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公开(公告)号：CN112670695A
公开(公告)日：2021-04-16
申请号：CN202011530285.1
申请日：2020-12-22
Applicant: 西安电子科技大学 , 西安电子科技大学芜湖研究院
Abstract: 本发明公开了一种基于无金工艺的微带传输线结构及制备方法，制备方法包括：选取半导体基片；在半导体基片上制备绝缘层；在绝缘层上制备钝化层；在钝化层上制备微带线金属开孔区；在微带线金属开孔区以及未开孔的钝化层上进行光刻，以暴露微带线金属开孔区；在微带线金属开孔区内依次制备第一微带金属层和第二微带金属层；在第一微带金属层侧壁、第二微带金属层上及第二微带金属层侧壁制备钝化层。本发明采用粘附性好的Ti金属材料作为第一层微带线金属，从而增大了接触面积，降低了接触电阻，且用Ti金属材料作为第一层微带线金属，所需制备的金属层的厚度将大大降低，从而本发明所制备的微带传输线结构不仅具有良好的微波特性，降低了制造成本。
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公开(公告)号：CN112670695B
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202011530285.1
申请日：2020-12-22
Applicant: 西安电子科技大学 , 西安电子科技大学芜湖研究院
Abstract: 本发明公开了一种基于无金工艺的微带传输线结构及制备方法，制备方法包括：选取半导体基片；在半导体基片上制备绝缘层；在绝缘层上制备钝化层；在钝化层上制备微带线金属开孔区；在微带线金属开孔区以及未开孔的钝化层上进行光刻，以暴露微带线金属开孔区；在微带线金属开孔区内依次制备第一微带金属层和第二微带金属层；在第一微带金属层侧壁、第二微带金属层上及第二微带金属层侧壁制备钝化层。本发明采用粘附性好的Ti金属材料作为第一层微带线金属，从而增大了接触面积，降低了接触电阻，且用Ti金属材料作为第一层微带线金属，所需制备的金属层的厚度将大大降低，从而本发明所制备的微带传输线结构不仅具有良好的微波特性，降低了制造成本。
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公开(公告)号：CN113794447B
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202110881464.8
申请日：2021-08-02
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种有源倍频器，包括依次连接的输入匹配网络、耦合网络、有源倍频核以及输出匹配网络，其中，所述耦合网络包括功分器网络和耦合器网络；所述输入匹配网络的一端连接信号输入端，另一端连接所述功分器网络的输入端；所述功分器网络的输出端连接所述耦合器网络的输入端，所述耦合器网络的输出端连接所述倍频核。本发明提供的有源倍频器不仅可以简化电路结构，减小电路面积，降低设计难度；还能够实现较宽的带宽，确保了倍频器的输出信号稳定性，同时提升了信号隔离度，进而提升了电路性能。
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公开(公告)号：CN112653395B
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202011572921.7
申请日：2020-12-24
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种提高多级MMIC功率放大器增益平坦度的电路设计方法，包括根确定多级级联MMIC功率放大器的级联个数以及每一级所需要并联的晶体管个数；对多级级联MMIC功率放大器进行稳定性分析得到平衡增益稳定网络的添加结果；在每一级晶体管的栅极添加平衡增益稳定网络，且晶体管的稳定因子K值均大于预设阈值；将工作频段划分为与级联个数的数量相等的若干子工作频段；调节平衡增益稳定网络的参数，以使多级级联MMIC功率放大器的每一级晶体管的增益在对应的子工作频段的稳定因子K值不同；得到最终的多级级联MMIC功率放大器。本发明提在实现多级晶体管级联后，整体的电路性能有所提升，实现功放平坦小信号增益的设计，从而能够满足卫星通讯等应用的需求。
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公开(公告)号：CN115630603A
公开(公告)日：2023-01-20
申请号：CN202211221909.0
申请日：2022-10-08
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G06F30/392 , H01L29/778
Abstract: 本发明提供了一种基于并联子器件的GaN Fin‑like HEMT建模方法，通过获取GaN Fin‑like HEMT的结构信息从而确定器件包含的栅下区域；确定本征参数对应的本征电路结构；将刻蚀区域的本征电路结构与非刻蚀区域的本征电路结构进行并联，以构建GaN Fin‑like HEMT的本征等效电路模型，从而提升模型对器件本征参数非线性特性的表征精度，之后对本征等效电路模型进行简化，以提高电路分析效率，利用简化模型分析GaN Fin‑like HEMT的本征参数，获得分析结果。因此本发明实现对GaN Fin‑like HEMT的本征参数的准确拟合，提供给研发人员从而降低研发周期以及投入成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113113479A
