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公开(公告)号：CN119562556A
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202411684343.4
申请日：2024-11-22
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H10D30/47 , H10D62/10 , H10D62/85 , H10D62/824 , H10D30/01
Abstract: 本发明公开了一种基于AlN衬底上AlN缓冲层的异质结HEMT器件及制备方法，主要解决现有同类器件缓冲层位错密度高、漏电大、热导率差、电流崩塌严重及沟道二维电子气浓度低的问题。其自下而上包括衬底、缓冲层、沟道层、势垒层、帽层，该帽层的两侧为漏电极和源电极，中间为栅电极，钝化层覆盖在器件顶部，其中，衬底采用AlN单晶衬底；缓冲层，采用厚度为60nm‑400nm的AlN薄膜；势垒层为AlGaN、InAlN、AlN、AlScN及Si掺杂AlGaN中的一种或几种组合；所述钝化层为空气、SiO2、Al2O3、SiNx的一种或几种组合。本发明具有导通电阻低、反向耐压高、输出功率大、栅极漏电小及栅控能力更强的优点，可用作大功率微波射频器件。
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公开(公告)号：CN115561749A
公开(公告)日：2023-01-03
申请号：CN202211242778.4
申请日：2022-10-11
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 一种基于预测网络和更新网络的多目标自适应跟踪方法，实现步骤如下：利用生成的预测网络和更新网络的训练集，分别训练用于从目标历史位置向量中学习运动方式来预测目标位置向量的预测网络，以及用于通过从量测中学习噪声特性来更新目标位置向量的更新网络。利用训练好的预测网络预测目标的位置向量；利用全局最近邻GNN算法，为待跟踪目标分配对应量测；利用训练好的更新网络从量测中更新目标位置向量。本发明通过两种网络分别预测和更新目标的位置，摆脱了模型和噪声先验的限制，使得本发明在跟踪多目标时自适应处理多种运动方式的同时提高了跟踪精度。
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公开(公告)号：CN113990947A
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN202111270972.9
申请日：2021-10-29
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/778 , H01L29/423 , H01L29/10 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种基于埋栅结构的多沟道GaN基高电子迁移率晶体管，主要解决现有AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管栅控能力弱，线性度差，输出电流小的问题，其自下而上包括衬底、缓冲层、GaN基异质结层、GaN帽层、钝化层，GaN基多沟道异质结层及GaN帽层的两侧为源漏极，源漏之间为栅极，每个异质结由本征GaN层(31)、AlN插入层(32)、势垒层(33)堆叠组成，栅极包括多个埋栅(81)和位于钝化层上方的金属场板(82)，每个埋栅贯穿GaN异质结沟道层、GaN帽层及钝化层，上端与金属场板连接，构成多个三栅极结构。本发明提高了晶体管的栅控能力、线性度及输出电流，可用作大功率微波射频器件。
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公开(公告)号：CN117832283A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202410032404.2
申请日：2024-01-09
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/16 , H01L29/423 , H01L29/45 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种SiC上增强型高Al‑AlGaN环栅纳米线场效应晶体管，主要解决现有技术反向耐压能力低，电能损耗大的问题。其包括衬底(1)，沟道层(2)，欧姆接触层(3)，纳米线沟道(4)、栅介质(5)及源漏栅电极，其中衬底采用高热导率SiC材料，沟道层采用高Al‑AlGaN材料，欧姆接触层采用渐变低Al组分AlGaN材料，纳米线沟道采用单一的高Al‑AlGaN材料形成若干条相间分布的纳米线并与沟道层连接；栅介质包裹在高Al‑AlGaN纳米线条外围并悬空于SiC衬底上方。本发明能消除沟道区域的异质结界面，提高器件反向耐压能力，改善栅极漏电问题，降低器件的电能损耗，可用做电力传输和转换的大功率器件。
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