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公开(公告)号：CN112510367A
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN202011118229.7
申请日：2020-10-19
Applicant: 西安朗普达通信科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种谐振式去耦芯片，包括多个周期性的谐振式去耦单元，谐振式去耦单元包括一个王字形去耦结构和两个艹字形微带结构，两个艹字形微带结构对称分布于王字形去耦结构两侧，艹字形微带结构一侧的两个凸起位于王字形去耦结构一侧的两个开槽内。一个艹字形微带结构的外侧两个凸起分别连接相邻天线，另一个艹字形微带结构的外侧两个凸起分别连接天线馈电端。本发明采用两个采用同轴底馈、工作在相同频段的艹字形微带结构沿王字形去耦结构紧密摆放，其中王字形去耦结构是在常规微带结构中产生缺陷而构建的。由于引入折叠槽，微带上的慢波因子增加，从而干扰流过微带结构的电流，这相当于产生一个能够阻止谐振频率下的表明电流的带隙。
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公开(公告)号：CN112164872A
公开(公告)日：2021-01-01
申请号：CN202010892193.1
申请日：2020-08-31
Applicant: 西安朗普达通信科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种5G多频天线，包括基板B10及基板B10上设置的三组独立天线：第一天线A1、第二天线A2以及第三天线A3，第一天线A1的天线频段为2500‑4900MHz，第二天线A2的天线频段为1500‑2700MHz，第三天线A3的天线频段为824‑960MHz，1710‑2700MHz；三组天线印刷在基板B10板上，通过三根同轴线进行外部馈电。本发明天线结构紧凑，隔离度高，可以有效减少5G设备的天线数量。它具有多个频段的响应，并且具有出色的性能；它结构简单，体积小，重量轻，制造方便，可大量生产。
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公开(公告)号：CN111600127A
公开(公告)日：2020-08-28
申请号：CN202010460214.2
申请日：2020-05-27
Applicant: 西安朗普达通信科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种新型阵列天线系统，包括由上到下的上层周期谐振单元结构层、上层介质基板层、阵列天线单元、下层周期谐振单元结构层、下层介质基板层；所述上层周期谐振单元结构层覆于上层介质基板层上，组成上层超表面覆层，所述下层周期谐振单元结构层覆于下层介质基板层上，组成下层超表面覆层，取代天线的反射板，上层超表面覆层通过介质支撑柱或者设计成天线罩，覆盖于天线阵列上方。本发明用超表面代替天线阵的反射板，反射板超表面的周期结构可以与天线上方的超表面周期结构相同或者对称，也可以通过调节上下层之间的距离，来满足降低天线剖面高度的目的。
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公开(公告)号：CN111555029A
公开(公告)日：2020-08-18
申请号：CN202010418303.0
申请日：2020-05-18
Applicant: 西安朗普达通信科技有限公司
IPC: H01Q1/52
Abstract: 本发明公开了一种采用柔性超表面薄膜改善天线阵列耦合性能的方法，所述柔性超表面薄膜，包括柔性基材及其上表面的周期性谐振单元层；柔性超表面薄膜的柔性基材下表面通过背胶贴在天线支架或者天线罩上，覆盖于线极化天线阵列上方或者两两天线单元之间。通过调节柔性超表面薄膜内的谐振单元尺寸、谐振单元间距以及覆层与天线阵列之间的间距，可以使得在设计者所指定的频段内，天线阵列各单元之间的耦合能够有效降低到-15dB以下，将天线单元的辐射效率提高10%以上。本发明所公开的采用柔性超表面薄膜去耦的方法，适用于任意线极化、双极化及圆极化天线单元组成的任意频段的天线阵列。
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公开(公告)号：CN111430904A
公开(公告)日：2020-07-17
申请号：CN202010363095.9
申请日：2020-04-30
Applicant: 西安朗普达通信科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种用于改善天线阵列耦合性能的去耦天线罩及其改善方法，去耦天线罩包括由上到下的表面玻璃纤维层、周期谐振单元结构层、介质基板层；所述周期谐振单元结构层采用多层结构形式，多层周期谐振单元结构层分别印刷在天线罩介质基板层的内表面、外表面，以及中间层；多层周期谐振结构单元层依次级联设计。本发明采用去耦天线罩来改善阵列天线单元之间的耦合性能，通过对天线罩内部的谐振单元尺寸、谐振单元间距以及覆层与阵列天线的高度、天线罩介质基板的介电常数和厚度进行调整，使得在阵列天线上方加载去耦天线罩后，所述原阵列天线的匹配良好。各单元间耦合降低，隔离度提高，增益有所提高，辐射效率增加。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112510368B
