公开(公告)号：CN113899493A

公开(公告)日：2022-01-07

申请号：CN202111290432.7

申请日：2021-11-02

Applicant: 西安交通大学苏州研究院

Inventor： 万飞 ,  白煜 ,  王敏锐 ,  张敏 ,  葛政 ,  高亚楠 ,  李世定 ,  刘帅

IPC: G01L19/06 ,  G01L19/00 ,  G01L1/00

Abstract: 本申请涉及一种应用于超低温环境的压力传感器，属于压力检测装置的封装技术领域，包括：基座；检测组件，至少部分检测组件与基座对接安装，以对目标物进行检测；壳体组件，与基座连接，且套设在检测组件的外侧；其中，壳体组件包括隔温件及设置在隔温件外侧的金属外壳，隔温件用以将金属外壳的温度延缓传递至检测组件。通过上述方式，可在低温环境下减缓低温对于检测组件的冲击，从而提升压力传感器的低温可靠性和使用寿命；隔温件的材料具有极低的热导率从而明显增加压力传感器处于低温时温度自外界环境传递至隔温件内部的时间，同时使得隔温件在超低温环境中，仍然能够保持较好的机械性能。

公开(公告)号：CN116105901A

公开(公告)日：2023-05-12

申请号：CN202111331088.1

申请日：2021-11-11

Applicant: 西安交通大学苏州研究院

Inventor： 万飞 ,  白煜 ,  王敏锐 ,  张敏 ,  葛政 ,  高亚楠 ,  李世定

IPC: G01L1/20 ,  C23C14/35 ,  C23C14/18

Abstract: 本发明提供了一种薄膜压力传感器及其制备方法，所述薄膜压力传感器的压力敏感层包括叠层设置的第一敏感薄膜层和第二敏感薄膜层；其中，所述第一敏感薄膜层的材料为NixCr1‑x，0＜x≤0.5；所述第二敏感薄膜层的材料为NiyCr1‑y，0.65≤y＜1。其中，所述第一敏感薄膜层和所述第二敏感薄膜层是采用磁控溅射工艺制备形成。本发明的技术方案，压力敏感层为叠层设置的富铬的第一敏感薄膜层和贫铬的第二敏感薄膜层的组合，由此可以改善基于镍铬合金材料作为压力敏感层的薄膜压力传感器的性能，特别是可以有效地降低传感器的电阻温度系数，并且其制备工艺的一致性及稳定性得到提升，非常有利于大规模的工业化生产。

公开(公告)号：CN116110635A

公开(公告)日：2023-05-12

申请号：CN202111335885.7

申请日：2021-11-11

Applicant: 西安交通大学苏州研究院

Inventor： 李世定 ,  王敏锐

IPC: H01B1/02 ,  H01B1/06 ,  H01B13/00 ,  B81B7/00 ,  B81C1/00 ,  C23C14/04 ,  C23C14/06 ,  C23C14/14 ,  G01L1/18

Abstract: 本发明提供了一种基于硅基底的欧姆接触电极结构及其制备方法，所述欧姆接触电极结构包括在重掺杂的硅基底上依次设置的TiSi2欧姆接触层、TaN阻挡层、Ta过渡层以及Pt导电层，其中，所述Ta过渡层为α相的Ta金属。本发明的技术方案，在TiSi2欧姆接触层和Pt导电层之间设置了TaN阻挡层和α相的Ta金属过渡层。TaN具有电阻率低、熔点高、扩散激活能高、化学稳定的优异性能，能够有效地阻挡Pt导电层与欧姆接触层之间的扩散，能够有效地降低欧姆接触电极结构的电阻率并且在高温环境中保持稳定有效；低阻相的α相Ta金属过渡层与Pt导电层具有很好的粘附性，并且与Pt几乎不发生反应，界面稳定性高，由此可以进一步降低电极结构的电阻率并提高电极结构的稳定性。