-
公开(公告)号：CN111129301A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN202010065707.6
申请日：2020-01-20
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 一种二硫化锗材料的相变方法及其在相变存储领域应用，选择二硫化锗材料作为相变存储材料；利用沿单轴方向加载应变的方法实现二硫化锗材料两相之间的转变；其中沿着平行于层状结构的长轴方向加载单轴压应变可实现稳定相向正方相的相变，沿着y方向加载单轴拉应变可实现正方相向稳定相的相变。本发明能够通过单轴应变的方法实现相变，并借助其两相之间的电阻差异实现数据存储，这种相变方法及应用将会有效延长相变存储器的使用寿命，在该领域具有潜在的应用前景。
-
公开(公告)号：CN114551705A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202210149538.3
申请日：2022-02-18
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种基于β相Ⅲ‑Ⅵ族化合物的柔性热电材料及器件，化学通式为MX，其中M为ⅢA族原子，X为ⅥA族原子，两者按照1:1的比例结合形成β相层状结构，材料的断裂韧性范围为0.08～0.35MPa·m0.5。本发明兼具良好柔性和优异热电性能，有望改善传统热电材料的可变形性。
-
公开(公告)号：CN111129301B
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202010065707.6
申请日：2020-01-20
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 一种二硫化锗材料的相变方法及其在相变存储领域应用，选择二硫化锗材料作为相变存储材料；利用沿单轴方向加载应变的方法实现二硫化锗材料两相之间的转变；其中沿着平行于层状结构的长轴方向加载单轴压应变可实现稳定相向正方相的相变，沿着y方向加载单轴拉应变可实现正方相向稳定相的相变。本发明能够通过单轴应变的方法实现相变，并借助其两相之间的电阻差异实现数据存储，这种相变方法及应用将会有效延长相变存储器的使用寿命，在该领域具有潜在的应用前景。
-
-
Search Results
3
records
(took 0.017 seconds)
