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公开(公告)号:CN119931272A
公开(公告)日:2025-05-06
申请号:CN202510119141.3
申请日:2025-01-24
Applicant: 西安工程大学
IPC: C08L63/02 , C08K5/3492 , C08K3/32 , C08K9/06 , C08K3/34 , C08K3/36 , C08K3/26 , C08K3/38 , C08K5/20 , C08G59/68
Abstract: 本发明提供一种硅烷偶联剂改性陶瓷阻燃剂及环氧树脂高耐火阻燃复合材料及方法,硅烷偶联剂改性陶瓷阻燃剂包括:陶瓷阻燃剂填料、硅烷偶联剂、改性复合物和溶剂,其中:改性复合物包括三聚氰胺氰尿酸盐和聚磷酸铵;环氧树脂高耐火阻燃复合材料原料包括硅烷偶联剂改性陶瓷阻燃剂、乙撑双硬酰脂胺、固化促进剂、环氧树脂溶液,本发明制得的环氧树脂高耐火阻燃复合材料具备高耐热性、优异的阻燃性能、良好的机械强度以及环保安全性等特点,能在电子电气、航空航天、建筑等领域具有广泛的应用前景。特别是在对材料阻燃性能要求较高的场合下,该复合材料将展现出巨大的市场潜力和价值。
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公开(公告)号:CN108342601A
公开(公告)日:2018-07-31
申请号:CN201810031454.3
申请日:2018-01-12
Applicant: 西安工程大学
CPC classification number: C22C1/0458 , C22C14/00 , C22F1/183
Abstract: 本发明公开了一种基于粉末冶金法的Ti22Al25NbxV合金制备方法,步骤包括:步骤1、制备Ti22Al25NbxV合金复合粉体;步骤2、将步骤1得到的合金复合粉体在模具中压制成型,得到Ti22Al25NbxV合金预成型体;步骤3、将步骤2得到的合金预成型体进行烧结处理,制备出Ti22Al25NbxV合金熔渗烧结体;步骤4、将步骤3得到的合金熔渗烧结体进行热处理,得到Ti22Al25NbxV合金。本发明的制备方法,近净成型,节省原料;冷压制成型,制备成本低;降低了合金密度同时保持性能不降低。
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公开(公告)号:CN108342601B
公开(公告)日:2020-06-19
申请号:CN201810031454.3
申请日:2018-01-12
Applicant: 西安工程大学
Abstract: 本发明公开了一种基于粉末冶金法的Ti22Al25NbxV合金制备方法,步骤包括:步骤1、制备Ti22Al25NbxV合金复合粉体;步骤2、将步骤1得到的合金复合粉体在模具中压制成型,得到Ti22Al25NbxV合金预成型体;步骤3、将步骤2得到的合金预成型体进行烧结处理,制备出Ti22Al25NbxV合金熔渗烧结体;步骤4、将步骤3得到的合金熔渗烧结体进行热处理,得到Ti22Al25NbxV合金。本发明的制备方法,近净成型,节省原料;冷压制成型,制备成本低;降低了合金密度同时保持性能不降低。
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公开(公告)号:CN106191495B
公开(公告)日:2018-05-15
申请号:CN201610547380.X
申请日:2016-07-12
Applicant: 西安工程大学
Abstract: 本发明公开的基于化学沉积法的银氧化锡电接触材料制备方法,具体为:步骤1、将氧化镧、氧化铜、氧化铁、氧化铋或氧化铈作为掺杂物,结合纳米掺杂氧化锡粉体,利用,高能球磨、水热合成或凝胶法,制备出掺杂纳米氧化锡粉体;步骤2、利用硝酸银溶液与氨水配制银氨溶液;步骤3、将经步骤1得到的掺杂纳米氧化锡粉体与经步骤2形成的银氨溶液混合均匀,利用还原剂,结合化学沉积法,制备出纳米掺杂银氧化锡复合粉体;步骤4、将步骤3得到的纳米掺杂银氧化锡复合粉体依次进行成型、烧结处理,得到银氧化锡电接触材料。本发明的银氧化锡电接触材料制备方法,解决了现有电接触材料在制备过程中存在的生产周期长、氧化物易于偏聚及工艺复杂的问题。
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公开(公告)号:CN106191495A
公开(公告)日:2016-12-07
申请号:CN201610547380.X
申请日:2016-07-12
Applicant: 西安工程大学
Abstract: 本发明公开的基于化学沉积法的银氧化锡电接触材料制备方法,具体为:步骤1、将氧化镧、氧化铜、氧化铁、氧化铋或氧化铈作为掺杂物,结合纳米掺杂氧化锡粉体,利用,高能球磨、水热合成或凝胶法,制备出掺杂纳米氧化锡粉体;步骤2、利用硝酸银溶液与氨水配制银氨溶液;步骤3、将经步骤1得到的掺杂纳米氧化锡粉体与经步骤2形成的银氨溶液混合均匀,利用还原剂,结合化学沉积法,制备出纳米掺杂银氧化锡复合粉体;步骤4、将步骤3得到的纳米掺杂银氧化锡复合粉体依次进行成型、烧结处理,得到银氧化锡电接触材料。本发明的银氧化锡电接触材料制备方法,解决了现有电接触材料在制备过程中存在的生产周期长、氧化物易于偏聚及工艺复杂的问题。
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