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202011118276.1
申请日：2020-10-19
Applicant: 西安朗普达通信科技有限公司
Abstract: 本发明公开了可调谐双频去耦芯片，包括分别分布在上、下两层的低频去耦单元和高频去耦单元；所述低频去耦单元四个呈田字分布的金属开口谐振环，四个金属开口谐振环相互连接在一起，四个金属开口谐振环开口分别在去耦芯片的四个方向上；所述高频去耦单元包括一个口字形金属框，设置在低频去耦单元正下方，口字形金属框四个方向都有开口。本发明通过设计特殊结构的复合谐振环，并通过低温共烧陶瓷技术，集成芯片，该芯片在一定的频带内产生单负特性，用于天线之间去耦，同时由于在芯片上加载低频和高频两个去耦单元，实现双频段去耦。同时在芯片内部添加PIN二极管，调节芯片的工作频段，实现可调双频去耦。
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公开(公告)号：CN112563748B
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202011379717.3
申请日：2020-12-01
Applicant: 西安朗普达通信科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种非对称去耦结构及基站天线系统，该非对称去耦结构包括：非对称金属微带结构以及介质支架；非对称金属微带结构包括至少两条非等尺寸的金属微带；各个金属微带平行设置，通过绝缘的介质支架架设在基站天线的基板上；金属微带的长度为(1/2±10%)λ，其中λ为等效介质中波长。利用场对消方法实现互帮抑制，具有较低的辐射能力，在保持去耦效能的同时并不恶化天线的辐射性能，该结构可用于抑制紧密摆放的微带天线间的互耦，解决无源去耦结构对天线辐射场的影响问题，降低天线单元之间的互扰，尤其适用于基站的阵列多天线系统。
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公开(公告)号：CN112510368A
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN202011118276.1
申请日：2020-10-19
Applicant: 西安朗普达通信科技有限公司
Abstract: 本发明公开了可调谐双频去耦芯片，包括分别分布在上、下两层的低频去耦单元和高频去耦单元；所述低频去耦单元四个呈田字分布的金属开口谐振环，四个金属开口谐振环相互连接在一起，四个金属开口谐振环开口分别在去耦芯片的四个方向上；所述高频去耦单元包括一个口字形金属框，设置在低频去耦单元正下方，口字形金属框四个方向都有开口。本发明通过设计特殊结构的复合谐振环，并通过低温共烧陶瓷技术，集成芯片，该芯片在一定的频带内产生单负特性，用于天线之间去耦，同时由于在芯片上加载低频和高频两个去耦单元，实现双频段去耦。同时在芯片内部添加PIN二极管，调节芯片的工作频段，实现可调双频去耦。
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公开(公告)号：CN111817004A
公开(公告)日：2020-10-23
申请号：CN202010703815.1
申请日：2020-07-21
Applicant: 西安朗普达通信科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种采用寄生贴片改善AMC材料带宽性能的方法，所述AMC材料置于天线后方，包括介质基板及其表面支撑的周期性的谐振单元结构；所述方法包括：给周期性的谐振单元添加周期性的寄生贴片结构，增加AMC材料尺寸。所述周期性的谐振单元结构为若干枝节组成的中心对称的风车结构；通过对每个枝节直接添加寄生贴片对其频段进行调整，使得谐振单元的频率向低频移动，增加带宽。本发明通过给风车结构的每个枝节增加寄生贴片来引入新谐振点，可以使得在设计者所指定的频段外使频段增加一倍，并向低频移动300M，从而实现带宽的扩展和低频化。本发明所公开的采用加寄生贴片扩展频带的方法，理论上适用于任意单元组成的1.95GHz-2.15GHz频段的天线阵列。
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公开(公告)号：CN111600128A
公开(公告)日：2020-08-28
申请号：CN202010460218.0
申请日：2020-05-27
Applicant: 西安朗普达通信科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种新型去耦表面覆层，由多层均匀介质依次叠加而成，形成特定电磁波折射率，安装在多天线系统的上方。通过对去耦表面覆层的不同介质的介电常数的选取、每一层介质的厚度、以及覆层与天线系统的高度的调整，使得含有所述去耦表面覆层的多天线系统的各单元间耦合降低，隔离度提高，多天线系统的增益提高，带宽提升，辐射效率增加。本发明利用电磁波在渐变多层介质中的传播过程是一个逐渐改变传播方向的过程。在渐变折射率介质内部发生多次小角度的折射，通过设置特定的介质折射率，可以控制电磁波的传播方向。将这样的表面覆层安置在多天线系统中的天线单元的上方，可以降低单元天线之间的耦合，提高天线增益。
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