公开(公告)号：CN106813718B

公开(公告)日：2019-04-12

申请号：CN201710118131.3

申请日：2017-03-01

Applicant: 西安交通大学 ,  浙江西安交通大学研究院

Inventor： 王海容 ,  陈翰林 ,  张咪 ,  谷汉卿

IPC: G01D21/02

Abstract: 本发明公开了一种测量薄膜应变与热导率的装置及方法，装置包括一个底座，一个设置在底座上的外壳，所述底座上设有加载端，薄膜试样放置在加载端并与外壳上部的简支固定端相接，在加载端下方设有一个旋进导杆，薄膜试样通过溅射测试电极与电源相连。通过将圆形薄膜在其半径处通过精密导杆控制进给位移S，利用静力学平衡和弹性薄板的挠度理论，可以得到中间圆板的挠度方程，当半径等于R0时，二部分的挠度值相等，通过精密螺纹行程，可以得到半径在R与R0之间的圆板的即进给位移S的大小，进而计算出中间圆形薄膜周向应变和径向应变值，采用3ω测量方法测量薄膜的热导率，既实现了薄膜在不同应变下的热导率的测量。

公开(公告)号：CN106813718A

公开(公告)日：2017-06-09

申请号：CN201710118131.3

申请日：2017-03-01

Applicant: 西安交通大学 ,  浙江西安交通大学研究院

Inventor： 王海容 ,  陈翰林 ,  张咪 ,  谷汉卿

IPC: G01D21/02

CPC classification number: G01D21/02

Abstract: 本发明公开了一种测量薄膜应变与热导率的装置及方法，装置包括一个底座，一个设置在底座上的外壳，所述底座上设有加载端，薄膜试样放置在加载端并与外壳上部的简支固定端相接，在加载端下方设有一个旋进导杆，薄膜试样通过溅射测试电极与电源相连。通过将圆形薄膜在其半径处通过精密导杆控制进给位移S，利用静力学平衡和弹性薄板的挠度理论，可以得到中间圆板的挠度方程，当半径等于R0时，二部分的挠度值相等，通过精密螺纹行程，可以得到半径在R与R0之间的圆板的即进给位移S的大小，进而计算出中间圆形薄膜周向应变和径向应变值，采用3ω测量方法测量薄膜的热导率，既实现了薄膜在不同应变下的热导率的测量。

公开(公告)号：CN108844990B

公开(公告)日：2020-05-22

申请号：CN201810317787.2

申请日：2018-04-10

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 王海容 ,  谷汉卿 ,  陈翰林 ,  王久洪

IPC: G01N25/20

Abstract: 本发明公开了一种基于MEMS工艺薄膜应变热导率测试装置及方法，包括在外屏蔽罩下方设有的加热台，在外屏蔽罩内设有载物台，在载物台上设有压电测试装置，在压电测试装置上放置有测试片；在外屏蔽罩内壁设有温度传感器和通气孔；通过压电测试装置的压电驱动部件施加位移，压电测试装置的带动连接片，将位移施加到测试片使得镀有薄膜的测试片上的薄膜产生应变，应变大小为施加位移与应变片的设计大小比值确定。通过控制进给位移来控制薄膜应变的大小，通过向测试电极通入交流电流，通过读取从测试电极采集的3ω谐波的成分的大小并进过推导公式计算得到待测薄膜的热导率。此方法简单，完全满足测量薄膜不同应变下不同温度下的热导率的要求。

公开(公告)号：CN108844990A

公开(公告)日：2018-11-20

申请号：CN201810317787.2

申请日：2018-04-10

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 王海容 ,  谷汉卿 ,  陈翰林 ,  王久洪

IPC: G01N25/20

Abstract: 本发明公开了一种基于MEMS工艺薄膜应变热导率测试装置及方法，包括在外屏蔽罩下方设有的加热台，在外屏蔽罩内设有载物台，在载物台上设有压电测试装置，在压电测试装置上放置有测试片；在外屏蔽罩内壁设有温度传感器和通气孔；通过压电测试装置的压电驱动部件施加位移，压电测试装置的带动连接片，将位移施加到测试片使得镀有薄膜的测试片上的薄膜产生应变，应变大小为施加位移与应变片的设计大小比值确定。通过控制进给位移来控制薄膜应变的大小，通过向测试电极通入交流电流，通过读取从测试电极采集的3ω谐波的成分的大小并进过推导公式计算得到待测薄膜的热导率。此方法简单，完全满足测量薄膜不同应变下不同温度下的热导率的要求。