公开(公告)号：CN116953474A

公开(公告)日：2023-10-27

申请号：CN202310744315.6

申请日：2023-06-21

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 张茂林 ,  李腾飞 ,  陶仁贤 ,  汪彦勇 ,  张乐君

IPC: G01R31/28 ,  H01L21/66

Abstract: 本发明公开了一种集成电路芯片内单个器件纵向结构参数的识别方法，包括以下步骤：在裸芯片上确定目标器件；采用聚焦离子束显微镜切割目标器件，暴露出目标器件的截面；通过扫描电子显微镜获取截面的图像，并通过能量色散X射线光谱仪扫描目标器件的横截面，确定每一层钝化层和电极的形貌、尺寸以及化学成分；通过原子力显微镜搭载的扫描电容显微镜对截面进行测试，根据微分电容dC/dV原子力显微镜相位图、微分电容dC/dV原子力显微镜振幅图和微分电容dC/dV信号数据，确定目标器件的阱区的各个层结构的类型、每层结构的横向尺寸和每层结构的纵向尺寸。本发明提高了集成电路芯片中单个器件纵向结构参数识别和测量的便捷性、全面性和准确性。

公开(公告)号：CN113999004A

公开(公告)日：2022-02-01

申请号：CN202111315942.5

申请日：2021-11-08

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 闫养希 ,  覃文杰 ,  李智敏 ,  张东岩 ,  张茂林 ,  靳立 ,  郝跃

IPC: C04B35/468 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明涉及一种无铅高储能密度陶瓷材料及其制备方法，该无铅高储能密度陶瓷材料化学式为：(1‑x)[(1‑y)BaTiO3‑yBi(M′M″)O3]‑xBi0.5Na0.5TiO3，其中，0.1≤x≤0.5，0.03≤y≤0.4，M′为Zn、Mg、Li或Ni，M″为Hf、Ta、Nb或Ti。本发明的无铅高储能密度陶瓷材料，通过将具有很大饱和极化强度的BNT作为第三组元与弛豫铁电体BaTiO3‑Bi(M′M″)O3固溶，得到BT‑BM′M″‑BNT体系，本发明的无铅高储能密度陶瓷材料在显著提高了其饱和极化强度下仍保持了极低的剩余极化强度，并能在极低场强下取得极大的储能密度。

公开(公告)号：CN109850938B

公开(公告)日：2021-07-20

申请号：CN201910064072.5

申请日：2019-01-23

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 任庆利 ,  刘岩伟 ,  张茂林 ,  张志邈 ,  胡启航 ,  权曌

IPC: C01G23/00

Abstract: 本发明公开了一种钛酸锶球状纳米晶体的制备方法，主要解决传统的钛酸锶制备方法复杂、容易产生杂质，钛酸锶粉体的纯度和粒径都很难达到要求的问题。其实现方案是：向配制好的锶钛混合溶液中加入两性表面活性剂十二烷基二甲基胺乙内酯水溶液或椰油酰胺丙基甜菜碱水溶液，获得两性表面活性剂改性的锶钛混合溶液；然后向其加入制备好的氢氧化钠溶液，获得两性表面活性剂改性的锶钛纳米沉淀物；再对该纳米沉淀物依次进行过滤、洗涤、干燥、研磨、烘干、烧结，得到钛酸锶球状纳米晶体。本发明制备操作要求简单，制备周期短，适于工业化生产，样品分散性好，不团聚，具备了晶界层电容器制备要求的特征，能广泛应用在收音机、电视机、计算机电路中。

公开(公告)号：CN110534734A

公开(公告)日：2019-12-03

申请号：CN201910757900.3

申请日：2019-08-16

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 李智敏 ,  张茂林 ,  陈燕 ,  张东岩 ,  闫养希 ,  郝跃

IPC: H01M4/505 ,  H01M4/525 ,  H01M10/0525

Abstract: 本发明公开了一种表面改性富锂锰正极材料的制备方法，该方法包括以下步骤：制备KMnO4紫色溶液，并添加Li1.2Ni0.2Mn0.6O2正极材料，形成紫色混合液；对紫色混合液进行离心、冲洗和真空干燥，得前驱体粉料；对前驱体粉料进行热处理和后处理，得到表面改性富锂锰正极材料。本发明方法在不改变富锂锰正极材料本征性能的基础上，在Li1.2Ni0.2Mn0.6O2正极材料的表面生成了尖晶石相，获得了放电比容量大于290mAh/g的表面改性Li1.2Ni0.2Mn0.6O2正极材料，其首次库伦效率高达85％以上。

公开(公告)号：CN107216130B

公开(公告)日：2019-08-06

申请号：CN201710416675.8

申请日：2017-06-06

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 李智敏 ,  刘治宏 ,  闫养希 ,  张东岩 ,  张茂林 ,  李培咸

IPC: C04B35/01 ,  C04B35/634 ,  C04B35/626

Abstract: 本发明公开的一种PHT‑PNN压电陶瓷材料的制备方法：将碱式碳酸镍粉体和氧化铌粉体混合后球磨再经烘干和煅烧，得到铌酸镍前驱体粉料；分别称取氧化铅粉体、二氧化钛粉体、氧化铪粉体及铌酸镍粉体，将所有物料混合后进行球磨处理，得到基体混合粉料，将基体混合粉料依次进行烘干、煅烧及冷却，得到铪钛酸铅‑铌镍酸铅粉体；将铪钛酸铅‑铌镍酸铅粉体与氟化锂粉体混合后进行球磨，再经烘干得到预合成干粉料；将PVA溶液添加到预合成干粉料进行造粒，将得到的团粒制成坯体；对坯体进行排胶、随炉冷却及高温烧结得到PHT‑PNN压电陶瓷材料。本发明的制备方法能获得高压电性能氟化锂掺杂铪钛酸铅‑铌镍酸铅压电陶瓷材料。

