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公开(公告)号：CN117895250A
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202311805893.2
申请日：2023-12-26
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于爱因斯坦图案的稀疏阵列天线，主要解决现有非稀疏阵列成本高和稀疏阵列栅瓣控制优化设计计算量大，设计效率低的问题。其包括：多个天线单元、多个馈电路径、幅度控制单元和相位控制单元；每个天线单元规格统一，由具有十三边形的爱因斯坦图案形状天线辐射器组成。阵列分别基于1个、2个、4个爱因斯坦图案单元形成四类不同的拼接簇T、H、P、F；这些拼接簇进一步按照爱因斯坦图案不同指定边的连接规则交互匹配紧贴构成整体非周期排布阵列；通过对输入信号的幅度、相位控制实现阵列波束扫描。本发明布阵成本低，设计效率高，可用于雷达、通信、导航、信息对抗。
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公开(公告)号：CN111565110B
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN202010386215.7
申请日：2020-05-09
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明提出了一种基于RO PUF多核系统的统一身份认证系统及方法，用于解决现有技术中存在的对多核系统中IP核盗窃攻击认证准确率和效率较低的技术问题，实现步骤为：(1)黄金数据生成阶段：ID信息生成模块生成黄金ID信息、第一IO模块生成激励‑响应对、指纹编码模块生成黄金系统级指纹并存入数据库(2)对RO PUF多核终端进行注册：指纹编码模块生成注册系统级指纹，比较模块进行注册比较；(3)认证阶段：指纹编码模块生成认证系统级指纹，比较模块进行认证比较；本发明提出的方法依赖于多个RO PUF IP核，通过对多个RO PUF IP核输入激励信号，得到响应信号来组成系统级指纹，提高了统一身份认证系统及方法的认证准确率和认证效率。
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公开(公告)号：CN111565110A
公开(公告)日：2020-08-21
申请号：CN202010386215.7
申请日：2020-05-09
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明提出了一种基于RO PUF多核系统的统一身份认证系统及方法，用于解决现有技术中存在的对多核系统中IP核盗窃攻击认证准确率和效率较低的技术问题，实现步骤为：(1)黄金数据生成阶段：ID信息生成模块生成黄金ID信息、第一IO模块生成激励-响应对、指纹编码模块生成黄金系统级指纹并存入数据库(2)对RO PUF多核终端进行注册：指纹编码模块生成注册系统级指纹，比较模块进行注册比较；(3)认证阶段：指纹编码模块生成认证系统级指纹，比较模块进行认证比较；本发明提出的方法依赖于多个RO PUF IP核，通过对多个RO PUF IP核输入激励信号，得到响应信号来组成系统级指纹，提高了统一身份认证系统及方法的认证准确率和认证效率。
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公开(公告)号：CN107220924A
公开(公告)日：2017-09-29
申请号：CN201710234558.X
申请日：2017-04-11
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明属于图像重建技术领域，公开了一种基于GPU加速PET图像重建的方法，包括：通过蒙特卡罗仿真生成系统矩阵，根据平板PET系统的对称性，分别基于响应线与体素提取系统矩阵的子集；基于系统矩阵关于响应线的子集，进行前向投影的计算，计算过程中根据响应线的对称性计算系统矩阵关于响应线的子集的补集；基于系统矩阵关于体素的子集，进行反向投影的计算，计算过程中根据体素的对称性计算系统矩阵关于体素的子集的补集，对重建图像进行数据更新，迭代结束，数据输出。本发明有效减少了PET图像重建的时间，有效的提升重建图像的灵敏度；为研究小动物体内代谢过程以及生物体局部代谢状态提供更为精确的功能信息。
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公开(公告)号：CN104022220B
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：CN201410270942.1
申请日：2014-06-18
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于AlGaN/GaN超晶格电子发射层GaN耿氏二极管及其制作方法，主要解决现有耿氏器件功率低、散热差的问题。该二极管包括主体部分和辅体部分，主体部分自下而上为：SiC衬底、AlN成核层、n+GaN阴极欧姆接触层、电子发射层、n-GaN有源层和n+GaN阳极欧姆接触层；辅体部分包括环形电极、衬底电极、圆形电极、钝化层、开孔和通孔。其中：电子发射层采用AlGaN/GaN超晶格，该超晶格有4到6个周期，每个周期中GaN层和AlGaN层的厚度均为10-20nm，且AlGaN层中的Al组分自下而上由0％线性渐变到15％。本发明能显著减小“死区”长度,降低位错浓度，适用于太赫兹频段工作。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104009157B
