-
公开(公告)号：CN117759665A
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202410029033.2
申请日：2024-01-08
Applicant: 西安交通大学
IPC: F16F7/12
Abstract: 本发明公开了一种z向泊松比可控的三维晶格阵列结构，基本单元包括下底层、上底层、单元内连接杆与单元间连接杆，单元内连接杆与单元间连接杆关于下底层或上底层对称；下底层、上底层阵列后形成的表面为一种新型负泊松比平面结构，包括内凹弧边组成的中心内凹弧边六边形结构以及平面连接杆组成的手性结构，下底层与上底层的平面连接杆围绕中心内凹弧边六边形的方向相反。本发明提出的结构上、下底层耦合了一种手性结构与一种内凹弧边多边形结构，具有负泊松比特性，同时提升了结构的变形能力和吸能减振特性；提出的三维晶格阵列结构，可根据实际需求改变连接杆的倾斜方向从而实现可变泊松比特性，从而扩大了结构的适用范围。
Search Results
1
records
(took 0.041 seconds)
筛选
AND
AND
过滤
NOT
NOT
Scan to Join
