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公开(公告)号：CN118800592A
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202410802822.5
申请日：2024-06-20
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种MIM结构型电解电容器及其制备方法，属于电解电容器技术领域。MIM结构型电解电容器的制备方法为：将阀金属烧结箔进行阳极引出的保护和补形成处理后，放入ALD反应腔中，以保护气体为载体，依次通入介电氧化物源前驱体与反应物氧源A，高介电氧化物源前驱体与反应物氧源A键合生成的缓冲层沉积在介质层表面，然后依次通入导电氧化物源和反应物氧源B，导电氧化物源作为前驱体和反应物氧源B发生键合反应，生成的导电氧化物阴极薄膜沉积在缓冲层表面，在导电氧化物阴极薄膜上进行电极引出，制备得到MIM结构型电解电容器。本发明利用阀金属粉末烧结箔的增材法特性，提高了电解电容器的容量密度以及器件的容量引出率。
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公开(公告)号：CN114373882B
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202210074723.0
申请日：2022-01-21
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01M4/04 , H01M4/134 , H01M4/1395 , H01M10/054 , H01M12/06 , C23C16/40 , C23C16/455
Abstract: 本发明公开了一种铝电池负极及其ALD制备方法和应用，方法包括以下步骤：取清洗后的铝箔，采用ALD方法沉积一层绝缘介质层；对沉积绝缘介质层的铝箔进行激光刻蚀，形成均匀的孔道结构，得到多孔铝箔；以沉积绝缘介质层并激光刻蚀的Al箔为负极，膨胀石墨为正极，玻璃纤维滤膜为隔膜，AlCl3/Et3NHCl为电解液组装软包电池。本发明采用ALD原子沉积和激光刻蚀技术，在负极极片表面沉积的介质层能够保护极片不被腐蚀，另一方面还能起到骨架作用，避免了粉化造成极片崩解；激光刻蚀使得极片表面的活性位点分布均匀，以免电池在充放电过程中由于表面不均匀的电场分布造成枝晶问题，从而刺穿隔膜，使电池发生短路，极大程度上提高了电池的循环稳定性和安全性。
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公开(公告)号：CN116206901A
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202310144664.4
申请日：2023-02-21
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明涉及一种钛电解电容器阳极箔的制备方法，将钛箔进行超声清洗，然后通过原子层沉积或溶胶凝胶方法在钛箔表面制备不同厚度的阀金属氧化物‑MxOy薄膜；在真空或者惰性气氛中，将形成阀金属氧化物薄膜的钛箔进行热处理；热处理温度为500‑1500℃，热处理时间为3‑72h；将热处理后的钛箔进行阳极氧化、退火和补形，得到具有TiO2‑MxOy复合介质膜的钛阳极箔，阳极氧化的条件：以热处理后的钛箔为阳极、不锈钢化成槽为阴极，在盐溶液或者弱腐蚀性的电解液进行阳极氧化，化成电压为5‑300V，恒压阳极氧化时间为1‑60min；首次提出采用原子层沉积技术和溶胶‑凝胶法、热处理以及阳极氧化制备钛电解电容器阳极箔TiO2‑MxOy复合氧化膜；使得制备漏电流小且电容量大的钛电解电容器成为可能。
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公开(公告)号：CN113948318B
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202111137355.1
申请日：2021-09-27
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一中高压水系电解液及其制备方法和在超级电容器中的应用，属于水系超级电容器的制备领域。本发明将盐溶质加入到离子水或蒸馏水中，得到混合溶液，再将添加剂加入混合溶液得到一种高压水系电解液。该制备方法可以通过控制溶质、添加剂的种类、添加剂的含量来控制电解液的电导率、粘度及电化学稳定窗口；可以通过添加剂来调节电极材料表面的疏水性，从而增强电解质在其表面的吸附。制备得到的高压水系电解液对环境无害、无毒，不易燃烧，成本低，在超级电容器中具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN114373882A
公开(公告)日：2022-04-19
申请号：CN202210074723.0
申请日：2022-01-21
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01M4/04 , H01M4/134 , H01M4/1395 , H01M10/054 , H01M12/06 , C23C16/40 , C23C16/455
