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公开(公告)号：CN118523063A
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202410589952.5
申请日：2024-05-13
Applicant: 西安微电子技术研究所 , 西北工业大学
IPC: H01Q1/22 , H01Q5/25 , H01Q1/50 , H01Q1/48 , H01Q1/24 , H01Q1/28 , H01L25/07 , H01L23/31 , H01L23/48 , H01L23/485 , H01L23/66 , H01L21/56
Abstract: 本发明公开了一种超宽带射频数字天线一体化收发微模组及方法，本一体化收发微模组包括一体化天线阵列层、射频前端层和数字处理层；一体化天线阵列层、射频前端层和数字处理层，基于TSV工艺由上至下堆叠，形成垂直互联的三维堆叠结构，在一体化天线阵列层、射频前端层和数字处理层的硅基板均设置了互联渐变结构件，实现了三维堆叠结构的超宽带互联匹配，实现了0.8‑40GHz超宽带匹配设计；采用本结构能够使得射频、数字、天线单元集成于一体，具有集成度高、可靠性高的优点；同时，本结构基于TSV的三维立体堆叠技术，实现射频、数字、天线不同功能层的独立设计，即实现小型化设计，又方便后续不同功能层的灵活立体集成，具有良好的推广应用价值。
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公开(公告)号：CN118943125A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202411007252.7
申请日：2024-07-25
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H01L23/552 , H01L23/10 , H01L21/52
Abstract: 本发明涉及电磁屏蔽技术领域，具体为一种基于石墨烯的芯片电磁屏蔽结构，包括盖板、管壳和芯片，管壳呈上方开口结构，芯片固定于管壳内部，盖板设置于管壳的开口处，盖板包括盖板基座和薄膜，薄膜设置于盖板基座朝向管壳内部的下表面上；薄膜由石墨烯材料制成，薄膜的方阻为400Ω/sq，薄膜的厚度小于10μm。本发明利用盖板上的石墨烯的高吸波特性和二维平面结构特性，屏蔽电磁波，保护芯片免受外界环境影响及屏蔽腔体自身谐振特性影响。
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公开(公告)号：CN119181953A
公开(公告)日：2024-12-24
申请号：CN202411386614.8
申请日：2024-09-30
Applicant: 西安微电子技术研究所
Abstract: 本发明涉及封装天线领域，具体涉及一种基于紧耦合理论LTCC的集成天线及其应用。包括由上至下依次相连的上层介质层、天线阵列、下层介质层、第一金属地板、圆极化器馈电网络以及第二金属地板；天线阵列包括若干排列设置的子阵单元，子阵单元包括X极化辐射贴片以及Y极化辐射贴片，X极化辐射贴片末端与Y极化辐射贴片末端交叠设置。本发明将LTCC应用于结构中，通过LTCC较高的介电常数有利于电子器件的小型化，实现了超宽带、高增益的效果，同时通过验证本结构的低剖面、宽频带的性能，与现有技术相比，本发明结构设计能达到更好的效果，解决了在现有结构在通信系统应用受限的问题。
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公开(公告)号：CN117673006A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202311371536.X
申请日：2023-10-20
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H01L23/48 , H01L23/488 , H01L23/52 , H01L23/535 , H01L25/00 , H04B1/16
Abstract: 本发明公开了一种基于TSV工艺的多通道高OIP3接收微模组及其工作方法，涉及电子通信技术领域。包括第一功能层，在第一功能层之上堆叠第二功能层，第一功能层底部设置底层焊球，在第一功能层和第二功能层的侧边设置TSV通孔；第一功能层，用于布设直通链路；第一功能层上设置接收通断切换开关；第二功能层，用于布设放大滤波链路，第二功能层上设置低噪放、滤波器、功放和功分器，低噪放用于一级放大，功放用于二级放大。本发明能够实现多通道自由切换配置，可以根据需要灵活配置通道需求，提高了整体链路的OIP3，可以支持更高的功率使用场景，提高了产品集成度，并实现较高的性能指标。
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