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN202110262423.0
申请日：2021-03-10
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/20 , H01L29/205 , H01L29/423 , H01L29/45 , H01L21/335 , H01L29/778
Abstract: 本发明涉及一种基于新型自对准技术的GaN基毫米波功率器件及其制备方法，该方法包括：S1：在衬底上生长GaN基异质结；S2：在GaN基异质结上生长n+GaN帽层；S3：利用离子注入设备，在器件的两侧形成隔离区；S4：在欧姆区域的n+GaN帽层上淀积金属，形成源极和漏极；S5：在源极和漏极之外的区域淀积钝化层；S6：采用干法刻蚀工艺对栅极区域的钝化层进行刻蚀，形成凹槽；S7：采用干法刻蚀工艺对凹槽下方的n+GaN帽层进行自终止刻蚀，形成栅极凹槽；S8：在栅极凹槽侧壁淀积绝缘层，并在具有绝缘层的栅极凹槽淀积金属形成栅极。本发明的制备方法，与常规自对准工艺制备方法相比，避免了制备难度高、工艺复杂的MBE欧姆再生长环节，使得制备工艺更加简化。
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公开(公告)号：CN113097679A
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN202110262417.5
申请日：2021-03-10
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01P5/16
Abstract: 本发明涉及一种用于MMIC电路中的小型威尔金森功分器，包括介质层、附着在介质层一侧的金属导带层、以及附着在介质层另一侧的接地金属层，金属导带层包括：输入端口、至少2路传输微带线、输出端口、梯形结构微带线、矩形结构微带线、隔离模块，其中，输出端口的个数与传输微带线的路数相匹配，传输微带线的一端与输入端口连接，另一端与对应的输出端口连接；梯形结构微带线与输入端口连接；矩形结构微带线的个数与输出端口的个数相匹配，矩形结构微带线与对应的输出端口连接；隔离模块连接在相邻两个输出端口之间，隔离模块包括依次串接的第一隔离电容、隔离电阻和第二隔离电容。本发明的威尔金森功分器，缩小了威尔金森功分器的分支尺寸。
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公开(公告)号：CN112821871A
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：CN202011606713.4
申请日：2020-12-28
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于电流复用驱动电路的Doherty功放芯片，Doherty功放芯片包括：前级驱动放大器A，用于提高信号的增益；末级Doherty功放B，所述末级Doherty功放B连接所述前级驱动放大器A，用于对增益提高后的信号进行功率放大。本发明通过将前两级的驱动电路用带有串联谐振网络的电流复用结构来实现，该技术可以提供20dB以上的增益、减小静态功耗，其中的串联LC谐振用于增强频带选择能力。由于其结构比两级级联简单，更有利于实现在芯片上的集成。
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公开(公告)号：CN112653395A
公开(公告)日：2021-04-13
申请号：CN202011572921.7
申请日：2020-12-24
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种提高多级MMIC功率放大器增益平坦度的电路设计方法，包括根确定多级级联MMIC功率放大器的级联个数以及每一级所需要并联的晶体管个数；对多级级联MMIC功率放大器进行稳定性分析得到平衡增益稳定网络的添加结果；在每一级晶体管的栅极添加平衡增益稳定网络，且晶体管的稳定因子K值均大于预设阈值；将工作频段划分为与级联个数的数量相等的若干子工作频段；调节平衡增益稳定网络的参数，以使多级级联MMIC功率放大器的每一级晶体管的增益在对应的子工作频段的稳定因子K值不同；得到最终的多级级联MMIC功率放大器。本发明提在实现多级晶体管级联后，整体的电路性能有所提升，实现功放平坦小信号增益的设计，从而能够满足卫星通讯等应用的需求。
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公开(公告)号：CN113820666A
公开(公告)日：2021-12-21
申请号：CN202110882688.0
申请日：2021-08-02
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G01S7/282
Abstract: 本发明公开了一种射频前端发射模块，包括依次连接的有源倍频器、功率放大器和移相器；有源倍频器包括依次连接的输入匹配网络、耦合网络、有源倍频核以及输出匹配网络，其中，耦合网络包括功分器网络和第一耦合器网络；移相器包括依次连接的第一开关网络、第二耦合器网络以及第二开关网络；第一开关网络的输入端连接功率放大器的输出端，第二开关网络的输出端为整个射频前端发射模块的输出端。本发明提供的射频前端发射模块大大提高了芯片集成度，减小了模块面积；且大大降低了各部分的级联损耗，有利于提升模块整体性能。
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