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公开(公告)号：CN107527949B
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN201710848515.0
申请日：2017-09-19
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/66 , H01L29/812 , H01L21/34
Abstract: 本发明涉及一种基于Cr掺杂4H‑SiC衬底异质结自旋场效应晶体管及其制备方法，该方法包括：选取4H‑SiC衬底；利用MBE工艺在4H‑SiC衬底表面生长Ga2O3外延层；利用离子注入工艺在Ga2O3外延层形成源区和漏区；在源区和漏区分别形成源区欧姆接触电极和漏区欧姆接触电极；利用磁控溅射工艺在Ga2O3外延层表面形成肖特基接触栅电极，最终形成基于Cr掺杂4H‑SiC衬底异质结自旋场效应晶体管。本发明调节离子注入的剂量和退火时间改变源漏材料中的掺杂浓度和缺陷浓度，从而优化室温下材料的自旋极化率，提高自旋场效应晶体管器件离子注入效率。
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公开(公告)号：CN107359127B
公开(公告)日：2020-03-24
申请号：CN201710421135.9
申请日：2017-06-07
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L21/34 , H01L29/08 , H01L29/24 , H01L29/812
Abstract: 本发明涉及一种蓝宝石衬底的Fe掺杂自旋场效应晶体管及其制造方法，其中，制造方法包括：选取衬底材料；利用CVD工艺在衬底表面淀积Ga2O3外延层；在Ga2O3外延层4次选择性注入Fe离子；其中，注入Fe离子的区域分别形成源区和漏区；未注入Fe离子的区域为Ga2O3沟道区；在源区和漏区表面制作欧姆接触源极和漏极；利用PECVD工艺在Ga2O3外延层表面淀积SiO2隔离层；在SiO2隔离层表面刻蚀出宽度为1μm的栅区；在栅区制作肖特基接触栅电极以完成自旋场效应晶体管的制备。本发明提供的蓝宝石衬底的Fe掺杂自旋场效应晶体管及其制造方法，可通过调节离子注入的剂量和退火时间改变源漏材料中的掺杂浓度和缺陷浓度，从而优化室温下材料的自旋极化率。
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公开(公告)号：CN107359127A
公开(公告)日：2017-11-17
申请号：CN201710421135.9
申请日：2017-06-07
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L21/34 , H01L29/08 , H01L29/24 , H01L29/812
Abstract: 本发明涉及一种蓝宝石衬底的Fe掺杂自旋场效应晶体管及其制造方法，其中，制造方法包括：选取衬底材料；利用CVD工艺在衬底表面淀积Ga2O3外延层；在Ga2O3外延层4次选择性注入Fe离子；其中，注入Fe离子的区域分别形成源区和漏区；未注入Fe离子的区域为Ga2O3沟道区；在源区和漏区表面制作欧姆接触源极和漏极；利用PECVD工艺在Ga2O3外延层表面淀积SiO2隔离层；在SiO2隔离层表面刻蚀出宽度为1μm的栅区；在栅区制作肖特基接触栅电极以完成自旋场效应晶体管的制备。本发明提供的蓝宝石衬底的Fe掺杂自旋场效应晶体管及其制造方法，可通过调节离子注入的剂量和退火时间改变源漏材料中的掺杂浓度和缺陷浓度，从而优化室温下材料的自旋极化率。
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公开(公告)号：CN112098955B
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202010820819.8
申请日：2020-08-14
Abstract: 本发明公开了一种基于线性调频信号逼近期望功率谱的发射波形优化方法，包括：获取期望信号的功率谱和带宽，并将期望信号的带宽分为若干份，得到若干子带宽；根据期望信号的功率谱和带宽得到线性调频子信号；在每个子带宽内，采用线性调频子信号的功率谱逼近期望信号在该子带宽内的功率谱，得到拟合信号；采用拟合信号的功率谱逼近期望信号的功率谱，得到优化的发射信号。本发明提供的基于线性调频信号逼近期望功率谱的发射波形优化方法逼近程度较好，得到的优化的发射信号质量较好，且该过程计算量小，优化速度快，能够满足雷达对实时性的要求。
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公开(公告)号：CN112098955A
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN202010820819.8
申请日：2020-08-14
Abstract: 本发明公开了一种基于线性调频信号逼近期望功率谱的发射波形优化方法，包括：获取期望信号的功率谱和带宽，并将期望信号的带宽分为若干份，得到若干子带宽；根据期望信号的功率谱和带宽得到线性调频子信号；在每个子带宽内，采用线性调频子信号的功率谱逼近期望信号在该子带宽内的功率谱，得到拟合信号；采用拟合信号的功率谱逼近期望信号的功率谱，得到优化的发射信号。本发明提供的基于线性调频信号逼近期望功率谱的发射波形优化方法逼近程度较好，得到的优化的发射信号质量较好，且该过程计算量小，优化速度快，能够满足雷达对实时性的要求。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107658337B
