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公开(公告)号：CN117936669A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202410099701.9
申请日：2024-01-24
Applicant: 西安交通大学 , 东莞市傲雷移动照明设备有限公司
Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，提供一种用于光学瞄准镜的多色切换发光芯片及其制备方法，所述发光芯片包括外延片；外延片自下而上依次包括衬底、底层外延层、有源层和顶层外延层；外延片的表面设置有刻蚀区和若干个同心布置的发射不同颜色光的一级发光区，刻蚀区铺设有绝缘介质层；各一级发光区之间由绝缘介质层隔开，对应每个一级发光区在顶层外延层上设置有电极；设一级发光区的个数为m，至少m‑1个一级发光区对应位置的顶层外延层上设置有对应颜色光的荧光膜层。本发明发光芯片作为光源应用于光学瞄准镜中时，通过控制不同发光区发光即可切换图形颜色，在无需设置机械切换装置的情况下实现不同颜色光的无阻切换。
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公开(公告)号：CN110212067B
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN201910405644.1
申请日：2019-05-16
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种三维腔双曲超材料增强的GaN基半导体发光器件，包括衬底、GaN外延层、负电极及正电极，其中，GaN外延层覆盖于衬底上，GaN外延层的表面上开设有三维腔，所述三维腔内填充有双曲超材料，以形成三维腔双曲结构，负电极位于n‑GaN的表面，正电极位于转移衬底上或者p‑GaN的表面，该半导体发光器件可实现在特定光谱范围内量子效率及光提取效率的提高。
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公开(公告)号：CN106206875B
公开(公告)日：2018-08-10
申请号：CN201610675450.X
申请日：2016-08-16
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开一种柔性金字塔阵列GaN基半导体发光二级管及其制作方法，属于半导体技术领域。金字塔结构是在激光打孔得到的蓝宝石衬底上直接生长的，不仅操作简便而且形成3D的孔结构可用于减小位错和应力，并且相互分立的金字塔阵列为实现无机的柔性LED提供了可能性；通过沉积透明导电薄膜保证p面金字塔电流分布的均匀性；用绝缘材料填充金字塔之间的空隙，以实现金字塔的平整化；采用石墨烯等新型材料实现金字塔之间的电学相连，同时将石墨烯转移和衬底转移步骤合二为一，在简化工艺的同时保证了石墨烯的完整性；巧妙利用了激光打孔伸生长的金字塔结构背面的凸起，在无需掩膜的情况下可实现局域性光刻，以及量子阱的侧壁保护以及u‑GaN的刻蚀。
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公开(公告)号：CN106206875A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201610675450.X
申请日：2016-08-16
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开一种柔性金字塔阵列GaN基半导体发光二级管及其制作方法，属于半导体技术领域。金字塔结构是在激光打孔得到的蓝宝石衬底上直接生长的，不仅操作简便而且形成3D的孔结构可用于减小位错和应力，并且相互分立的金字塔阵列为实现无机的柔性LED提供了可能性；通过沉积透明导电薄膜保证p面金字塔电流分布的均匀性；用绝缘材料填充金字塔之间的空隙，以实现金字塔的平整化；采用石墨烯等新型材料实现金字塔之间的电学相连，同时将石墨烯转移和衬底转移步骤合二为一，在简化工艺的同时保证了石墨烯的完整性；巧妙利用了激光打孔伸生长的金字塔结构背面的凸起，在无需掩膜的情况下可实现局域性光刻，以及量子阱的侧壁保护以及u-GaN的刻蚀。
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公开(公告)号：CN110176527A
公开(公告)日：2019-08-27
申请号：CN201910405643.7
申请日：2019-05-16
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种基于MIM结构的三维超材料的制备方法及其应用，包括以下步骤：1)清洗GaN外延片的表面，再在GaN外延片表面制备GaN刻蚀掩膜层；2)在GaN刻蚀掩膜层上进行图形化；3)在GaN外延片表面刻蚀出三维腔；4)在GaN外延片上的三维腔内蒸镀金属-介质叠层；5)去除GaN刻蚀掩膜层，得到MIM三维超材料结构增强的GaN外延片。本发明用GaN的刻蚀替代金属刻蚀，避免了金属的刻蚀过程，降低了工艺难度，成本较低，且制备效率高。同时该三维超材料的设计和制备还应可与半导体器件的制作工艺兼容，能够很好的应用于半导体发光器件中。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103219442B
