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公开(公告)号：CN109346518B
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN201811125596.2
申请日：2018-09-26
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L29/772 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种微腔等离子体晶体管及其制备方法，微腔等离子体晶体管包括衬底、底电极、源电极、漏电极、微腔腔体、绝缘层、介质板和顶电极，导电媒介为微腔等离子体，通过微腔气体放电的方式产生，以微腔等离子体为媒介进行电流传导，实现驱动开关功能。微腔等离子体晶体管的制备方法，采用物理沉积的方式在衬底背面制备底电极，通过刻蚀的方式在衬底上获得微腔腔体，采用物理沉积的方式制备源电极、漏电极和栅极，最后通过封装的方法，形成带有微腔结构的等离子体晶体管器件。本发明所述的微腔等离子体晶体管器件相较于传统的晶体管器件，可有效提高晶体管器件在高温、高辐射、强电磁干扰下工作稳定性和可靠性。
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公开(公告)号：CN103935145B
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201410131877.4
申请日：2014-04-02
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种交叉电极结构的SED阴极基板的丝网印刷方法，先在基板上溅射形成电极阵列，然后在其上印刷扫描电极，再在扫描电极上印刷介质层，接着在介质层上印刷寻址电极，最后溅射表面传导电子发射薄膜，即得到交叉电极结构的SED阴极基板。其中在印刷介质层时，使介质层由扫描电极处分别向上下两侧纵向延伸，并使延伸部分的介质层的厚度沿延伸方向逐渐减小，这样既能保证介质层的绝缘性，又减小了介质层的厚度，并且能减小横纵电极的高度差，从而抑制寻址电极的扩散，降低丝网印刷制作交叉电极的难度，提高SED阴极基板制作的成功率，是一种新型的用于SED阴极基板制作的丝网印刷方法。
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公开(公告)号：CN103337229B
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：CN201310242311.4
申请日：2013-06-18
Applicant: 西安交通大学
IPC: G09G3/28
Abstract: 本发明公开了一种可自动调节等离子体显示器准备期波形斜率的装置，可实现任意斜率的调节以及多段折线斜坡脉冲的输出。可根据温度传感器、图像的APL数据实时调节准备期脉冲波形的斜率，实现稳定的寻址，优化显示效果。此外，可以在斜坡上升阶段实现多斜率脉冲的输出。本发明所述的装置无须手动调节便可实现任意斜率的斜坡波形输出，因而操作简单，易于批量化生产，此外，所述的斜率可调装置及方法具有结构简单、成本低、稳定性和可靠性高等优点。
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公开(公告)号：CN1845286B
公开(公告)日：2010-11-10
申请号：CN200610041928.X
申请日：2006-03-14
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种表面放电型等离子体显示板，由下基板和上基板构成，下基板包括下基板玻璃，下基板玻璃的上表面设有介质层，该介质层与下基板玻璃之间设有等间距平行的寻址电极，介质层上设有垂直于寻址电极的障壁，该障壁之间设有荧光粉层；上基板包括上基板玻璃，上基板玻璃的下表面设有透明介质层及保护膜，透明介质层与上基板玻璃之间设有垂直于寻址电极的透明电极及金属电极，两条金属电极构成放电电极对；所述障壁为条形或井字形；所述的放电电极对置于障壁之间的放电空间中央，放电电极对相邻的非放电间隙置于障壁顶部；所述障壁的顶部与保护膜之间设有低熔点玻璃介质层，该低熔点玻璃介质层仅在放电电极对下方形成气体通道，放电电极对相邻的非放电间隙到放电空间没有气体通道。
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公开(公告)号：CN101750889A
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200910219488.6
申请日：2009-12-14
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明涉及一种感光树脂组合物及制备方法、用该组合物制备SCE导电薄膜的方法。该感光树脂组合物包括：光固化树脂、光架桥剂、阳离子交换剂，添加剂。成膜材料为高分子水溶性聚合物，例如聚乙烯醇、聚乙烯吡咯烷酮；光架桥剂选用水溶性双叠氮化合物；阳离子交换剂选用含功能基团—COOR的盐类；添加剂可以根据需要选用硅烷、乳胶精、乙二醇等。该感光树脂采用水作溶剂，经紫外光照射后，可以用水显影形成图案。具有光敏性好、成膜速度快，粘附性牢、高温易分解、不留残渣等优点，尤为重要的是具有和与之接触的金属溶液交换金属离子的能力，从而进一步形成导电薄膜，制作平面电子发射源，可用于场致发射显示图像。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1838364A