公开(公告)日：2020-09-08
申请号：CN201710852545.9
申请日：2017-09-19
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/778 , H01L29/66 , H01L29/22 , H01L21/335
Abstract: 本发明涉及一种高电子迁移率自旋场效应晶体管及其制备方法，所述制备方法包括：选取4H‑SiC衬底；在所述4H‑SiC衬底上生长N型Ga2O3外延层；在所述N型Ga2O3外延层中制作源区和漏区；在所述源区与所述漏区的表面制作电极以完成源极与漏极的制备；在所述N型Ga2O3外延层上制作栅极以完成所述晶体管的制备。本发明提供的高电子迁移率自旋场效应晶体管，采用N型Ga2O3材料作为源极、漏极以及沟道材料，极大地提高了自旋注入和接收的效率，从而提高了器件的性能。
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公开(公告)号：CN107425059B
公开(公告)日：2020-05-22
申请号：CN201710421686.5
申请日：2017-06-07
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/66 , H01L29/778 , H01L29/812
Abstract: 本发明涉及一种Cr掺杂异质结自旋场效应晶体管及其制备方法，其中，制备方法包括：选取蓝宝石衬底；利用MBE工艺在蓝宝石衬底表面生长Ga2O3外延层；在Ga2O3外延层注入Cr离子形成源区和漏区；在源区和漏区表面制作欧姆接触源极和漏极；利用PECVD工艺在Ga2O3外延层表面生长隔离层；在Ga2O3外延层表面制作肖特基接触栅电极以完成自旋场效应晶体管的制备；本发明提供的Cr掺杂异质结自旋场效应晶体管及制备方法，可通过调节离子注入的剂量和退火时间改变源漏材料中的掺杂浓度和缺陷浓度，从而优化室温下材料的自旋极化率。
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公开(公告)号：CN108495353A
公开(公告)日：2018-09-04
申请号：CN201810228906.7
申请日：2018-03-20
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于分簇的无线光传感器网络拓扑控制方法，主要解决现有技术网络节点能量消耗不均匀和网络拓扑不稳定的问题。其实现方案为：1、对无线光传感器网络进行初始化，节点产生随机数；2、依据无线电能量消耗模型计算无线光传感器网络中各个节点的簇半径和局部平均剩余能量；3、依据现有簇头选举阈值，以节点的剩余能量及节点到基站的距离为重要标准，设置簇头选举阈值；4、将节点产生的随机数与簇头选举阈值作比较，选举簇头和簇成员并进行分簇。本发明延长了节点的生存时间，有效地增强了网络的稳定性，使得节点能量消耗更为平均，可用于静止节点下的光通信网络拓扑控制。
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公开(公告)号：CN107425059A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201710421686.5
申请日：2017-06-07
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/66 , H01L29/778 , H01L29/812
Abstract: 本发明涉及一种Cr掺杂异质结自旋场效应晶体管及其制备方法，其中，制备方法包括：选取蓝宝石衬底；利用MBE工艺在蓝宝石衬底表面生长Ga2O3外延层；在Ga2O3外延层注入Cr离子形成源区和漏区；在源区和漏区表面制作欧姆接触源极和漏极；利用PECVD工艺在Ga2O3外延层表面生长隔离层；在Ga2O3外延层表面制作肖特基接触栅电极以完成自旋场效应晶体管的制备；本发明提供的Cr掺杂异质结自旋场效应晶体管及制备方法，可通过调节离子注入的剂量和退火时间改变源漏材料中的掺杂浓度和缺陷浓度，从而优化室温下材料的自旋极化率。
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公开(公告)号：CN112098954A
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN202010820818.3
申请日：2020-08-14
Abstract: 本发明公开了一种基于非线性调频信号逼近期望功率谱的发射波形优化方法，包括：获取期望信号的功率谱和带宽，并将期望信号的带宽分为若干份，得到若干子带宽；根据期望信号的功率谱和带宽得到非线性调频子信号；在每个子带宽内，采用非线性调频子信号的功率谱逼近期望信号在该子带宽内的功率谱，得到拟合信号；采用拟合信号的功率谱逼近所述期望信号的功率谱，得到优化的发射信号。本发明提供的基于非线性调频信号逼近期望功率谱的发射波形优化方法逼近程度较好，得到的优化的发射信号质量较好，且该过程计算量小，优化速度快，能够满足雷达对实时性的要求。
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