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公开(公告)号：CN116091646A
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202310028782.9
申请日：2023-01-09
Applicant: 西安交通大学
IPC: G06T11/20
Abstract: 本发明公开了一种微放电敏感曲线绘制方法，通过量化指定电压条件下电子数目的变化趋势，并利用计算参数区域内敏感区域的边界连续性，采用网格式搜寻法在已确定的微放电阈值点快速定位周边的微放电阈值，进而实现整体微放电敏感曲线的快速绘制，大幅减少整体敏感曲线的绘制耗时。与其他方法相比，该方法适用于所有能获得电子数目变化曲线的模拟方法，以及具有任意复杂场分布的微放电情况，可以为空间微波通信工程中的“免微放电”微波器件设计提供极大便利。
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公开(公告)号：CN112836421B
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202110201212.6
申请日：2021-02-23
Applicant: 西安交通大学
IPC: G06F30/25 , G06F111/10 , G06F113/26
Abstract: 本发明公开了一种针对器件微放电抑制的多尺度关联分析方法，该方法涉及原子至纳米尺度、微米尺度和毫米至厘米尺度三个尺度，主要包括各个尺度上的参数计算和各尺度间的关联逻辑。原子至纳米尺度即材料化学组分与原子几何结构层面，表面微观结构层面属于微米尺度，而微波器件层面属于毫米至厘米尺度。该方法是一种从材料到表面再到器件的关联分析与设计方法。而且此关联分析方法成本低、周期短、效率高，为微放电实验的开展节省了大量的时间和无效试错成本。
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公开(公告)号：CN114186468A
公开(公告)日：2022-03-15
申请号：CN202111547285.7
申请日：2021-12-16
Applicant: 西安交通大学
IPC: G06F30/25
Abstract: 一种基于GPU加速的二次电子发射模拟方法及系统及设备，包括以下步骤：初始化微放电模拟所需的参数及数据结构，对GPU设备进行初始化，在进行CUDA语言编程过程中，将GPU设备的初始化代码放置在电子推进函数的起始位置，并保证该函数在整个程序生命周期内仅执行一次；GPU读取数据后采用并行方式推进计算电子，并对二次电子发射过程进行计算；若达到结束调节则终止模拟计算过程，否则继续计算下一时间的电子推进模拟。本发明提出了一种基于GPU加速的二次电子发射模拟计算方法，采用GPU设备对微波器件中的大量电子进行并行轨迹计算并计算二次电子发射过程，实现了航天微波器件微放电模拟过程的快速、准确模拟。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112836421A
公开(公告)日：2021-05-25
申请号：CN202110201212.6
申请日：2021-02-23
Applicant: 西安交通大学
IPC: G06F30/25 , G06F111/10 , G06F113/26
Abstract: 本发明公开了一种针对器件微放电抑制的多尺度关联分析方法，该方法涉及原子至纳米尺度、微米尺度和毫米至厘米尺度三个尺度，主要包括各个尺度上的参数计算和各尺度间的关联逻辑。原子至纳米尺度即材料化学组分与原子几何结构层面，表面微观结构层面属于微米尺度，而微波器件层面属于毫米至厘米尺度。该方法是一种从材料到表面再到器件的关联分析与设计方法。而且此关联分析方法成本低、周期短、效率高，为微放电实验的开展节省了大量的时间和无效试错成本。
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公开(公告)号：CN112782489A
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN202110027183.6
申请日：2021-01-09
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种真空环境电子辐照下的天线性能测量装置，电子枪置于高真空室内，并位于金属载物台正上方，金属载物台上的引线固定夹与引线系统相连，再通过同轴线与SMA同轴接头链接，经过中间的隔离器，再接SMA同轴接头和同轴线与真空室的真空法兰连接，然后用同轴线连接位于真空室外的矢量网络分析仪，最后矢量网络分析仪连入计算机。电子辐照条件的产生和调控方法，待测天线电子辐照条件由电子枪产生，通过调节电子枪的电压来控制电子辐照强度，调节电子束斑大小确保电子辐照均匀覆盖待测天线全尺寸，本发明不仅结构简单，而且测量方法简便、测量周期短效率高。
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公开(公告)号：CN114186432B
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202111554279.4
申请日：2021-12-17
Applicant: 西安交通大学
IPC: G06F30/20
Abstract: 具有微结构表面的介质材料微放电等效模拟方法及系统，采用3D建模软件建立具有微结构表面的介质材料加载微波部件几何模型，利用CST微波工作室的频域求解器模型计算该微波部件中的电磁场分布，将获得的电磁场结果，建立具有微结构表面的介质材料二次电子发射模型，计算不同射频电场幅值和相位下的二次电子发射系数曲线，将模拟获得的具有微结构表面介质材料的二次电子发射系数曲线等效结果加入到微放电粒子模拟中，建立了材料表面微观尺度和微波部件尺度关联的快速等效模拟方法，利用该方法，方孔阵列微结构的二次电子发射系数曲线和阈值随表面形貌的变化规律，获得通过对材料表面进行刻槽处理，有效降低材料的二次电子发射系数，提高微放电阈值。
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公开(公告)号：CN114186468B
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202111547285.7
申请日：2021-12-16
Applicant: 西安交通大学
IPC: G06F30/25
Abstract: 一种基于GPU加速的二次电子发射模拟方法及系统及设备，包括以下步骤：初始化微放电模拟所需的参数及数据结构，对GPU设备进行初始化，在进行CUDA语言编程过程中，将GPU设备的初始化代码放置在电子推进函数的起始位置，并保证该函数在整个程序生命周期内仅执行一次；GPU读取数据后采用并行方式推进计算电子，并对二次电子发射过程进行计算；若达到结束调节则终止模拟计算过程，否则继续计算下一时间的电子推进模拟。本发明提出了一种基于GPU加速的二次电子发射模拟计算方法，采用GPU设备对微波器件中的大量电子进行并行轨迹计算并计算二次电子发射过程，实现了航天微波器件微放电模拟过程的快速、准确模拟。
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公开(公告)号：CN114186432A
公开(公告)日：2022-03-15
申请号：CN202111554279.4
申请日：2021-12-17
Applicant: 西安交通大学
IPC: G06F30/20
Abstract: 具有微结构表面的介质材料微放电等效模拟方法及系统，采用3D建模软件建立具有微结构表面的介质材料加载微波部件几何模型，利用CST微波工作室的频域求解器模型计算该微波部件中的电磁场分布，将获得的电磁场结果，建立具有微结构表面的介质材料二次电子发射模型，计算不同射频电场幅值和相位下的二次电子发射系数曲线，将模拟获得的具有微结构表面介质材料的二次电子发射系数曲线等效结果加入到微放电粒子模拟中，建立了材料表面微观尺度和微波部件尺度关联的快速等效模拟方法，利用该方法，方孔阵列微结构的二次电子发射系数曲线和阈值随表面形貌的变化规律，获得通过对材料表面进行刻槽处理，有效降低材料的二次电子发射系数，提高微放电阈值。
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