公开(公告)号：CN116610185B

公开(公告)日：2024-01-09

申请号：CN202310595301.2

申请日：2023-05-25

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 袁冰 ,  李江山 ,  李志恒 ,  梁春

IPC: G05F1/571

Abstract: 本发明公开一种采用PNP型Brokaw基准核心的高压稳压电路，包括耐高压电路、反馈电阻网络、PNP型Brokaw基准核心、偏置反馈电路、瞬时高压保护电路。PNP型Brokaw基准核心能够在上电后产生与带隙基准电压精度一致的参考电压差值，该差值电压经过反馈电阻网络能够成比例的反应到输出电压上，进而保证极高的输出电压精度。高压NMOS管能够隔离高压，完成耐高压的基本功能。齐纳二极管的钳位电压则能保证低耐压的高压NMOS器件的栅源极不被击穿。本发明解决了现有技术存在的输出电压精度差、低压器件易损坏、高压MOS管采用过多以及高压MOS管栅源极未作钳位保护易被高压击穿问题，可以作为一般高压电源集成电路包括LDO以及DC‑DC的高压预稳压电路。

公开(公告)号：CN116610185A

公开(公告)日：2023-08-18

申请号：CN202310595301.2

申请日：2023-05-25

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 袁冰 ,  李江山 ,  李志恒 ,  梁春

IPC: G05F1/571

Abstract: 本发明公开一种采用PNP型Brokaw基准核心的高压稳压电路，包括耐高压电路、反馈电阻网络、PNP型Brokaw基准核心、偏置反馈电路、瞬时高压保护电路。PNP型Brokaw基准核心能够在上电后产生与带隙基准电压精度一致的参考电压差值，该差值电压经过反馈电阻网络能够成比例的反应到输出电压上，进而保证极高的输出电压精度。高压NMOS管能够隔离高压，完成耐高压的基本功能。齐纳二极管的钳位电压则能保证低耐压的高压NMOS器件的栅源极不被击穿。本发明解决了现有技术存在的输出电压精度差、低压器件易损坏、高压MOS管采用过多以及高压MOS管栅源极未作钳位保护易被高压击穿问题，可以作为一般高压电源集成电路包括LDO以及DC‑DC的高压预稳压电路。