-
公开(公告)号：CN112953490B
公开(公告)日：2023-06-13
申请号：CN202110218553.4
申请日：2021-02-26
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H03K17/687
Abstract: 本发明公开了一种可编程的驱动电路，包括两个驱动放大器和一个模拟开关；两个驱动放大器的第一输出端分别连接模拟开关的两个输入端，两个驱动放大器的第二输出端分别连接有多个逻辑电路输入端，模拟开关多个输出端分别连接有多个逻辑电路输入端，逻辑电路输出端连接有MOSFET开关管的栅极，多个MOSFET开关管依次串联，相邻的MOSFET开关管源极和漏极连接，其中两个MOSFET开关管之间连接有信号输入正VIN+，信号输入正VIN+相对位置的两个MOSFET开关管之间接保护地。能够满足在线编程的驱动功能，实现MOSFET开关管的逻辑电路的在线重构功能。
-
公开(公告)号：CN112953477A
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN202110217574.4
申请日：2021-02-26
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H03K7/08
Abstract: 本发明公开了一种电流型推挽拓扑全互补驱动电路及方法，二极管V1正极连接PWM发生芯片的PWMA输出端，二极管V1负极通过电阻R1连接开关管A的栅极，二极管V3并联于电阻R1两端，电容C1串联在电阻R1与开关管A源极之间，三极管Q1集电极连接电阻R1与二极管V1负极；二极管V2正极连接PWM发生芯片PWMB输出端，二极管V2负极通过电阻R2连接开关管B的栅极，二极管V4并联于电阻R1两端，电容C2串联在电阻R2与开关管B源极之间，三极管Q2集电极连接电阻R2与二极管V2负极。利用互锁逻辑和电平维持，实现功率管状态自动切换及全互补导通，且重叠导通时间可通过电路参数进行配置。
-
公开(公告)号：CN112821743A
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：CN202110222734.4
申请日：2021-02-26
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H02M1/32
Abstract: 本发明提供了一种基于智能诊断的电源关键硬件重构单元结构，通过采集电源工作状态和特性参数，基于电源智能健康诊断技术，在线实时预测或判断电源故障形式，并据此针对故障部位进行硬件在线重构，通过在关键硬件单元分配若干条关键硬件支路，对于带有故障信息的关键硬件实行在线重构，实现对故障的隔离并确保电源继续可靠工作，大大保证了开关电源的功率电路中电源工作的正常输入和输出，适用于需要高可靠性、长寿命工作且故障后无法进行更换器件的应用环境。
-
公开(公告)号：CN119315808A
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202411532813.5
申请日：2024-10-30
Applicant: 西安微电子技术研究所
Abstract: 本发明公开一种宽范围占空比变化的自适应驱动电路及方法，包括开关电源驱动电路以及设置在开关电源驱动电路中的检测翻转电路，检测电路与翻转电路连接，通过检测线路中功率开关器件在电源产品运行中的实时电压应力，当电压应力达到设定值时，检测电路将发生状态翻转，运算放大器N1输出高电平，使线路上的驱动电阻增大，降低器件电压应力或降低开关器件的损耗，从而使产品在宽范围占空比变化的情况下，更易于功率开关器件的选型。
-
公开(公告)号：CN112953477B
公开(公告)日：2023-06-13
申请号：CN202110217574.4
申请日：2021-02-26
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H03K7/08
Abstract: 本发明公开了一种电流型推挽拓扑全互补驱动电路及方法，二极管V1正极连接PWM发生芯片的PWMA输出端，二极管V1负极通过电阻R1连接开关管A的栅极，二极管V3并联于电阻R1两端，电容C1串联在电阻R1与开关管A源极之间，三极管Q1集电极连接电阻R1与二极管V1负极；二极管V2正极连接PWM发生芯片PWMB输出端，二极管V2负极通过电阻R2连接开关管B的栅极，二极管V4并联于电阻R1两端，电容C2串联在电阻R2与开关管B源极之间，三极管Q2集电极连接电阻R2与二极管V2负极。利用互锁逻辑和电平维持，实现功率管状态自动切换及全互补导通，且重叠导通时间可通过电路参数进行配置。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119805992A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202411840476.6
申请日：2024-12-13