Abstract: 本发明公开了一种铝电池负极及其ALD制备方法和应用，方法包括以下步骤：取清洗后的铝箔，采用ALD方法沉积一层绝缘介质层；对沉积绝缘介质层的铝箔进行激光刻蚀，形成均匀的孔道结构，得到多孔铝箔；以沉积绝缘介质层并激光刻蚀的Al箔为负极，膨胀石墨为正极，玻璃纤维滤膜为隔膜，AlCl3/Et3NHCl为电解液组装软包电池。本发明采用ALD原子沉积和激光刻蚀技术，在负极极片表面沉积的介质层能够保护极片不被腐蚀，另一方面还能起到骨架作用，避免了粉化造成极片崩解；激光刻蚀使得极片表面的活性位点分布均匀，以免电池在充放电过程中由于表面不均匀的电场分布造成枝晶问题，从而刺穿隔膜，使电池发生短路，极大程度上提高了电池的循环稳定性和安全性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113948318A
公开(公告)日：2022-01-18
申请号：CN202111137355.1
申请日：2021-09-27
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一中高压水系电解液及其制备方法和在超级电容器中的应用，属于水系超级电容器的制备领域。本发明将盐溶质加入到离子水或蒸馏水中，得到混合溶液，再将添加剂加入混合溶液得到一种高压水系电解液。该制备方法可以通过控制溶质、添加剂的种类、添加剂的含量来控制电解液的电导率、粘度及电化学稳定窗口；可以通过添加剂来调节电极材料表面的疏水性，从而增强电解质在其表面的吸附。制备得到的高压水系电解液对环境无害、无毒，不易燃烧，成本低，在超级电容器中具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN112094415B
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN202010968344.7
申请日：2020-09-15
Applicant: 西安交通大学
IPC: C08G83/00 , C01G53/11 , C01G53/04 , C01G45/00 , C01G45/02 , C01B25/08 , C01B32/15 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , B22F9/20
Abstract: 本发明公开了一种NiMn MOF及其制备方法和应用，以镍盐、锰盐和含有萘二甲酸的有机酸/有机酸盐为原料，只需以去离子水为溶剂，通过水热法，制备线型带状Mn MOF生长于片状Ni MOF的异质结复合MOF。利用该方法制备的NiMn MOF具有形貌可控、组成可控的特点。该方法无需添加模板或表面活性剂，具有反应温度低、操作简单易于控制、环境友好等优点。
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公开(公告)号：CN111627714B
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN202010470836.3
申请日：2020-05-28
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种具有多级混合结构的多孔阳极铝箔的制备方法，属于铝电解电容器领域，大尺寸铝金属具有大的比表面积和良好的表面均一性，小尺寸铝金属颗粒在熔化时能起到支撑三维结构的作用，维持电极箔的高孔隙率，同时增加电子传输通道，将二者混合涂覆在铝基底上，在己二酸铵或硼酸电解液中阳极氧化，能够得到具有纳米‑微米多级混合结构的多孔电极箔，该电极箔具有高的静电容量和低的漏电流。本发明方法可用于大规模的工业化制造，能够大幅度提高铝电解电容器用阳极铝箔的比容，促进铝电解电容器的轻量化与小型化，提升铝电解电容器的综合性能。
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公开(公告)号：CN110277246A
公开(公告)日：2019-09-24
申请号：CN201910592631.X
申请日：2019-07-03
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明涉及一种用激光照蚀制备电解电容器用多孔铝箔及方法，先将清洗干净的铝光箔进行激光照射刻蚀制孔，得到多孔铝箔；其中激光照射刻蚀制孔的条件为：光源功率为1W～50W，激光脉宽为5飞秒～50飞秒，脉冲重复频率为10KHz～50MHz，移动速率为100mm/S～7000mm/S；将多孔铝箔清洗烘干，得到电解电容器用多孔铝箔。本发明通过调整光源功率、激光脉宽和脉冲重复频率，便可制备出铝电解电容器用多孔铝箔；利用该方法制备的多孔铝箔具有孔径大小、孔深度和孔分布可调的优点，能够杜绝环境污染、减少铝箔本身污染等问题，同时，该方法具有时间短、效率高、工艺简单、加工精度高等特点。
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公开(公告)号：CN110240145A
公开(公告)日：2019-09-17
申请号：CN201910595406.1
申请日：2019-07-03
Applicant: 西安交通大学
IPC: C01B32/162 , H01G11/24 , H01G11/36 , H01G11/30
Abstract: 本发明公开了一种无过渡层支撑的金属基阵列碳纳米管电极材料的制备方法，包括以下步骤：1)将生长阵列碳纳米管的金属基底置于管式炉的恒温区，同时将石英管管口密封并在载气气氛下使管式炉升高到设定温度；2)将碳源、催化剂同时通入管式炉的反应管里，催化剂首先金属基底上进行裂解成核，随后碳源在裂解后的催化剂颗粒上进行裂解并直接生长阵列碳纳米管，从而制得无过渡层支撑的金属基阵列碳纳米管电极材料。本发明运用化学气相沉积法直接在金属基底上制备垂直阵列碳纳米管电极材料，在沉积催化剂前不需要对基底沉积一层过渡层。该使得垂直阵列碳纳米管材料与基底间的粘附力更强，同时可以大大降低基底与电极材料之间的接触电阻。
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