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公开(公告)号：CN114965598B
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202210480855.3
申请日：2022-05-05
Applicant: 西安交通大学 , 深圳市天地通电子有限公司
Abstract: 本发明公开了一种掺锡氧化镍贵金属修饰的MEMS甲醛传感器及制备方法，在Si基底正反面制备双面氧化硅层、高频Si3N4正应力层、低频Si3N4负应力层、高频Si3N4正应力层、多孔Si3N4低热导率绝缘层；再制备出包括测温电阻、加热电极和敏感叉指电极对，沉积Cr‑Au薄膜制备敏感层图案、掺锡NiO敏感层薄膜；溅射Sn薄膜，Pt和Pd混合靶材贵金属薄膜；制备背部掩蔽层SiO2‑Si3N4；形成绝热槽；通过划片得到气体传感器芯片。通过掺锡氧化镍表面制备贵金属复合颗粒，增加薄膜的比表面积，形成P‑N异质结，提升了甲醛传感器的力学性能，具有更低的热传导系数和更高的灵敏度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112179956B
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN202011053124.8
申请日：2020-09-29
Applicant: 西安交通大学 , 深圳市天地通电子有限公司
Abstract: 本发明公开了一种基于掺铝氧化锌多孔纳米薄膜的MEMS甲醛传感器的制备方法，该传感器自下至上为SiO2‑Si3N4掩蔽层、Si基底、绝缘层为双层SiO2‑Si3N4叠加、加热电极、敏感电极、测温电极、敏感材料和贵金属掺杂剂。采用聚苯乙烯微球作为掩蔽层，利用氧等离子体刻蚀调节微球直径的大小，利用磁控共溅射ZnO及Al2O3在缩小直径的微球间隙沉积复合敏感薄膜，调节ZnO及Al2O3溅射过程中的溅射功率、时间、衬底温度及溅射压力达到调节复合薄膜微观结构的目的。采用Pd贵金属对掺铝氧化锌薄膜进行掺杂和表面改性，加快气体与界面的吸附及脱附，提高传感器的气敏性能，增加薄膜的比表面积，提高气体传感器的响应。
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公开(公告)号：CN112179956A
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN202011053124.8
申请日：2020-09-29
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种基于掺铝氧化锌多孔纳米薄膜的MEMS甲醛传感器的制备方法，该传感器自下至上为SiO2‑Si3N4掩蔽层、Si基底、绝缘层为双层SiO2‑Si3N4叠加、加热电极、敏感电极、测温电极、敏感材料和贵金属掺杂剂。采用聚苯乙烯微球作为掩蔽层，利用氧等离子体刻蚀调节微球直径的大小，利用磁控共溅射ZnO及Al2O3在缩小直径的微球间隙沉积复合敏感薄膜，调节ZnO及Al2O3溅射过程中的溅射功率、时间、衬底温度及溅射压力达到调节复合薄膜微观结构的目的。采用Pd贵金属对掺铝氧化锌薄膜进行掺杂和表面改性，加快气体与界面的吸附及脱附，提高传感器的气敏性能，增加薄膜的比表面积，提高气体传感器的响应。
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公开(公告)号：CN114965598A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210480855.3
申请日：2022-05-05
Applicant: 西安交通大学 , 深圳市天地通电子有限公司
Abstract: 本发明公开了一种掺锡氧化镍贵金属修饰的MEMS甲醛传感器及制备方法，在Si基底正反面制备双面氧化硅层、高频Si3N4正应力层、低频Si3N4负应力层、高频Si3N4正应力层、多孔Si3N4低热导率绝缘层；再制备出包括测温电阻、加热电极和敏感叉指电极对，沉积Cr‑Au薄膜制备敏感层图案、掺锡NiO敏感层薄膜；溅射Sn薄膜，Pt和Pd混合靶材贵金属薄膜；制备背部掩蔽层SiO2‑Si3N4；形成绝热槽；通过划片得到气体传感器芯片。通过掺锡氧化镍表面制备贵金属复合颗粒，增加薄膜的比表面积，形成P‑N异质结，提升了甲醛传感器的力学性能，具有更低的热传导系数和更高的灵敏度。
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公开(公告)号：CN101788286B
公开(公告)日：2012-01-04
申请号：CN201010129336.X
申请日：2010-03-22
Applicant: 西安交通大学 , 西安华腾光电有限责任公司
IPC: G01C5/04
Abstract: 本发明公开了一种测量建筑物垂直位移的装置及方法，该装置应用连通管原理多点连通，通过对连通容器中的液面分界面位置进行测量，将设备安装处的微小高程变化转换为液面分界面的垂直方向的位置变化，由CCD传感器或PSD光电器件直接检测液面分界面的垂直位置变化。采用单片机实现CCD器件或PSD光电器件的程控驱动、信号处理和识别、数据采集、与计算机通讯等功能。该仪器将传感器和外围电路集成，并设计专用模具制造，仪器的整体性和密封性能好，便于安装。该仪器可用于观测大坝、桥梁、码头、高边坡、地裂缝、断层、软弱夹层等的垂直变形。
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公开(公告)号：CN101788286A
公开(公告)日：2010-07-28
申请号：CN201010129336.X
申请日：2010-03-22
Applicant: 西安交通大学 , 西安华腾光电有限责任公司
IPC: G01C5/04
Abstract: 本发明公开了一种测量建筑物垂直位移的装置及方法，该装置应用连通管原理多点连通，通过对连通容器中的液面分界面位置进行测量，将设备安装处的微小高程变化转换为液面分界面的垂直方向的位置变化，由CCD传感器或PSD光电器件直接检测液面分界面的垂直位置变化。采用单片机实现CCD器件或PSD光电器件的程控驱动、信号处理和识别、数据采集、与计算机通讯等功能。该仪器将传感器和外围电路集成，并设计专用模具制造，仪器的整体性和密封性能好，便于安装。该仪器可用于观测大坝、桥梁、码头、高边坡、地裂缝、断层、软弱夹层等的垂直变形。
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