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公开(公告)号：CN113964034B
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202111006450.8
申请日：2021-08-30
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L21/335 , H01L21/02 , H01L29/778
Abstract: 本发明涉及一种基于衬底背面GeSnSi外延层的硅基AlGaN/GaNHEMT及制备方法，该制备方法包括步骤：S1、在Si衬底的背面生长至少一层GeSnSi外延层；S2、在所述Si衬底的正面依次生长AlN成核层、AlGaN阶变层、GaN缓冲层和AlGaN势垒层，形成硅基AlGaN/GaN HEMT器件；S3、对所述硅基AlGaN/GaN HEMT器件进行降温处理。该制备方法在Si衬底的背面设置至少一层GeSnSi外延层，GeSnSi的热膨胀系数比Si大，当生长完AlGaN/GaN HEMT器件进行降温的过程中，由于GeSnSi的热膨胀系数更大，会在衬底中引入一定的压缩应力，对于硅基AlGaN/GaNHEMT器件中的拉伸应力起到一定的抵消作用，从而达到降低翘曲的目的，提高材料的成品率。
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公开(公告)号：CN115236603A
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202210884601.8
申请日：2022-07-26
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种隧道内基于时空关系的毫米波雷达量测异常轨迹处理方法，主要解决现有技术确定隧道内道路平面在雷达坐标系中不准，以及毫米波雷达量测异常轨迹处理依赖相机等传感器时空对准困难的问题，本发明利用高速公路隧道的模型参数确定隧道内道路平面在雷达坐标系中的位置，使得本发明可以获取精确的隧道道路平面的位置信息，滤除隧道外的轨迹，本发明利用轨迹信息中的时间和空间特征，识别发生轨迹分裂的轨迹，对其中生存时间短的轨迹进行删除，识别发生轨迹id切换的轨迹，对缺失部分轨迹进行补齐，使得本发明在不依赖相机数据，就可以实现对异常轨迹的识别处理。
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公开(公告)号：CN114530366A
公开(公告)日：2022-05-24
申请号：CN202210009984.4
申请日：2022-01-05
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种采用低温脉冲层在金刚石上外延β‑Ga2O3薄膜的制备方法及结构，方法包括：制备衬底层(1)；在所述衬底层(1)上制备低温脉冲层(2)；在所述低温脉冲层(2)上制备薄膜层(3)。本发明解决了高温下无法在金刚石衬底层上外延β‑Ga2O3的问题。本发明解决了高温下无法在金刚石衬底上外延β‑Ga2O3的问题。本发明通过引入低温脉冲层，极大减少了氧气对衬底的刻蚀作用。同时显著提升外延层质量，降低了外延层的位错与缺陷，显著提高氧化镓外延层的热导率，对后续的氧化镓异质外延与大功率以及高频电力电子器件提供了良好的材料性能支撑。
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公开(公告)号：CN117517214A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202311479388.3
申请日：2023-11-08
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种旁支型光声池及其构成的多组分检测系统，所述旁支型光声池包括共振结构，共振结构分别与第一旁支增强结构和第二旁支增强结构连通，所述第一旁支增强结构和第二旁支增强结构分别位于共振结构的两端；该检测系统包括信号发生器，光源控制器，激光器，旁支型光声池，麦克风驱动电路，锁相放大器以及上位机；本发明解决了小型化光声池共振频率过高和灵敏度低的技术问题，实现了高灵敏度的多组分气体快速检测，具有体积小、频率低、灵敏度高、多频共振强、易加工、泛用性好特点。
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公开(公告)号：CN114525585A
公开(公告)日：2022-05-24
申请号：CN202210009987.8
申请日：2022-01-05
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种采用预铺Ga层在金刚石上外延β‑Ga2O3薄膜的制备方法及结构，方法包括：制备衬底层(1)；在所述衬底层(1)上制备预铺Ga层(2)；在所述预铺Ga层(2)上制备薄膜层(3)。本发明解决了高温下无法在金刚石衬底层上外延β‑Ga2O3的问题。本发明通过引入预铺Ga层，极大减少了氧气对衬底的刻蚀作用。同时显著提升外延β‑Ga2O3层质量，降低了外延β‑Ga2O3层的位错与缺陷，显著提高氧化镓外延层的热导率，对后续的氧化镓异质外延与大功率以及高频电力电子器件提供了良好的材料性能支撑。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113964179A
公开(公告)日：2022-01-21
申请号：CN202111006471.X
申请日：2021-08-30
