公开(公告)号：CN118866953A

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202410880474.3

申请日：2024-07-02

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 赵胜雷 ,  曹创哲 ,  张进成 ,  宋秀峰 ,  张嘎 ,  李道远 ,  于恒懿 ,  郝跃

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明公开了一种具有栅漏间p‑GaN埋层的凹槽MIS增强型HEMT及其制备方法，属于半导体技术领域，该凹槽MIS增强型HEMT包括：衬底；依次位于衬底表面的AlN成核层、第一GaN缓冲层、栅漏间p‑GaN埋层、第二GaN缓冲层、GaN层和AlGaN势垒层，AlGaN势垒层包括凹槽；位于凹槽内的p‑GaN层；依次位于p‑GaN层表面的栅介质层和栅电极，以及相对设置于AlGaN势垒层表面的源电极和漏电极；在第一方向上，栅漏间p‑GaN埋层的至少部分正投影位于栅、漏电极的正投影之间。栅漏间p‑GaN埋层能够缓解整个栅漏之间的电场分布，电场缓解效果更优，有利于增大器件的击穿电压，并减小器件的泄露电流。

公开(公告)号：CN116913959A

公开(公告)日：2023-10-20

申请号：CN202310843058.1

申请日：2023-07-10

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 赵胜雷 ,  张嘎 ,  张进成 ,  于恒懿 ,  游淑珍 ,  于龙洋 ,  刘志宏 ,  郝跃

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335 ,  H01L29/06 ,  H01L29/47 ,  H01L29/423

Abstract: 本申请实施例涉及半导体器件技术领域，特别涉及一种具有肖特基岛结构的抗单粒子P‑GaN晶体管及其制备方法，该晶体管包括：衬底、成核层、缓冲层、沟道层和势垒层，以及源极、漏极、氮化物层和钝化层、至少一个位于势垒层上方的肖特基岛以及位于氮化物层上的栅极；其中，源极和漏极分别与势垒层形成欧姆接触；氮化物层位于源极和漏极之间，钝化层位于源极和氮化物层之间、氮化物层和漏极之间；肖特基岛位于氮化物层的一侧或两侧，且肖特基岛与所述势垒层形成肖特基接触；栅极的底部与氮化物层形成欧姆接触或肖特基接触。本申请实施例能够解决常规HEMT器件在较低工作电压下容易发生烧毁的问题，提高了P型氮化物栅HEMT器件的单粒子烧毁电压。

公开(公告)号：CN118173558A

公开(公告)日：2024-06-11

申请号：CN202410153176.4

申请日：2024-02-02

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 赵胜雷 ,  于恒懿 ,  张进成 ,  宋秀峰 ,  张嘎 ,  孙雪晶 ,  郝跃

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/8252 ,  H01L29/45 ,  H01L29/47

Abstract: 本申请实施例涉及半导体器件技术领域，特别涉及一种单片集成的全GaN共源共栅场效应晶体管及其制备方法，该晶体管包括：衬底、成核层、缓冲层、沟道层和势垒层；势垒层包括第一区和第二区；第一区上开设贯穿势垒层的栅下凹槽，栅下凹槽内依次设有栅下增强层、第一栅极，栅下增强层为槽状结构，第一栅极位于栅下增强层的上方，且栅下增强层包覆第一栅极的底面和部分侧面；栅下增强层的底面与势垒层底面齐平，第二区设有第二栅极；第一区和第二区上均设有源极和漏极。本申请采用增强型GaN器件取代Si MOSFET，从而解决器件在快速开关时产生不希望的振荡的问题，并提高开关速度，同时由于器件的高压部分由耗尽型GaN来承担，使得器件具备较高的可靠性。