公开(公告)号：CN106024397A

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201610585452.X

申请日：2016-07-22

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 张茂林 ,  李智敏 ,  李金霖 ,  闫养希 ,  郝跃

IPC: H01G9/20 ,  H01G9/042

CPC classification number: H01G9/20 ,  H01G9/042 ,  H01G9/2031

Abstract: 本发明公开的量子点敏化太阳能电池TiO2光阳极缺陷的修复方法：将乙基纤维素、聚乙烯醇及无水乙醇混合得到混合物；将TiO2(P25)粉末与混合物球磨混合得到TiO2浆料；将TiO2浆料通过丝网印刷的方式印刷在FTO导电玻璃基体上，用红外烘干后置于箱式电阻炉中，于空气气氛下进行热处理得到TiO2光阳极薄膜；将冷却处理后的钛酸四丁酯与无水乙醇混合均匀，得到钛酸四丁酯的无水乙醇溶液；将钛酸四丁酯的无水乙醇溶液旋涂于TiO2光阳极薄膜上，得到待处理薄膜；将待处理薄膜经红外烘干后于气氛炉中进行热处理，得到经过修复的TiO2光阳极薄膜。本发明的修复方法能修复TiO2材料表面和界面缺陷。

公开(公告)号：CN104387067B

公开(公告)日：2016-04-20

申请号：CN201410571175.8

申请日：2014-10-23

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 李智敏 ,  黄云霞 ,  张茂林 ,  马晓华 ,  仲鹏

IPC: C04B35/515 ,  C04B35/626

Abstract: 本发明公开的高介电损耗钛硅碳粉体微波吸收剂的制备方法，具体按照以下步骤实施：步骤1、先分别称取钛粉Ti、硅粉Si、碳化钛粉TiC及铝粉Al，再将称取的钛粉Ti、硅粉Si、碳化钛粉TiC及铝粉Al经球磨混合，制备出混合粉体A；步骤2、将步骤1得到的混合粉体A过200目筛，以破除团聚物，得到混合粉体B，混合粉体B的平均粒径为74μm以下；步骤3、将经步骤2得到的混合粉体B置于真空烧结炉中，先进行抽真空处理，然后进行高温固相反应，制备得到Al掺杂的高纯度Ti3SiC2相粉体微波吸收剂。本发明的制备方法，解决了现有Ti3SiC2材料存在的低纯度及低微波介电损耗的问题。

公开(公告)号：CN119521804A

公开(公告)日：2025-02-25

申请号：CN202411703887.0

申请日：2024-11-26

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 张东岩 ,  闫养希 ,  张茂林 ,  李智敏

IPC: H10F30/24 ,  H10F77/124

Abstract: 本发明涉及红外光电探测器研究领域，具体涉及一种基于InGaAs三角势垒结构的室温非制冷红外光电探测器；自下而上依次包括衬底、n型掺杂的III‑V化合物半导体层、i型半导体层、δ‑p型掺杂的III‑V化合物半导体层、i型半导体层和n型掺杂的III‑V化合物半导体层，所述n型掺杂的III‑V化合物半导体层均设置有电极；能够改善传统半导体型光电探测器受到室温影响造成的背景噪声较大，灵敏度较低的问题，实现室温的红外探测。

公开(公告)号：CN117769230A

公开(公告)日：2024-03-26

申请号：CN202311480283.X

申请日：2023-11-08

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 张茂林 ,  张乐君 ,  汪彦勇

IPC: H05K9/00

Abstract: 本申请涉及电子信息材料制备技术领域，更具体地说，它涉及一种低频电磁波吸波涂层粉体制备方法。所述制备方法的具体步骤为A：采用高能球磨制备片状软磁合金粉；B：将所述片状软磁合金粉进行退火处理；C：将退火后的所述粉体进行表面处理；D：将表面处理后的所述粉体进行乳化处理；所述软磁合金粉采用FeSiAl软磁合金粉体，所述FeSiAl软磁合金粉体作为吸波材料主体成分，通过高能球磨法球磨形成片状粉末。对FeSiAl软磁合金粉进行表面改性，构筑兼具介电损耗和磁损耗的复合吸波材料，提高其阻抗匹配特性，是提高其吸波性能的重要方向。

公开(公告)号：CN113121215A

公开(公告)日：2021-07-16

申请号：CN202110323683.4

申请日：2021-03-26

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 李智敏 ,  罗丰 ,  闫养希 ,  张东岩 ,  张茂林

IPC: C04B35/26 ,  C04B35/622 ,  C04B35/634 ,  B05B17/06

Abstract: 本发明提供的一种无铅压电陶瓷、雾化片及制备方法，通过痕量Mn离子取代Fe离子，能够显著提高材料的三方畸变，降低材料的对称性，通过提高压电性能的本征贡献，进而显著提高材料的宏观压电性能。因此制备出的用于雾化片的无铅压电陶瓷可以有效避免PZT压电陶瓷材料在生产、服役和废弃过程中带来的铅污染问题，避免了对人类和环境造成的危害；由于BF‑BT高的居里温度，制成的雾化片具有较好的抗干烧能力，同时具有很好的抗老化特性，并且不存在水解问题，可以很好的在水基溶液中工作，具有相界宽、性能稳定的特点，有利于保证大规模生产的产品一致性，提高良品率降低成本。相较于KNN陶瓷制备的雾化片具有明显的优势。