-
公开(公告)号：CN105529356B
公开(公告)日：2019-02-05
申请号：CN201610102073.0
申请日：2016-02-24
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L29/10 , H01L29/76 , H01L29/772
Abstract: 本发明公开了一种具有垂直结构圆柱形真空沟道的场发射晶体管，垂直结构圆柱形真空沟道场发射晶体管由三层电极和两层介质层构成，在各层薄膜中央位置的真空沟道可以由刻蚀得到，沟道的长度通过控制各层电极及介质层的厚度来精确控制；当沟道长度与电子在大气中的平均自由程相近时，器件在大气环境工作过程中电子在沟道中与大气分子的散射可以忽略，相当于工作在真空环境中，圆柱形的真空导电沟道使阴极发射面上所有位置具有完全对称的加速电场，从而将有效避免器件工作在强电场下时，由于局部电场过强而导致的器件失效的问题，可复杂环境中对信号进行放大或调制，工作稳定。
-
公开(公告)号：CN104576267A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201510036036.X
申请日：2015-01-23
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种表面传导电子发射源结构及其制作方法，属于平板显示器制造技术领域。表面传导电子发射源结构包括沉积在基板上的一对对称的器件电极，在器件电极上沉积有电子发射薄膜，电子发射薄膜上开设有纳米裂缝；在对称的器件电极之间设有8～20μm的电极间隙，在该电极间隙中设有电介质填充层和/或突起电介质。制作方法为先在电极缝隙中间构建突起，然后再将导电膜制作在突起上，利用突起材料导热性差的特点以及覆盖在突起部分导电膜与其他部分导电膜几何位置上的差异性使覆盖在突起部分的导电膜在“加电形成”时，产生更多的焦耳热，使纳米裂缝可以在突起部位形成，实现纳米裂缝位置的可控制作，提高场发射电子效率。
-
公开(公告)号：CN104576267B
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：CN201510036036.X
申请日：2015-01-23
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种表面传导电子发射源结构及其制作方法，属于平板显示器制造技术领域。表面传导电子发射源结构包括沉积在基板上的一对对称的器件电极，在器件电极上沉积有电子发射薄膜，电子发射薄膜上开设有纳米裂缝；在对称的器件电极之间设有8～20μm的电极间隙，在该电极间隙中设有电介质填充层和/或突起电介质。制作方法为先在电极缝隙中间构建突起，然后再将导电膜制作在突起上，利用突起材料导热性差的特点以及覆盖在突起部分导电膜与其他部分导电膜几何位置上的差异性使覆盖在突起部分的导电膜在“加电形成”时，产生更多的焦耳热，使纳米裂缝可以在突起部位形成，实现纳米裂缝位置的可控制作，提高场发射电子效率。
-
公开(公告)号：CN105529356A
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201610102073.0
申请日：2016-02-24
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L29/10 , H01L29/76 , H01L29/772
CPC classification number: H01L29/1025 , H01L29/1029 , H01L29/76 , H01L29/772
Abstract: 本发明公开了一种具有垂直结构圆柱形真空沟道的场发射晶体管，垂直结构圆柱形真空沟道场发射晶体管由三层电极和两层介质层构成，在各层薄膜中央位置的真空沟道可以由刻蚀得到，沟道的长度通过控制各层电极及介质层的厚度来精确控制；当沟道长度与电子在大气中的平均自由程相近时，器件在大气环境工作过程中电子在沟道中与大气分子的散射可以忽略，相当于工作在真空环境中，圆柱形的真空导电沟道使阴极发射面上所有位置具有完全对称的加速电场，从而将有效避免器件工作在强电场下时，由于局部电场过强而导致的器件失效的问题，可复杂环境中对信号进行放大或调制，工作稳定。
-
-
-
Search Results
4
records
(took 0.018 seconds)
