:2024-04-12

    申请号:CN202410078231.8

    申请日:2024-01-18

    Abstract: 本发明涉及一种基于DICE结构的抗辐照加固D触发器,包括:钟控输入模块、数据输入模块、主级DICE锁存模块、从级DICE锁存模块、主从传输控制模块和数据输出模块;钟控输入模块产生时钟信号;数据输入模块连接主级DICE锁存模块,包括两条传输路径,两条传输路径相互独立且时延不同;从级DICE锁存模块连接数据输出模块;主级DICE锁存模块和从级DICE锁存模块共同作用,用于采集和锁存信号;主从传输控制模块用于控制主从两级DICE锁存模块的通断,由数据输出模块输出信号。本发明通过在数据输入模块中设置两条相互独立的传输路径,使得由单粒子辐照产生的瞬态脉冲电流不能同时到达两个DICE锁存模块,增加了电路抗单粒子瞬态脉冲的能力。

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