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 本发明涉及一种基于包裹埋层和扩散阻挡层的Si基AlGaN/GaN HEMT及制备方法，Si基AlGaN/GaN HEMT，包括依次层叠的Si衬底、扩散阻挡层、AlN成核层、AlGaN阶变层、GaN缓冲层和AlGaN势垒层，其中，Si衬底中设置有N型埋层和隔离层，隔离层设置在Si衬底和N型埋层之间且包裹N型埋层。该AlGaN/GaN HEMT在Si衬底中设置N型埋层和隔离层，隔离层不会将N型埋层中的N型杂质完全掩蔽，N型杂质可以扩散进入Si衬底，从而抵消上层结构中Al扩散引入Si衬底的P型沟道浓度，从而提高衬底电阻率，降低器件的射频损耗；同时在Si衬底和AlN成核层之间设置扩散阻挡层，扩散阻挡层可以实现阻挡Al原子扩散的作用，从而降低衬底中的P型导电掺杂，提高衬底的电阻率，进而降低了衬底的射频损耗。
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公开(公告)号：CN113921376A
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202111004389.3
申请日：2021-08-30
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明涉及一种硅基GaN薄膜及其外延生长方法，外延生长方法包括步骤：S1、往反应室中通入三甲基铝和氨气，在目标温度和目标气体流量下对Si衬底进行预处理；S2、在预处理后的所述Si衬底上外延生长AlN成核层；S3、在所述AlN成核层上生长AlGaN缓冲层；S4、在所述AlGaN缓冲层上生长GaN层。该外延生长方法先对Si衬底进行预处理，然后外延生长外延层，预处理会对Si衬底起到保护作用，使得Si衬底的表面更加平整，有利于之后AlN成核层淀积过程中Al原子的迁移，使之更容易到达平衡位置，此时AlN成核层更倾向于二维模式的生长，从而AlN成核层上的外延层也更倾向于二维模式的生长，有利于阻挡位错的延伸，得到的外延层也会更加平整，有利于提高外延GaN晶体的质量。
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公开(公告)号：CN113937161B
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202111006463.5
申请日：2021-08-30
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/778 , H01L29/10 , H01L21/335
Abstract: 本发明涉及一种带有包裹埋层的Si基AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管及制备方法，高电子迁移率晶体管包括依次层叠的Si衬底、AlN成核层、AlGaN阶变层、GaN缓冲层和AlGaN势垒层，其中，所述Si衬底中设置有N型埋层和隔离层，所述隔离层设置在所述Si衬底和所述N型埋层之间且包裹所述N型埋层。该高电子迁移率晶体管在Si衬底中设置N型埋层和隔离层，隔离层不会将N型埋层中的N型杂质完全掩蔽，N型杂质可以扩散进入Si衬底，从而抵消上层结构中Al扩散引入Si衬底的P型沟道浓度，从而提高衬底电阻率，降低器件的射频损耗。
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公开(公告)号：CN113964179B
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202111006471.X
申请日：2021-08-30
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 本发明涉及一种基于包裹埋层和扩散阻挡层的Si基AlGaN/GaN HEMT及制备方法，Si基AlGaN/GaN HEMT，包括依次层叠的Si衬底、扩散阻挡层、AlN成核层、AlGaN阶变层、GaN缓冲层和AlGaN势垒层，其中，Si衬底中设置有N型埋层和隔离层，隔离层设置在Si衬底和N型埋层之间且包裹N型埋层。该AlGaN/GaN HEMT在Si衬底中设置N型埋层和隔离层，隔离层不会将N型埋层中的N型杂质完全掩蔽，N型杂质可以扩散进入Si衬底，从而抵消上层结构中Al扩散引入Si衬底的P型沟道浓度，从而提高衬底电阻率，降低器件的射频损耗；同时在Si衬底和AlN成核层之间设置扩散阻挡层，扩散阻挡层可以实现阻挡Al原子扩散的作用，从而降低衬底中的P型导电掺杂，提高衬底的电阻率，进而降低了衬底的射频损耗。
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公开(公告)号：CN113948389A
公开(公告)日：2022-01-18
申请号：CN202111004367.7
申请日：2021-08-30
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L21/335 , H01L29/778
Abstract: 本发明涉及一种基于衬底背面SiSn外延层的硅基AlGaN/GaN HEMT及制备方法，该制备方法包括步骤：S1、在Si衬底的背面生长至少一层SiSn外延层；S2、在所述Si衬底的正面依次生长AlN成核层、AlGaN阶变层、GaN缓冲层和AlGaN势垒层，形成硅基AlGaN/GaN HEMT器件；S3、对所述硅基AlGaN/GaN HEMT器件进行降温处理。该制备方法在Si衬底的背面设置至少一层SiSn外延层，当生长完AlGaN/GaN HEMT器件进行降温的过程中，由于SiSn的热膨胀系数比Si大，会在衬底中引入一定的压缩应力，对于硅基AlGaN/GaN HEMT器件中的拉伸应力起到一定的抵消作用，从而达到降低翘曲的目的，提高材料的成品率。
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