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公开(公告)号：CN112992865A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN202110222528.3
申请日：2021-02-26
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H01L23/544 , H01L21/66 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种晶圆级键合工艺监控结构、方法及制备方法，将上下键合面设计为带有串联电路，其中上键合面同时带有可供电流导通的电极Pad，形成了可供测试键合后是否形成完好键合界面的导通路线，且这种设计分布于整张晶圆的每颗晶粒Die，通过光刻的方式实现图形的转移，使用万用表等量测设备测试串联凸点两端电阻，通过电流电阻计算公式，计算得接触电阻，通过监控接触电阻，来有效及时的监控键合工艺，确保了键合效果的及时反馈，降低因键合不良而未及时识别造成人、机、料、法等各方面的损失。
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