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201410272508.7
申请日：2014-06-18
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于双线性渐变Al组分AlGaN电子发射层的GaN耿氏二极管及其制作方法，主要解决现有耿氏器件输出功率低、散热性差的问题。该二极管包括主体部分和辅体部分，该主体部分自下而上为：SiC衬底、AlN成核层、n+GaN阴极欧姆接触层、电子发射层、n‑GaN有源层和n+GaN阳极欧姆接触层；辅体部分包括环形电极、衬底电极、圆形电极、钝化层、开孔和通孔。其中：电子发射层厚度为200～600nm，且采用自下而上先由0％线性渐变到100％，再由100％线性渐变到0％的双线性渐变Al组分AlGaN结构。本发明能显著减小“死区”长度、降低位错浓度，实现大功率输出，适用于太赫兹频段工作。
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公开(公告)号：CN104022220A
公开(公告)日：2014-09-03
申请号：CN201410270942.1
申请日：2014-06-18
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于AlGaN/GaN超晶格电子发射层GaN耿氏二极管及其制作方法，主要解决现有耿氏器件功率低、散热差的问题。该二极管包括主体部分和辅体部分，主体部分自下而上为：SiC衬底、AlN成核层、n+GaN阴极欧姆接触层、电子发射层、n-GaN有源层和n+GaN阳极欧姆接触层；辅体部分包括环形电极、衬底电极、圆形电极、钝化层、开孔和通孔。其中：电子发射层采用AlGaN/GaN超晶格，该超晶格有4到6个周期，每个周期中GaN层和AlGaN层的厚度均为10-20nm，且AlGaN层中的Al组分自下而上由0％线性渐变到15％。本发明能显著减小“死区”长度,降低位错浓度，适用于太赫兹频段工作。
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公开(公告)号：CN112231776B
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202011107123.7
申请日：2020-10-16
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于多参数旁路分析的集成电路硬件木马检测方法。本发明方法的具体步骤为：(1)对集成电路网表进行扇区划分；(2)生成多参数旁路特征向量；(3)得到贝叶斯分类器；(4)检测待测集成电路；(5)对预测标签进行判定。本发明通过扇区划分与生成多参数旁路特征向量，提高了集成电路硬件木马检测的准确率并实现了木马的定位。
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公开(公告)号：CN109032528B
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN201810862072.5
申请日：2018-08-01
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种平板PET系统的在线预处理方法，包括：设置存储原始数据的内存空间以及采集原始数据的时间间隔和总采集时间；根据所述时间间隔和所述总采集时间采集原始数据；将所述原始数据存入所述内存空间并对所述原始数据进行在线预处理，生成预处理后的前向数据。所述装置包括参数设定模块、数据采集模块和数据预处理模块。本发明的在线预处理方法将探测器接收到的原始数据读入计算机内存，在计算机上完成在线预处理，由于内存随时读写，读写速度远快于硬盘，因此对于高活度源，确保能采集到尽可能完整的信息，解决了离线方法采集过程中程序卡顿、采集数据存在大量丢失的问题。
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公开(公告)号：CN104009157A
公开(公告)日：2014-08-27
申请号：CN201410272508.7
申请日：2014-06-18
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于双线性渐变Al组分AlGaN电子发射层的GaN耿氏二极管及其制作方法，主要解决现有耿氏器件输出功率低、散热性差的问题。该二极管包括主体部分和辅体部分，该主体部分自下而上为：SiC衬底、AlN成核层、n+GaN阴极欧姆接触层、电子发射层、n-GaN有源层和n+GaN阳极欧姆接触层；辅体部分包括环形电极、衬底电极、圆形电极、钝化层、开孔和通孔。其中：电子发射层厚度为200～600nm，且采用自下而上先由0％线性渐变到100％，再由100％线性渐变到0％的双线性渐变Al组分AlGaN结构。本发明能显著减小“死区”长度、降低位错浓度，实现大功率输出，适用于太赫兹频段工作。
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