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: G05B19/042
Abstract: 本发明一种基于单片机控制的ZVSBUCK电路及其工作方法，电路包括单片机控制电路、ZVS开关拓扑电路、BUCK电路主体部分以及辅助电路；单片机控制电路用于接收输入信号，并通过处理后输出PWM控制信号；ZVS开关拓扑电路用于基于PWM控制信号，实现ZVS开关拓扑电路中开关器件的零电压导通和关断；BUCK电路主体部分用于实现DC‑DC电压转换；辅助电路用于为电路提供电源和信号条件，并保护电路的运行。本发明的电路结构简单，成本控制较佳，实现电路精确控制，开关器件的零电压导通和关断，有效消除了开关损耗和米勒电荷效应，提高了电路效率，保持了电源系统的高功率密度和优异的动态响应性能。
-
公开(公告)号：CN118713007A
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202410738901.4
申请日：2024-06-07
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H02H3/20
Abstract: 本发明公开了一种交流输入过压保护电路及其工作方法，属于过压保护电路领域，本电路包括线性稳压供电电路和过压切断电路；通过线性稳压供电电路为过压切断电路提供稳定的基准电压，确保过压切断电路在交流电源输入电压超出预设保护值时能够准确、可靠地切断母线，保护整个工作电路免受过压损害；过压切断电路中，通过分立器件搭建的保护线路实现了非隔离式的保护线路，大大提高了保护线路的响应速度以及可靠性；用滞回比较器的电路形式由比较器U1A及周围电路组成，确保发生保护时在一定范围内可以锁定保护状态，防止反复退出保护从而损伤MOS管；本电路的结构和原理简单，采用本电路能够提高保护线路的响应速度。
-
公开(公告)号：CN112953490A
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN202110218553.4
申请日：2021-02-26
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H03K17/687
Abstract: 本发明公开了一种可编程的驱动电路，包括两个驱动放大器和一个模拟开关；两个驱动放大器的第一输出端分别连接模拟开关的两个输入端，两个驱动放大器的第二输出端分别连接有多个逻辑电路输入端，模拟开关多个输出端分别连接有多个逻辑电路输入端，逻辑电路输出端连接有MOSFET开关管的栅极，多个MOSFET开关管依次串联，相邻的MOSFET开关管源极和漏极连接，其中两个MOSFET开关管之间连接有信号输入正VIN+，信号输入正VIN+相对位置的两个MOSFET开关管之间接保护地。能够满足在线编程的驱动功能，实现MOSFET开关管的逻辑电路的在线重构功能。
-
公开(公告)号：CN112821743B
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202110222734.4
申请日：2021-02-26
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H02M1/32
Abstract: 本发明提供了一种基于智能诊断的电源关键硬件重构单元结构，通过采集电源工作状态和特性参数，基于电源智能健康诊断技术，在线实时预测或判断电源故障形式，并据此针对故障部位进行硬件在线重构，通过在关键硬件单元分配若干条关键硬件支路，对于带有故障信息的关键硬件实行在线重构，实现对故障的隔离并确保电源继续可靠工作，大大保证了开关电源的功率电路中电源工作的正常输入和输出，适用于需要高可靠性、长寿命工作且故障后无法进行更换器件的应用环境。
-
公开(公告)号：CN111628635A
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN202010567441.5
申请日：2020-06-19
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H02M1/08
Abstract: 本发明公开了一种输出隔离电源驱动电路及方法，包括原边电路和副边电路；原边电路为PWM控制电路，PWM控制电路设置有PWM发生芯片；副边电路包括MOS管V1、二极管V2、二极管V3、电阻R1、电容C1和三极管Q1；二极管V2正极连接PWM发生芯片输出端，二极管V2负极通过电阻R1连接MOS管V1的栅极，电容C1串联在电阻R1与MOS管V1源极之间，二极管V3正极接地，二极管V3负极连接MOS管V1源极，MOS管V1的漏极连接电压输入，电阻R1连接三极管Q1的发射极，三极管Q1的集电极接地，三极管Q1的基极连接二极管V2正极。能够使用较少的器件，实现功率器件的驱动。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
15
records
(took 0.027 seconds)