公开(公告)日：2006-09-27
申请号：CN200610041927.5
申请日：2006-03-14
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种等离子体显示板及其制造方法，先在下基板玻璃的上表面制作等间距平行的金属电极，在金属电极上制作介质层，在该介质层上制作等间距平行的障壁，在障壁之间顺序涂敷三基色荧光粉层并去除障壁顶部附着的荧光粉，前述下基板各膜层经烧结处理后，在障壁顶部涂敷一层宽度不大于障壁的宽度且长度与障壁等长的低熔点玻璃介质层；在上基板玻璃下表面制作透明电极和汇流电极，在汇流电极的下表面制作介质层和保护膜；最后在下基板或上基板四周涂敷低熔点玻璃材料，用夹具将下基板和上基板有膜层对向夹持，并使上、下基板电极方向相互垂直，经350～450℃烧结达到气密性封接；抽去上、下基板间的气体并充入混合惰性气体后与真空系统封离。
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公开(公告)号：CN109767966A
公开(公告)日：2019-05-17
申请号：CN201811614394.4
申请日：2018-12-27
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种微腔放电紫外辐射器件及其制备方法和基于其的微腔阵列，属于紫外光源器件制造技术领域。器件包括衬底、底电极、介质层、微腔腔体、障壁、荧光粉层、介质板和顶电极。通过微腔气体放电的方式产生微腔等离子体，激发态原子和准分子衰减辐射真空紫外(VUV)，利用VUV轰击不同的荧光粉层，可获得不同波段的目标谱线。制备：采用物理沉积法在衬底背面和上面分别制备底电极和介质层，通过刻蚀的方式在衬底上制备微腔腔体，采用物理沉积的方式在介质板上制备顶电极，最后通过封装的方式形成带有微腔结构的紫外辐射器件。本发明所述的微腔放电紫外辐射器件无污染、高辐射效率、小体积、稳定性好。
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公开(公告)号：CN108022967A
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：CN201711252700.X
申请日：2017-12-01
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了种多孔硅纳米线复合结构及其制备方法，属于硅纳米线制备技术领域。采用的技术方案为：一种多孔硅纳米线复合结构，包括硅衬底，在硅衬底上表面设有多孔硅层，在多孔硅层上表面设有硅纳米线层。所述多孔硅纳米线复合结构的制备方法，在硅衬底表面刻蚀得到多孔硅层，在多孔硅层表面进行电催化金属辅助刻蚀制备硅纳米线层。本发明方法刻蚀速率大大提高，缩短了刻蚀时间；能够形成均匀的多孔硅纳米线；能够以通过控制电流大小及刻蚀时间达到控制纳米线形貌的作用；制备工艺简单，成本较低，快速高效。
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公开(公告)号：CN101750889B
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN200910219488.6
申请日：2009-12-14
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明涉及一种感光树脂组合物及制备方法、用该组合物制备SCE导电薄膜的方法。该感光树脂组合物包括：光固化树脂、光架桥剂、阳离子交换剂，添加剂。成膜材料为高分子水溶性聚合物，例如聚乙烯醇、聚乙烯吡咯烷酮；光架桥剂选用水溶性双叠氮化合物；阳离子交换剂选用含功能基团—COOR的盐类；添加剂可以根据需要选用硅烷、乳胶精、乙二醇等。该感光树脂采用水作溶剂，经紫外光照射后，可以用水显影形成图案。具有光敏性好、成膜速度快，粘附性牢、高温易分解、不留残渣等优点，尤为重要的是具有和与之接触的金属溶液交换金属离子的能力，从而进一步形成导电薄膜，制作平面电子发射源，可用于场致发射显示图像。
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公开(公告)号：CN101383258A
公开(公告)日：2009-03-11
申请号：CN200810231843.7
申请日：2008-10-22
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种表面传导场发射电子源导电膜的结构，即电子源的导电膜由氧化钯(PdO)膜与非晶碳膜形成的多层复合膜构成，利用氧化钯膜具有的良好的电子发射稳定性及非晶碳膜具有的较低的有效功函数、大的载流子迁移率、高的击穿电压、宽的禁带宽度及高的热传导系数，以改进导电膜的电子发射性能，从而提高场发射电子源的发射电流密度及电子发射率。
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