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201310130342.0
申请日：2013-04-15
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明提供局域表面等离子体增强型垂直结构LED结构及制造方法。所述LED结构包括垂直结构的LED器件以及局域表面等离子体，所述局域表面等离子体设置在LED器件的P型GaN层内，并以N型GaN层为出光面。本发明在垂直结构LED器件中引入局域表面等离子体，该局域表面等离子体结构制作在P-GaN面；以n-GaN面作为出光面。这样，金属纳米柱阵列在LED发光过程中，产生QW-SP耦合，增大LED的内量子效率。同时QW-SP耦合速度非常快（在飞秒级别），在大电流注入情况下，能有效的将注入电子能量通过QW-SP耦合的方式转化到LSP中，缓解大电流情况下LED光效下降现象。
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公开(公告)号：CN103337568B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201310193364.1
申请日：2013-05-22
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明提供了一种应变超晶格隧道结紫外LED外延结构及其制备方法，外延结构自上而下为：外延生长衬底，AlN缓冲层、n型AlGaN层、多层量子阱、电子阻挡层、应变超晶格、n型简并掺杂AlGaN层、n型Si掺杂AlGaN层；应变超晶格包括p型AlGaN层及AlyGa1-yN/AlxGa1-xN。AlGaN的能带在极化电场的作用下整体向低能量方向移动，超晶格结构再与重掺杂的n型AlGaN接触后形成p-AlGaN/SSL/n*-AlGaN隧道结，p型AlGaN价带中的电子在外电场的作用下，通过隧道效应隧穿到n型AlGaN一侧，在p型AlGaN形成空穴。表层材料由p型AlGaN变为n-AlGaN，避免了p型欧姆接触的问题。
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公开(公告)号：CN117613168B
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202410099688.7
申请日：2024-01-24
Applicant: 西安交通大学 , 东莞市傲雷移动照明设备有限公司
Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，提供一种用于光学瞄准镜的尺寸可调的发光芯片及其制备方法，所述发光芯片包括外延片；所述外延片自下而上依次包括衬底、底层外延层、有源层和顶层外延层；所述外延片的表面设置有刻蚀区和若干个发光区，所述刻蚀区铺设有绝缘介质层，绝缘介质层自顶层外延层延伸至底层外延层；各发光区同心设置且自内向外依次排布，各发光区之间由绝缘介质层隔开，对应每个发光区在顶层外延层上设置有电极；当所述发光芯片作为光源应用在具有分光镜的光学瞄准镜中时，相邻两个发光区在分光镜处形成的入眼光源图形交叠为一个图形。本发明通过调控不同发光区可以在无需分划板的前提下实现多尺寸图形快速无阻切换，提高光源利用率。
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公开(公告)号：CN106098875B
公开(公告)日：2019-02-05
申请号：CN201610676896.4
申请日：2016-08-16
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开的一种无荧光粉的白光金字塔阵列氮化镓基半导体发光二极管及其制备方法，属于半导体技术领域，该方法主要包括激光打孔尺寸的选择，金字塔的生长，器件的制作三部分。本发明提出了一种通过调控金字塔塔顶面积和塔面面积比的方式，调控短波长和长波长的光强比；还可通过缩小孔间距实现两个金字塔的相连，从而进一步调控塔顶对应的波长。多波长的结构为实现高显指的白光LED提供了可能性。本发明的工艺简单，对波长的调控可通过简单的更改打孔尺寸以及打孔间距实现。除此之外，本发明采用的是分立的金字塔结构，也可用于实现可弯折的柔性白光LED。
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公开(公告)号：CN105932155B
公开(公告)日：2018-01-05
申请号：CN201610398430.2
申请日：2016-06-07
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明公开一种柔性透明的薄膜型电阻开关及制备方法，该柔性透明的薄膜型电阻开关为ITO‑ITO纳米线‑Ag三明治结构，包括柔性透明衬底、设置于柔性透明衬底上的ITO薄膜，ITO薄膜上设有一层ITO纳米线网络，ITO纳米线网络上设有Ag电极，Ag电极为上电极，ITO薄膜上未设置ITO纳米线网络的区域为下电极引线区域。本发明制作的电阻开关在可见光波段透过率达到70％以上，在正向弯曲或反向弯曲情况下都能保持良好的电阻开关特性。本发明制备的一种柔性透明薄膜型电阻开关可作为开关元件和电存储器件在信息处理领域中进行应用，同时由于结构和工艺简单，成本极低，在透明电子器件领域中有较强的实用价值。
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