Patent search ap:("西安工程大学") AND inv:"任一新" Page 1

1.

发明公开
一种氩气氛围下介质阻挡放电均匀度表征方法审中-实审

公开(公告)号：CN115753875A

公开(公告)日：2023-03-07

申请号：CN202211192145.7

申请日：2022-09-28

Applicant: 西安工程大学

Inventor： 杨昊 , 张昊天 , 陈苗苗 , 陈晋鹏 , 赵宣翔 , 任一新 , 范华峰 , 孙凡 , 宋治波

IPC: G01N25/20

Abstract: 本发明提供了一种氩气氛围下介质阻挡放电均匀度表征方法，属于介质阻挡放电均匀度技术领域，该方法包括：通过离差标准化法，对放电图像空间色度信息进行分析，并利用离差系数的统计结果表征放电均匀程度；根据放电均匀程度，利用区域温差法得到不同放电区域的电子激发温度和分子振动温度区域差值，完成在氩气氛围下介质阻挡放电均匀度的表征。本发明可以通过分析放电图像空间色度信息和不同放电区域的等离子体温度差值，实现DBD放电均匀性定量评判。

Patent Agency Ranking