公开(公告)号：CN115346974A

公开(公告)日：2022-11-15

申请号：CN202210957437.9

申请日：2022-08-10

Applicant: 西安微电子技术研究所

Inventor： 张娟 ,  张小峰 ,  曹鹏辉 ,  刘家龙 ,  付翀丽 ,  王俊峰

IPC: H01L25/16 ,  H01L23/15 ,  H01L23/498 ,  H01L23/373 ,  H01L21/50

Abstract: 本发明公开了一种抗辐照负载点电源的多基板堆叠结构及其组装方法，堆叠结构包括管壳、AMB陶瓷基板、功率芯片组、控制芯片组和Al2O3厚膜多层陶瓷基板；所述AMB陶瓷基板焊接在管壳上，Al2O3厚膜多层陶瓷基板粘接在AMB陶瓷基板上，所述AMB陶瓷基板与Al2O3厚膜多层陶瓷基板之间通过金属丝键合互联，功率芯片组贴装在AMB陶瓷基板上，控制芯片组贴装在Al2O3厚膜多层陶瓷基板上，盖板与管壳之间采用平行缝焊焊接。通过多基板堆叠结构提高了大负载电流条件下抗辐照负载点电源的组装密度，降低了导带阻抗和基板热阻，提高了负载点电源的功率密度和转换效率。

公开(公告)号：CN118713493A

公开(公告)日：2024-09-27

申请号：CN202410738872.1

申请日：2024-06-07

Applicant: 西安微电子技术研究所

Inventor： 熊国兴 ,  张小峰 ,  张娟 ,  王鲁 ,  付翀丽 ,  赵晓晓 ,  杨佳孟

IPC: H02M7/10 ,  H02M3/335 ,  H02M1/08

Abstract: 本发明一种应用于恒流源的高压点火线路，其中变压器第一次级绕组一端通过整流二极管D1与储能电感L1一端连接，储能电感L1另一端通过二极管D5连接电压输出端，第一次级绕组另一端与续流二极管D2阳极、电阻R1一端连接，续流二极管D2阴极与储能电感L1一端连接，电阻R1另一端接地。第二次级绕组一端与电容C3一端连接，电容C3另一端通过整流二极管D3与二极管D6阳极连接，二极管D6阴极与电压输出端连接，第二次级绕组另一端通过NMOS管Q1分别与运算放大器U1、整流二极管D4阳极、电容C4负极连接，整流二极管D4阴极与电容C3另一端连接，电容C4正极连接在二极管D6阳极上，运算放大器负相输入端与电阻R1一端连接，运算放大器正相输入端连接基准电压，既实现了高压空载输出、又兼顾了低压、大电流和高效率的优点，可提高变压器磁芯利用率和正常工作时的转换效率。