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公开(公告)号：CN106595786A
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201611200174.8
申请日：2016-12-22
Applicant: 西安交通大学
IPC: G01F1/692
CPC classification number: G01F1/692
Abstract: 一种阵列悬臂梁膜结构硅微流量传感器芯片，包括外围支撑硅基，外围支撑硅基中部设有两组相对的成阵列布置的硅膜，每一组有四个硅膜，每一硅膜和外围支撑硅基之间通过一个硅悬臂梁相连，每一硅悬臂梁上配置有压阻条，每一组硅悬臂梁的四个压阻条通过引线连接构成惠斯通电桥，硅膜与硅悬臂梁组成的阵列悬臂梁膜结构构成传感器测量部位，硅膜与外围支撑硅基存在间隙以使硅膜悬空，每一组相邻的硅膜之间存在间隙，当流体通过时，进而使得阵列悬臂梁膜结构发生变形，压阻条在硅悬臂梁的应力作用下阻值发生变化，惠斯通电桥失衡，输出一与流体作用相对应的电信号，从而实现传感器芯片对流量的测量，本发明具有体积小、质量小、灵敏度高和自校准的优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106556490A
公开(公告)日：2017-04-05
申请号：CN201611073308.4
申请日：2016-11-29
Applicant: 西安交通大学
IPC: G01L9/04
Abstract: 本发明公开了一种三角梁结构湍流传感器，包括封装壳体，封装壳体内部包含三角梁结构，三角梁结构中三角形部分的上端面与传感器芯片粘合，三角梁结构的尖端与尼龙头连接，PCB转接板粘贴在三角梁结构中长方体部分的上端面上，三角梁结构中长方体部分的下端面与半圆柱粘合，半圆柱的圆柱面与封装壳体粘合。尼龙头在湍流水流下受力，引起三角梁结构的变形，在三角梁结构的上表面产生应变，引起传感器芯片的电阻变化，进而将机械能转化为电流变化，电流由金线接入PCB转接板，然后由外接导线接出，实现水流流速的检测。
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公开(公告)号：CN104458076B
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201410704912.7
申请日：2014-11-26
Applicant: 西安交通大学 , 西安上尚机电有限公司
Abstract: 一种具有高过载低加速度干扰的微压力传感器，包括硅质基底，硅质基底的背面中部设有空腔，硅质基底的背面与硼玻璃键合，硼玻璃的中部具有凸台结构，硅质基底的背面空腔与硼玻璃的凸台结构相配合，在硅质基底的正面腐蚀形成相互垂直的第一梁和第二梁，在硅质基底的背面腐蚀形成平膜，第一梁和第二梁与硅质基底四周的梁共同形成梁膜结构，第一梁和第二梁的两端沿着【100】晶向在应力最大处布置有压敏电阻，四个压敏电阻通过金属引线和焊盘相互连接组成惠斯通电桥，采用了硼玻璃的凸台结构，限位设计更加合理，在满足了高灵敏度与高线性度要求的同时，兼具高过载和高侧向效应抵抗能力的特性。
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公开(公告)号：CN106556490B
公开(公告)日：2020-05-19
申请号：CN201611073308.4
申请日：2016-11-29
Applicant: 西安交通大学
IPC: G01L9/04
Abstract: 本发明公开了一种三角梁结构湍流传感器，包括封装壳体，封装壳体内部包含三角梁结构，三角梁结构中三角形部分的上端面与传感器芯片粘合，三角梁结构的尖端与尼龙头连接，PCB转接板粘贴在三角梁结构中长方体部分的上端面上，三角梁结构中长方体部分的下端面与半圆柱粘合，半圆柱的圆柱面与封装壳体粘合。尼龙头在湍流水流下受力，引起三角梁结构的变形，在三角梁结构的上表面产生应变，引起传感器芯片的电阻变化，进而将机械能转化为电流变化，电流由金线接入PCB转接板，然后由外接导线接出，实现水流流速的检测。
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公开(公告)号：CN106595786B
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201611200174.8
申请日：2016-12-22
Applicant: 西安交通大学
IPC: G01F1/692
Abstract: 一种阵列悬臂梁膜结构硅微流量传感器芯片，包括外围支撑硅基，外围支撑硅基中部设有两组相对的成阵列布置的硅膜，每一组有四个硅膜，每一硅膜和外围支撑硅基之间通过一个硅悬臂梁相连，每一硅悬臂梁上配置有压阻条，每一组硅悬臂梁的四个压阻条通过引线连接构成惠斯通电桥，硅膜与硅悬臂梁组成的阵列悬臂梁膜结构构成传感器测量部位，硅膜与外围支撑硅基存在间隙以使硅膜悬空，每一组相邻的硅膜之间存在间隙，当流体通过时，进而使得阵列悬臂梁膜结构发生变形，压阻条在硅悬臂梁的应力作用下阻值发生变化，惠斯通电桥失衡，输出一与流体作用相对应的电信号，从而实现传感器芯片对流量的测量，本发明具有体积小、质量小、灵敏度高和自校准的优点。
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公开(公告)号：CN104458076A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410704912.7
申请日：2014-11-26
Applicant: 西安交通大学 , 西安上尚机电有限公司
Abstract: 一种具有高过载低加速度干扰的微压力传感器，包括硅质基底，硅质基底的背面中部设有空腔，硅质基底的背面与硼玻璃键合，硼玻璃的中部具有凸台结构，硅质基底的背面空腔与硼玻璃的凸台结构相配合，在硅质基底的正面腐蚀形成相互垂直的第一梁和第二梁，在硅质基底的背面腐蚀形成平膜，第一梁和第二梁与硅质基底四周的梁共同形成梁膜结构，第一梁和第二梁的两端沿着【100】晶向在应力最大处布置有压敏电阻，四个压敏电阻通过金属引线和焊盘相互连接组成惠斯通电桥，采用了硼玻璃的凸台结构，限位设计更加合理，在满足了高灵敏度与高线性度要求的同时，兼具高过载和高侧向效应抵抗能力的特性。
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